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[問題求助] chip power ring 电阻一般不超过多少?

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1#
發表於 2008-3-13 18:09:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
对于较大面积的die,从ESD考虑,power ring 电阻一般不超过多少?
2 c3 |1 R. x8 _& R- v) d) L! U请高手指导,谢谢
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2#
發表於 2008-3-17 23:36:52 | 只看該作者
我也想知道這方面知識啊!!!!, m# p6 G' [% ]9 h+ Z- D
有沒有人可以幫忙回答的呢????
3#
發表於 2008-9-8 23:18:47 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm
: \$ o- A1 B: I9 ^3 O如果會超過
# ?$ d; i8 X. P3 U3 j7 S) u5 G那麼 I/O 這邊的元件要畫大些
4#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:01:42 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm,谢谢
8 b- I$ t" }9 Z, N; i超过1ohm, I/O元件大些,这个尺寸大小怎么来把握哪7 C& D! j' J6 c/ m! F

/ C/ T' s# g! C/ @) Z# J[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-10-31 12:05 AM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2008-10-31 00:07:09 | 只看該作者
还有一个问题,我们在做IO 管时,拉大CON到GATE的距离,大概3-4um,这个作用是什么哪
6#
發表於 2008-11-1 15:26:02 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

是为了增大Drain 到Gate的space,也就是增大Drain到Gate的Resistor,防止突然的大电流烧毁Gate!
7#
發表於 2010-5-14 15:37:38 | 只看該作者
若擔心 POWER ring resister,有另一個想法就是在這條路徑上多塞一些VCC to GND CLAMP
8#
發表於 2010-6-8 10:48:22 | 只看該作者
补充:1 Ohm可能难一点,3 Ohm比较实际,特别是较大的Chip!
9#
發表於 2010-6-14 11:36:24 | 只看該作者
看到許多前輩的經驗談......讓我增進許多經驗喔~~~感恩
10#
發表於 2010-9-11 16:13:21 | 只看該作者
回復 1# scy8080 % I1 m, _+ w- |2 O; s

) u# u( D! N  u6 q" Y, _2 c* d: x( e" m
0 U; A' I8 ]+ G6 [   
+ V  e! g7 T# i  ?) ^ 以TSMC作为参考,90纳米以下要满足bus电阻小于1欧姆,90纳米以上要满足bus电阻小于3欧姆;如果不满足该设计规则,esd zap的时候
3 n* \+ [, C9 P+ [- f) h  c4 y很可能打坏core里的device。! U( P9 L; B2 m5 L/ G& g) r
 
11#
發表於 2010-9-11 16:24:01 | 只看該作者
最好不要超過 1 ohm,谢谢% Y( k/ H( T+ m5 ^5 f
超过1ohm, I/O元件大些,这个尺寸大小怎么&#2646 ...
( a5 r! |' X0 V8 escy8080 發表於 2008-10-31 12:01 AM
0 L* c5 l# D" ~, {

7 I, f5 w6 c% M; q/ s& Y2 g& @+ \" y8 {! R2 W1 @3 p
I/O元件大些有一定的帮助,但瓶颈不是在I/O元件本身的大小上,所以I/O元件大些起到的作用不是很大,比如diode,Ncs的面积大,实际上对diode,Ncs的交流导通电阻减小并不是
# ?# i* }. K) A  F. q7 o3 L* Q很明显,由于bus太长了,上面的IR drop太大,比如ead zap 2000v,有大概1.3 amps的电流,如果bus电流从1欧姆变到2欧姆,那压降就增加1.3v,而单从增大io的面积
! Y" S/ I3 R* G, p2 H来平衡bus电阻的增大是很难的(再说成本上也不允许我们降io的面积做的很大),势必会对core device形成危险!
12#
發表於 2010-9-11 16:43:44 | 只看該作者
还有一个问题,我们在做IO 管时,拉大CON到GATE的距离,大概3-4um,& ...2 i. ~/ e; {; C$ R: H+ J! b
scy8080 發表於 2008-10-31 12:07 AM

: ~7 k& x( q8 R0 V9 y% t- H; [+ i7 U; v7 F. T
拉大 CON到GATE的距离也只是拉大drain 端CON到GATE的距离,不会拉大source端CON到GATE的距离(同时一般会将salicide也去掉),
2 Q7 C3 [" q0 }8 H! D5 a; F其作用是增大drain端的电阻,相当于在drain端串联了一个电阻,起到在esd 冲击时保护自己不被打坏;能保证ggnmos下寄生的诸多npn管/ o4 l5 v. y0 n4 u. S# m" U
(gdpmos下寄生pnp管)能够均匀的被打开,进入snapback状态,泄放esd电流;如果drain端这个等效的串联电阻不够大,寄生的诸多5 K9 d8 t9 m" W3 M* y- j3 W
npn管(gdpmos下寄生pnp管)可能不能够均匀的被打开进入snapback状态,只是有的开有的没有打开,而esd的电流或者说能量是一定的,
8 m% b5 ]$ `4 \' f7 G5 {5 h) k必须泄放,电流在局部逐渐增大,出现二次击穿(热击穿),把device烧掉,我们通常看到的emmi图片上出现在source与drain 端的那道小) Q* b+ A: q* e5 c
暗条或者drain端的小洞洞或者gate下的小洞洞,都是被烧毁掉的痕迹!

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semico_ljj + 2 + 2 不错。。。

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13#
發表於 2012-7-12 13:15:13 | 只看該作者
good!/ z- [) n. y7 y2 `
讲的很好,现在在被一个ESD问题困扰
14#
發表於 2012-10-20 15:04:41 | 只看該作者
受益匪浅啊··~~~~~~~~~~~~~·
15#
發表於 2021-8-26 13:34:21 | 只看該作者
受益'良多
' o, I* c1 R% ^8 V% F$ S
2 f" D- L2 l: \+ w5 R謝謝大大的分享!!!!
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