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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好5 q, }8 `; D  K! T
; U1 J. q8 ]9 @9 {. [7 D- O
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護( t- a/ ^2 _0 V  I, D* ?; M1 S# T
/ Q: G, D$ \# Q9 Q' q! A& P4 c$ A
但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
! G5 x" F2 J4 K! B( M
7 l  P8 c4 ~& X9 o1 q造成LVS驗證顯示短路2 t$ ^8 X8 ^1 g5 L6 x1 z$ H" x

. p7 o. [) P0 h' a因為用的是TSRI給的library5 B5 D6 S: r2 o3 m
2 P0 u! M4 E& [! s% Q# R5 S$ B6 i
發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的
0 l; j) V. E. V3 x
9 i9 r  {. D! z0 U( Q而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
5 _7 h3 l' V: Y5 q8 t; k. [
4 b' |% [* l" R& y! l: }- I是stream in 的時候就有問題了嗎?
, R- w/ m% D" A8 |, [6 _. ?  w2 O8 Q! c5 r/ o4 J
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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