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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好# m& c. V0 g2 ]& y/ s7 g
- G9 l, c, d- w# D" E2 v2 O
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護
' W/ W  y4 U; F, c! r' J: _
/ M7 V8 @( i1 W* K) }, @% ]但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
- m- j/ e1 C! t1 N
8 ?& N/ H; P% M. f3 ~( s% y造成LVS驗證顯示短路  t+ j- P" F; b- @
3 u! ^7 l1 t1 F' ~4 U% I% ~
因為用的是TSRI給的library* Z) ^" q$ f( e+ B7 }% R: v  @2 C

% Z# x) Z  _% s5 l. j" Q發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的: ?3 Q6 _4 m: I3 V  `% B- K

; N; [8 p% k/ T9 N' Y而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ! t# D% |6 M+ V$ q
# `+ i/ R! ]/ u" V
是stream in 的時候就有問題了嗎?8 T  \4 p6 n! u( [7 M1 V

, p& B2 Y0 \1 v) G8 v* \1 z請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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