8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品
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/ A$ N! T  u7 w% |. K# P7 f(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
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4 Z' |6 Y; S: w8 G, }; K1 U快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

主要展品
* y) E, m( \( _& |; K; T
1. 企業級固態硬碟(SSD)：
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  U- i' C/ Z( R+ ?$ S4 y* d$ D2 z% ~. v' x企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示

6 _: ~. l1 G. l/ W7 j) J% b  M; d2. 用戶端SSD:
- J' {9 }' O$ a# s' T0 e5 ^
( h+ v) ]. e1 J" s' {4 {1 U3 h: @& j高階用戶端SSD HG6系列
TLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：

' ~. Z2 l/ Q" c# g- a0 ~嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM
4 b) c& T  ^2 y. N/ W) l/ Q' o& i
4. 企業級&工業級記憶體：

SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片

7 T0 j. ]/ l: K8 y* d" R% m注釋
5 i( l' L& X* ]5 Q+ @3 E
[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
[2] UFS：通用快閃記憶體
[3] SLC：單層單元
[4] BENANDTM：內建型ECC NAND