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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)7 V" K: E. W4 D/ w1 m; s' U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND4 F4 {2 {2 a1 J: i: ^/ W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD! T. B" o9 H. g7 a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況/ x# w6 c) @ {% |' E
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊' s( A, S$ x3 h L3 `
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " P3 k7 b8 M8 W2 u7 R |9 ^# Q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& a7 Y. p% b! R0 ~0 A最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." y: L! z- A0 O7 a/ ?: g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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$ C* M. g5 e8 Q) s' D0 V+ ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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