用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
, W% D* O( p+ @; l# [3 ]6 S可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
0 W- x/ b$ h+ @8 t也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
# a1 G4 S- z: q# ]  z4 r& I建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件