關於量測問題

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我目前是學生，之前我有一張電路圖，名稱叫電荷幫浦，電路架構是利用:電晶體跟電容來進行充放電效果，所以我主要看輸出電壓
- E+ g  \0 u( k' W但是我發現一個問題畫完，主電路時在放PAD時因為考慮輸出電壓關係，所以沒家有保護電路的PAD，我是用裸PAD來使用。
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等CIC審核過後過晶片下來時，我在測量時候，我電路板用雕刻機，雕電路。

但是重點來了:我怎都沒辦法量測我想要的波形，這是我哪裡出問題嗎? 是板子問題? 還是IC問題? 還是使用裸PAD關係?使雜訊來影響我輸出電壓?

m851055

新從最原始的該是檢查
1、檢查電路
2、檢查layout
3、檢查tape out資料
4、檢查IC電源端是否正常..............

jkchien

當你想要進行charge pump 電路的佈局設計，其電路非常簡單，但是不要以為電路簡單就隨便劃圖，特別你想要的是穩定的輸出電壓
所以你必須要了解到佈局相關元件以及連接線，所帶來的相關問題
6 ^6 o7 g7 G- f8 |6 @! j8 {; w2 B從規劃開始，你得了解power system(電源系統的規劃)，以及routing system(連接線系統)
先做好計算和規劃，例如power line將會從power pad進入供應電流與電壓，如何到元件的source端時仍然可以是很乾淨又穩定的電源沒有power noise和IR DROP產生
要知道電源電壓不穩定會直接壓縮元件的偏壓值，進而影響你的Id電流輸出，當然輸出電壓也會被壓低，當然不會得到你要的輸出電壓........原因1

routing system，會造成你的頻率改變，以及充放電速度，當C值有很大的充電電壓時，其充放電之電流大小在單位時間內無法達成預期的充電電壓，當然就不會得到你要的波形，得注意接線系統的設計.....原因2
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& g" `# [0 k! v5 n. a. d製程技術選擇，0.35和0.18不同，你會作charge pump電路，我推估是加在PLL電路的相位偵測器之後的charge pump電路，利用一個PMOS和NMOS以及ㄧ階濾波電容器，以便送進VCO之前可以獲得穩態的電位，0.18um因為絕緣層比較薄，所以會產生spark current，如果不加上ㄧ階濾波，則會有激突電流產生影響輸出電壓值。注意電位的穩定和濾除雜訊的佈局
如果佈局元件的時候就已經有雜訊和漏電流spark current以及leakage current，那麼...你的挑戰指數便會更升高。.....原因3
I/O PAD，通常會加上ESD protection MOS，減少靜電放電對電路的傷害但是還要注意訊號的輸入和輸出的正確性，。
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PCB,電路板上也會有靜電，而且電路板和晶片之間的導線或是封裝線(Bounding Wire)，也會有電感效應，形成RLC，因此在板子上測量會增加更多的變數，還需要特別注意接地線或是BY PASS電容器的配置與其他雜訊干擾
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最後建議，若是為了probe特定點，可以在佈局中巧妙的加上test pattern 大約10umX10um左右或是足夠讓探針可以正確無誤的接觸probe點，這是另一種選擇

) ^$ s3 T6 I  o0 E' k8 F祝福你好運！