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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好
* S) I% L# K$ i6 D3 `- x* z+ T1 K8 w. `1 _; _: r* Y, d: N
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護
7 E  Q( r; I5 i: m; G& d$ `4 t0 F% m" ~) r8 n! b
但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
( U4 `$ F! O! r, ^+ |6 e- o1 H! Q; q9 v/ B" E
造成LVS驗證顯示短路0 b, Z0 N* N- Y7 g
7 R+ n* G: T( I
因為用的是TSRI給的library
* w: Y+ `7 C" I! Z7 a& W: r* g" J0 X3 J
發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的
( N8 K; \5 |# R: T) V8 Y
8 D9 s" l) f) U而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
' e) x: R- Q# T3 X  y" B, X( a' B2 k- }6 \% Z6 x9 b
是stream in 的時候就有問題了嗎?
- T: F, _) J' z( x; a+ `( e
2 z# y+ L5 s  B# I0 ~# o$ w請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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