用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
. k7 z1 G9 ?. N0 N% s# \.print CGG=LX18(mn1)
. t+ y& D2 ]* I7 d5 Q' @.dc vin 0 5 0.1
6 J7 C' |# [5 B- l! s2 z....
; o/ S2 K) |+ E) w.....
.......
* A( J" t" J) B% }; u% P.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
0 b9 W5 o. r9 c* e0 i如有錯誤，請大大們指教~~~
9 M: m& C. ^- r+ j# t1 L
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
8 u6 k9 t5 N* \) J& I' l3 {+ g3 f我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???