|
RC ckt
4 D v5 [; R2 LR=60k ohm & C=1p F* g z) W, l: T* t+ l
BW=2.65M
; S: v7 Z5 o- w0 L7 S3 J! U----
. d/ Q. D. n# ?9 B# [& T2 R" gNMOS common source; x* }) H0 @2 U. F$ U) `" k+ m
Mn1 vout vin vss vss w=1u l=0.18u m=1
" ]" _: p r8 A! W( k0 t* JMp1 vout vbias vdd vdd w=3.34u l=0.18u m=1 ' V* O `6 E$ [6 y/ v2 l3 _
Cout vout vss 400f
/ P8 d1 R. R9 l# W* e9 m& vBW=17M Hz @Vout=0.9
8 V: L- o4 t, D& }$ l----5 F+ ^" T; @% C0 ?( m. e0 |. `
ac noise的模擬條件
+ Q2 v3 ?' J3 S! l3 y, y/ U.ac dec 10 1 1g) u: e0 ^' V! z# F1 E
.noise v(vout) vin 1
" B, A! ~5 M6 a* I+ x------
# Q9 \6 D8 r( l.trannoise的模擬條件
+ y9 j e8 e# W& x, v. B.tran 1n 3u
) t4 @- j1 i; P1 p( }: v( B5 M6 K.trannoise V(vout) SEED=2 SAMPLES=512 FMIN=1 FMAX=1g |
|