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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,
+ l& T+ N* K, e* k; R由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), 5 A+ i3 N, t) `# u; S$ g
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)7 |+ P; j! y" w: f6 f/ k$ N! _
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,3 K/ X a% O# h2 D& F
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
/ K9 n& K8 N, l, K- w6 @7 Z) v0 p由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect) ~+ S+ g+ Q. C, L& W' N
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]3 A# K9 D) x2 k+ k
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
; n5 j# n. b5 h故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)3 o) j( I- r( w+ `+ T" s0 x" K! t0 ^
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值: ~" n: H' ^) ~" m6 L5 l- p
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]& n8 B: J" [) `. [
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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