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2#
樓主 |
發表於 2021-9-26 20:14:03
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RC ckt. |/ ]0 f4 w$ l9 N) p
R=60k ohm & C=1p F
6 u. G8 i8 z# I: o( ZBW=2.65M$ z+ k1 ], H5 ]6 Q, Q. C) }
----' e5 K1 v/ B0 x1 f" q( p$ q& z
NMOS common source
/ J) o# i. T3 d% |Mn1 vout vin vss vss w=1u l=0.18u m=1: W; l# y/ V* U# T E
Mp1 vout vbias vdd vdd w=3.34u l=0.18u m=1 ; ~; E8 o! i: X1 e" B0 h
Cout vout vss 400f; o: U9 T$ V0 ~! {5 \+ G3 y
BW=17M Hz @Vout=0.96 N5 c8 j( n# C0 V/ N
----& R' q m' ?* J H1 s0 h& u$ v
ac noise的模擬條件
8 \; u, ~. h) j* G$ `6 K.ac dec 10 1 1g
+ a7 Z1 E% V( d3 i# ^.noise v(vout) vin 1, f& v3 n& U- V- G( @) C3 O/ m
------
3 @- W& [ U1 X.trannoise的模擬條件9 O8 O8 X. n5 p* m
.tran 1n 3u- N6 F) C/ j1 q
.trannoise V(vout) SEED=2 SAMPLES=512 FMIN=1 FMAX=1g |
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