展望2008年記憶體產業發展展望 記憶體廠商逐步佈局NAND Flash能量

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資料來源：工業局電子資訊組

半導體產業一直是推升我國經濟發展的核心產業，經過了政府及產業界多年來的共同努力，如今我國除了晶圓代工及IC封裝、測試業均已位居全球第1的地位，而IC設計業也創造出全球第2位的亮麗成績外，我國記憶體產業也已在全球記憶體產業占有相當重要的地位。我國記憶體產業的發展肇始於1991年由工研院所執行的「次微米計畫」，開啟了我國記憶體發展的先端，之後隨著全球記憶體產業競爭版圖的更迭變化，我國廠商也陸續與國際廠商建立策略合作關係，加上我記憶體廠商不斷的投入技術研發，歷經十多年的努力，逐步奠定我國記憶體產業發展的基石，也造就我國記憶體產業產值占我國IC製造業產值比重由2003年的29%，推升至2007年約34%之亮麗成績，並奠立了我國在全球記憶體產業的關鍵地位。

' E' x3 K! T5 D( s6 C2007年全球記憶體產業營運成果
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4 s& b% i5 {2 s2 m" }" D全球記憶體產業主要由DRAM、NAND Flash及NOR Flash等產品所組成，2006年此三類記憶體產品合計佔有全球記憶體市場的92.1%。其中DRAM占有最大比重，達57.8%，NAND Flash及NOR Flash則分別占19.7%及14.6%。2007年受到全球DRAM產能供過於求的情況惡化及Vista效應不如預期等因素影響，使得DRAM市場合約價和現貨價雙雙大跌，平均單價(ASP)跌幅達39%。但2007年第3季由於半導體製造業進入傳統旺季，晶圓代工逐步復甦，加上DRAM業者在12吋廠產能及良率不斷提升、製程技術進一步微縮推進，再配合國際記憶體大廠Samsung及Hynix持續因應年底NAND Flash市場的需求回溫，將投入DRAM生產的產能調撥以增加NAND Flash的產量等助力推進下，使得全球DRAM供需情勢逐漸獲得控制。

" |. X5 L2 i; X% V5 k根據WSTS報告，2007年全球整體記憶體市場成長率約為10.9%，優於全球半導體市場之2.1%成長率，主要是因為記憶體廠於2006年及2007年大幅擴產，出貨量大增，再加上記憶體的終端應用產品逐漸在市場上展露頭角，使得全球記憶體產值占全球半導體產值比重由2006年的25.7%，成長至2007年的28%。預計未來隨著記憶體在高階應用比例之提升，將進一步擴大記憶體市場的規模。
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, w# Q' x5 m4 S我國記憶體之發展與布局

我國記憶體產業係以DRAM產品為主，國內DRAM廠商在12吋廠產能快速增加，以及製程持續進行微縮，使得DRAM產出呈現增長的態勢，不僅使我國成為全球DRAM單位成本最低的國家，我國DRAM產值之全球產品市占率也已超過20％，居全球第2位（僅次於南韓），進而促使我國在全球記憶體產業占有關鍵地位。

依據經濟部ITIS計畫統計，2007年我國記憶體產業由於受到Vista效應不如預期及全球DRAM產能供過於求，致使DRAM報價持續探底的拖累，估計2007年我國記憶體產值僅達約新台幣2,487億元，較2006年衰退約14%。而在主要應用產品方面，PC及NB之銷售仍持續成長，DRAM產出量亦隨之提升；就DRAM容量而言，512Mb以上之 DRAM依然為我商營收貢獻主力，占整體記憶體營收比重約達81%左右。至於非揮發性記憶體產品方面，配合消費性電子產品需求的回升，使得Flash產品比重進一步回升至約4.8%。
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未來我國記憶體廠商除了持續推升我國在全球DRAM產業之地位外，為了掌握NAND Flash在終端產品市場的龐大潛在商機，廠商已積極投入NAND Flash之佈局。其中，力晶與瑞薩(Renesas) 於2007年2月合資成立記憶體設計公司Vantel，將共同研發設計先進的嵌入式記憶體，以迅速將高性能、低成本的SiP解決方案投入市場，力晶也藉以建立在NAND Flash的技術能量；此外，旺宏電子也於2007年5月宣布與奇夢達(Qimonda)共同研發非揮發性記憶體技術，並於2008年1月正式簽訂共同開發合約，以研發快閃記憶體(Flash)先進製程技術，期能在非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)上進行更密切的合作。從而可知，我國記憶體廠商藉著過去發展DRAM成功模式，逐步佈局NAND Flash能量，期能發展成為全方位的記憶體供應商，並在全球的NAND Flash市場中占有重要角色，以提升我國記憶體產業技術能量與競爭優勢。

展望2008年記憶體產業發展
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展望2008年全球DRAM市場，因全球DRAM廠商採取縮減資本支出幅度，延長歲修時程或減緩建廠進度來調配DRAM市場供給，所以DRAM供給面的成長幅度將會受到有效控制；另就需求面而言，在DRAM最大的應用產品PC方面，預估2008年全球PC銷售量將比2007年成長10.7%。因此，全球DRAM產品供過於求的壓力可望減緩。在Flash市場方面，2007年全球發展最具潛力的NAND Flash估計有159億美元之市場規模，為第二大記憶體產品，未來在PC應用、影音儲存及固態硬碟等產品需求帶動下，成長性可望將優於DRAM。

觀諸2008年我國記憶體產業的發展，在全球DRAM產品供過於求的壓力逐漸舒緩，加以下游通路的庫存去化狀況逐漸在發酵，漸漸使得終端需求升溫等產業情勢下，我國DRAM廠商除了調整產品供給情況，更已計劃將製程技術下探至58奈米，以期降低產品成本，因此在成本控制上優於國際大廠的條件下，預估2008下半年DRAM價格止跌回升時，我國廠商即可因此一競爭優勢而優先獲益。
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, \* X: {7 P( ^2 E- Q: N為了推動我國記憶體產業的發展，政府除了持續協助我商推升在全球DRAM產業的地位外，政府也於2005年推動由工研院及國內記憶體廠商(包括力晶、南亞、茂德、華邦等)共同組成「PCM(Phase Change Memory)研發聯盟」，以從事下世代記憶體(PCM)之技術研發，協助業界建立我國在下世代記憶體的技術能量。聯盟成立至今，在PCM相關技術及智財的掌握上已有一定成果，也為我國在下世代記憶體技術的發展上奠定良好的基礎。相信未來在搭配我國12吋廠產能及製程管理能力之優勢下，我國記憶體產業不僅將擁有獨立自主之技術能力，也將可有效提升我國記憶體產業在全球競爭地位。

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6/3集邦科技（DRAMeXchange）於臺北國際電腦展(Computex Taipei）舉辦年度研討會，與會貴賓來自二十多個國家的記憶體領導廠商及眾多相關業界人士，是展覽期間最具國際規模的研討會。
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集邦科技產業研究處分別就全球DRAM、NAND Flash產業以及中國模組市場深入探討：

整體DRAM產業的位元成長率預估為55%，與去年的93%相比，已經大幅縮減40%
3 ]# u7 e+ Y9 x3 v% [4 w5 bDRAM首席分析師楊雅欣(Joyce Yang)表示，隨著今年DRAM廠減少資本支出37%（YoY），加上8吋廠的去化與延緩12吋廠蓋廠速度，整體產業的位元成長率預估為55%，與去年的93%相比，已經大幅縮減40%；至於在製程演進方面，DDR2顆粒的主流製程將從70nm 8F2往65nm 6F2推進，年底再往5Xnm邁進，以自身的技術降低製造成本，在下一個世代的技術競爭中取得有利的先發位置。

中國DRAM模組市場，通路強弱與成本高低是決定成敗的重要因素
, L5 K. Q9 D  V另一方面DRAM資深分析師陳建甫(Jeff Chen)也透露，要切入中國DRAM模組市場，通路是最重要的一環，與中國本地強勢通路商合作，為目前最有效快速的方法。中國桌上型電腦占PC銷售量的比率仍高於全球，對現貨DRAM模組需求也相對高，為各大模組廠覬覦之市場。對模組廠，通路強弱與成本高低是決定成敗的重要因素。中國DRAM模組初級通路主要由潮洲商人主導，深圳為最主要之集散地。
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集邦科技NAND Flash分析師陳有裕(Wayne Chen)指出，隨著全球無線寬頻通訊（3.5-4G & WiMax）的網路基礎建設逐漸部署完成，將為各種新興的可攜式（portable）電子產品帶來更多的成長機會，伴隨著全球HDTV的陸續開播，可攜式電子產品所需搭配的儲存容量也將隨之提高，而這些趨勢都將對NAND Flash帶來更多應用商機。

' C- y9 S! \: Q+ \奇夢達：適當的伺服器記憶體和系統建構，最多可以節省至 75%的能源
3 t3 [2 ~$ y& g3 _記憶體晶片領導廠商奇夢達（Qimonda）全球Product Line Server副總經理Peter Schaefer以節能減碳演說為主軸，藉由製程上（Buried wordline）的進步、縮小顆粒的尺寸以低功率高效能符合企業的需求。以全球PC耗電量來分析，其產品先以伺服器（Server）的記憶體（FB-DIMM）為主要訴求對象，電壓從1.8V降至1.55V，可以降低20%的耗電量，並藉由AMB（記憶體上的控制晶片）的控制，再降低10%的耗電，可有效達到減碳環保目的。

1 l. R8 U9 a. T& u2 |# m新帝：預計2012年SSD將消耗 NAND Flash產出的三分之一以上
% W# e" }! l0 j" O. e全球最大快閃記憶卡廠商新帝（SanDisk）以色列分公司全球產品行銷總監Doreet Oren在該演討會也表示，SSD被視為記憶體市場的明日之星，預計2012年SSD將消耗 NAND Flash產出的三分之一以上，遠勝過其他各項的產品應用，並帶給生產製造商數十億美元的市場商機。NAND Flash製程不斷進步所帶來製造成本持續往下，預計在2010年SSD的容量將可達到256GB ，SSD成為未來電腦的主流儲存裝置將是指日可待。

慧榮：提升controller改善MLC SSD限制達到降低成本 是SSD市場滲透率的致勝關鍵
NAND控制晶片龍頭慧榮科技（Silicon Motion）執行長茍嘉章先生在集邦年度論壇上的演說表示，市面上有95% SSD採用成本較高的SLC(Single Level Cell )NAND Flash。MLC (Multi-Level Cell) SSD的成本為SLC SSD的1/2，是降低成本的主要關鍵，也將對SSD市場滲透率產生重大影響。為了改善MLC SSD先天的限制，就必須靠controller提升速度、穩定度與平均讀寫壽命，目前controller業者多普遍採用損壞區塊管理（Bad Block Management）、錯誤修正碼（Error Correcting Code）、平均抹寫（Wear Leveling）三種演算法來提升MLC型晶片在SSD上使用的壽命。

華碩：2011年低價PC市場規模上看五億台
另一方面，華碩電腦（ASUSTeK）Eee PC事業處總經理胡書賓先生則指出，在2007年第四季華碩推出4GB/8GB SSD為儲存裝置的Eee PC受到市場肯定之後，業者對SSD在PC應用的成長性都普遍樂觀看待。隨著華碩第一波成功經驗，PC大廠定位相似的產品於2008年第二季紛紛上市，低價PC市場規模初期預估達一億台，而2011年更高達五億台的商機。
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  b1 ]% t" E; a2 `8 p日立環球儲存科技：終端應用產品對於高儲存容量要求不斷提升，大儲存容量與合理價格優勢即成了硬碟業者一項極佳利基
0 Z" I: F, |, S$ Q' C硬碟大廠日立環球儲存科技（Hitachi GST）亞太地區副總裁朱紹仁先生指出目前傳統硬碟於IT產業的運用主要包含企業、NB PC與DTPC，而在消費性電子端則包含家庭/個人資料存取、DVR、MP3/PMP、遊戲機與自動化設備等，傳統硬碟不論在容量、製造成本、價格、讀寫效率等方面皆有極佳的表現。隨著終端應用產品對於高儲存容量要求的不斷提升，較大的儲存容量與合理的價格優勢即成了硬碟業者一項極佳的利基，儘管未來採用SSD為儲存記憶體的NB PC雖然會取代目前部份傳統硬碟的市場，但在價格與產品特性的考量下，仍會區隔出不同的市場。

希捷：未來五年硬碟商主要商機將轉移到一般民眾使用網路的數位儲存市場
7 P' g3 U) k  ], n* u! X全球硬碟龍頭希捷（Seagate）台灣與韓國地區總經理Brian Wickman表示對傳統硬碟製造商而言，過去一般企業儲存資料所需用的儲存設備是其市場的主要商機所在，然而未來五年硬碟商的主要商機將轉移到一般民眾使用網路所帶來的數位儲存市場。因為寬頻建設日益普及，在家上網的民眾可以透過網路所提供的開放空間分享自己創造的數位影音內容。Wickman預測，2012年全球儲存各種資料的規模將達374 Exabytes，此數字與2007年的數字相比成長了440%，其中185 Exabytes是來自一般家庭的數位儲存。Seagate明年的第一款SSD將以商業市場為主。

關於集邦科技
) z; R. o$ j% ^& i5 B$ \, R  G% {2 m1 G1 u集邦科技是全球電子產業市場情報的領先提供者，提供關於主要電子產品的深度分析報告，同時也提供優異的相關顧問服務。集邦科技目前有3個主要的研究部門，分別是DRAMeXchange、WitsView與LEDinside，研究領域涵蓋DRAM、NAND型快閃記憶體（Flash）、個人電腦（PC），以及顯示相關領域。在2000年，集邦科技開始以DRAMeXchange的品牌名稱提供市場情報的服務，包含當前市場環境、即時現貨市場交易價格、市場趨勢、資本支出情報、晶圓產能趨勢、市場上DRAM/Flash記憶體產品的衝擊，以及其他相關的PC產業資訊。想進一步了解集邦科技，以及我們所提供的各項服務與情報，歡迎拜訪www.dramexchange.com.
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. D% A. n# X8 n, b! M8 o; i# p關於LEDinside
" f2 ^6 q2 x/ N/ NLEDinside成立於2007年，為集邦科技旗下之LED產業分析品牌。LEDinside是一個專業的全球LED產業資訊平台，每日提供全球LED產業訊息、相關資料、情報、數據、LED價格資訊。同時也提供LED產業分析評論，以及豐富的LED產業知識庫。更多的訊息，請拜訪www.ledinside.com.

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' }( T6 F" ~: z% E周氏國際以格子店找到記憶卡╱碟產品全新通路，並以各種可愛陳設搶攻女性市場。周氏國際╱提供
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5 r9 {  R9 J2 G+ Z【台北訊】不景氣，更要尋求創意，周氏國際公司以記憶卡╱碟進軍格子店，目前該公司在全省格子店布點超過30 家，對於記憶體產業是相當另類的做法，也讓周氏國際旗下ChoiceOnly品牌知名度提升。
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) v8 N0 ]& V% N$ `) }周氏國際總經理周煥榮說，記憶體產業不景氣，記憶體產業鏈前景不明，但可發現，以品牌為主的廠商，大多能避開虧損，布局特殊通路，朝獲利之路邁進。以周氏國際為例，隨身碟多以可愛做為設計主軸，為貼近市場，半年前進駐主打女性通路的格子店，經半年時間，加上前一波Nokia 在台灣和周氏國際合作買手機贈可愛隨身碟活動，讓更多人認識周氏國際BabyKing隨身碟系列，提高其他產品線曝光度，如外觀採卡通膠囊的Dr. Capsule及有希臘男女圖騰的Mythology系列，目前在格子店的銷售都不差，而格子店行銷也讓周氏國際以小成本締造高銷售量。

周氏國際除自有品牌ChoiceOnly主打記憶卡、碟市場外，近年積極代理新力、東芝等國際大廠記憶卡，採平行輸入，並提供保固，產品價格相對平易近人。強有力的後盾，加上自有品牌產品和各家記憶卡廠產品無重疊性，並提供代工服務，多方利多整合，讓周氏國際在這波不景氣中找到新台幣。

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(20090812 09:09:08)美國商業資訊加州聖克拉拉，愛達荷州博伊西消息——英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.，紐約證券交易所：MU）今天宣佈，雙方依靠其獲獎的34奈米NAND製程，推出每單元儲存3位元（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術試用產品。這些晶片最適合用於快閃記憶卡和USB驅動器等消費儲存設備，在這類應用場合中，高密度和性價比是首要考慮的問題。
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' B- T3 C. m) P, x, R. j雙方設立的NAND快閃記憶體合資企業IM Flash Technologies公司（IMFT）開發了3bpc NAND新技術，並利用這項技術生產出了目前市場上尺寸最小、性價比最高的32Gb晶片。32Gb 3bpc NAND晶片面積為126mm²，將於2009年第四季投入量產。兩家公司不斷致力於新的製程微縮（process shrink）研發，現在推出的3bpc NAND技術是其產品策略的重要組成部分，也是為關鍵區隔市場服務的有效途徑。

9 G) X) \+ u! k! E( c美光公司記憶體事業部副總裁Brian Shirley表示：「我們把3bpc NAND技術看作產品規劃藍圖的重要組成部分。我們也會繼續推展NAND製程微縮的研發，從而在今後若干年為客戶提供世界一流的產品組合。今天發佈的消息進一步顯示，美光和英特爾在34奈米NAND技術方面已經取得了重大的進展。我們盼望今年下半年推出2xnm技術。」
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; O1 z, v0 a' B) D1 _英特爾公司副總裁、英特爾NAND解決方案事業部總經理Randy Wilhelm表示：「我們邁向3bpc技術，這是英特爾和美光在34奈米NAND開發過程中取得突破進展的又一個證明。這項里程碑為我們在2xnm矽加工製程方面保持領先地位奠定了基礎，而這種2xnm製程將有助於為客戶節省成本，拓展我們NAND解決方案的功能。」

globe0968

DIGITIMES Research：蘋果NAND Flash轉單效應顯現　惟三星獲利率35%仍遠高於海力士

(台北訊)全球最大記憶體製造商三星電子(Samsung Electronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NAND Flash大部分訂單轉予海力士(Hynix)的影響，DIGITIMES Research專案經理徐康沛分析，2011年第4季NAND Flash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NAND Flash佔記憶體營收比重降至38%，佔全球NAND Flash營收比重亦續降至34.6%。

4 e; z0 M1 r1 j! u反觀海力士NAND Flash佔公司營收比重則維持在30%，佔全球NAND Flash營收比重上升至13.7%。

+ U' W/ r) R" q0 y, G; F但從獲利率角度來看，徐康沛說明，三星NAND Flash 1Gb平均售價(ASP)估計仍有0.15美元，且27奈米加上21奈米製程技術佔NAND Flash產量比重已超過50%，進一步降低成本，使其NAND Flash事業營業利益率應仍有35%。

globe0968

海力士NAND Flash ASP估計僅0.11美元，26奈米製程技術比重雖已逾75%，但更先進的20奈米製程技術預計2012年首季方量產，在成本壓縮上不如三星，估計海力士NAND Flash營業利益率僅維持在17%。

james5168qoo

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tk02561

(20140916 09:50:22)加州聖塔克拉拉-(美國商業資訊)--領先的單光罩自適應ASIC™設備供應商eASICR Corporation今天宣布，該公司已經加入了開放式NAND快閃記憶體介面(ONFi)工作小組。該工作小組是一個由業界領先公司組成的組織，致力於簡化消費電子設備、計算平台和工業系統對NAND快閃記憶體的整合。

$ S3 x" y6 |9 r" j) `$ `eASIC全球行銷副總裁Jasbinder Bhoot表示：「eASIC致力於提供28奈米的快速、客製化解決方案，僅需七周即可完成從最終網表到第一個原型的交付。透過與ONFI合作，我們可以保證我們的設備能提供最快、最高效率的NAND快閃記憶體介面，滿足客戶保持競爭力的需要。」

ONFI工作小組主席Amber Huffman表示：「我們很高興eASIC加入ONFI工作小組。eASIC和ONFI擁有相同的願望，那就是幫助客戶建置以快閃記憶體為基礎的高頻寬儲存系統，從而實現更低延遲、更高性能、更低功耗的目的。」

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關於eASIC
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eASIC是一家無晶圓廠半導體公司，提供突破性的單光罩自適應ASIC設備，旨在顯著降低客製化半導體設備的整體成本和縮短投產時間。使用通孔層客製路由的專利技術實現了低成本、高性能和快速周轉ASIC及單晶片系統設計。這種創新構造使eASIC能夠提供前期成本顯著低於傳統ASIC的新一代ASIC。

eASIC Corporation是一家私人公司，總部位於加州聖塔克拉拉。投資人包括Khosla Ventures、Kleiner Perkins Caufield and Byers (KPCB)、Crescendo Ventures、希捷(Seagate Technology)和Evergreen Partners。如需eASIC的更多資訊，請造訪www.easic.com。

關於ONFI
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! [8 u; [6 K, s! j, K8 J) g! MONFI工作小組致力於簡化NAND快閃記憶體向消費電子(CE)應用和計算平台的整合。在該工作小組所取得的進步之前，由於缺乏足夠的標準化，因此妨礙了在這些終端應用中使用NAND快閃記憶體。為了讓一個平台上支援新的NAND快閃記憶體元件，過去通常必須改變主機軟體和硬體。由於需要進行新的測試週期，因此進行此類變動的成本極其高昂，因此降低了新NAND快閃記憶體元件的採用率。ONFI旨在解決這一問題，加快NAND快閃記憶體型應用的上市時間。
! L: a; t1 e- c, o' A! d+ G
ONFI工作小組成立於2006年5月，目前擁有100多家會員企業。ONFI的創立公司包括英特爾、美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、群聯電子(Phison Electronics Corporation)、SanDisk、SK Hynix、索尼公司和飛索半導體(Spansion)。