[問題求助] 如何使用Hspice模擬MOS的導通電阻Ron

cyan215

25^#

發表於 2011-11-2 11:11:24 | 只看該作者

這個問題尋找很久了~

馬上來試試看~

謝謝版主教學!

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larrysky

24^#

發表於 2010-1-27 10:30:26 | 只看該作者

感謝版主大大無私的教學~

感恩!!!

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pkf690801

23^#

發表於 2010-1-15 07:17:49 | 只看該作者

thanks

.......................

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iamif520

22^#

發表於 2010-1-15 01:18:25 | 只看該作者

哇~ 好感動喔~ finster大真是太強了~"~
今天又長知識了^_^
3Q

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semico_ljj

21^#

發表於 2008-12-2 19:33:09 | 只看該作者

觉得这样做有点复杂了！

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hyseresis

20^#

發表於 2008-12-2 15:05:30 | 只看該作者

原帖由 finster 於 2008-7-14 11:23 AM 發表
, ^/ ?  S9 R/ Q& ~0 l* |, t* |附圖Noname1應該就你說書上的圖吧- v& A% ^- B8 n# P
5 G9 [6 U" t3 \+ p! Z
下面是我測試的transmission gate,而附圖Nonmame則是PMOS/NMOS/和PMOS+NMOS的電阻疊圖
1 }- x- w7 p8 imp in    vsa    vddah vddah  P_33_G2 L=0.35u W=5u M=1# x. {, N' H5 _9 t! w
mn in    vddah    ...

為何2種方法跑出來不一樣？？

.print pmos_Ron=par('(v(vdd)-v(Vin))/abs(i(M1p))')
.print nmos_Ron=par('(v(Vin))/abs(i(M1n))')
.print TG_Ron=par('(pmos_Ron*nmos_Ron)/(pmos_Ron+nmos_Ron)')

.print pmos_Ron=par('1/gdso(M1n)')
.print nmos_Ron=par('1/gdso(M1p)')
.print TG_Ron=par('1/(gdso(M1n)+gdso(M1p))')

我只PO上TG的RON圖形出來,
上圖是用前三行指令跑出來的RON（2點電壓相減除以電流）
下圖是用後三行指令跑出來的RON（直接用電導倒數）
為何跑出來的圖形不一樣,理論上應該是一樣的啊
能否請各位大大位我解答

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schwu_iroi

19^#

發表於 2008-7-25 11:25:54 | 只看該作者

PMOS和NMOS组成的CMOS switch 电阻值写成
.probe Ron= par('1/(gdso(mn1)+gdso(mp1))') 就OK了

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schwu_iroi

18^#

發表於 2008-7-25 11:23:31 | 只看該作者

原帖由 hiyato 於 2008-7-7 06:04 PM 發表 ) g" c, q: R5 y) u
順便來請教各位大大
4 |- W" ]* B9 G6 ~) [/ X有在其他書上看到
, x" J5 _# c$ L* y0 S+ x2 g; w% ^.print dc RON=par('1/LX8(mn1)')# L, R- v8 S& x2 A$ \4 [- j
這個指令似乎也能看RON的電阻值7 i/ R$ `9 J! t: D- t1 k. g
不過不太了解這個指令的意思？

LX8(mn1)是hspice自带的一个function，可以用gdso(mn1)，表示mn1的电导的大小，正好是电阻值的倒数，用它替换更直观和简单。
.probe Ron=par('1/gdso(mn1)')

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17^#

發表於 2008-7-14 22:39:06 | 只看該作者

感謝版主這麼有耐心教導我
這下子我對開關又懂更多了
Thanks

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16^#

發表於 2008-7-14 11:23:44 | 只看該作者

附圖Noname1應該就你說書上的圖吧

下面是我測試的transmission gate,而附圖Nonmame則是PMOS/NMOS/和PMOS+NMOS的電阻疊圖
mp in    vsa    vddah vddah  P_33_G2 L=0.35u W=5u M=1
mn in    vddah    vsa    vsa N_33_G2 L=0.35u W=5u M=1
vvsa    vsa    0 0
vddah  vddah  0 vddah
vin in    0 0
.dc vin 0.05 3.295 0.005
.print r_p=par('(v(vddah)-v(in))/abs(i(mp))')
.print r_n=par('(v(in))/abs(i(mn))')
.print r_pn=par('(r_p*r_n)/(r_p+r_n)')
書上的圖是把PMOS和NMOS各別的電阻畫出來之後,再把兩個電阻並聯計算畫出來,其中,要計算PMOS電阻,一端要接VDDAH,而要計算NMOS電阻,另外一端則是接VSA

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15^#

發表於 2008-7-13 15:48:16 | 只看該作者

sorry  上面打錯了
應該是  rn=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))') rp=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')  rpn=par('(rn*rp)/(rn+rp)') 才對

還有想要請問一下跑出來的模擬圖  要怎樣看電阻值呢
也就是說 NMOS 跟 transmission gate 的部分  要怎樣看
可否教導一下
Thanks

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14^#

發表於 2008-7-13 12:05:56 | 只看該作者

如果我改成下面這樣
.print rn=par('(v(vout)-v(vin))/abs(i(m1))') rp=par('(v(vout)-v(vin))/abs(i(m2))') rpn=par('(rn*rp)/(rn+rp)')
電阻就會變正的
可是不管怎麼看  還是覺得不太對

以下是我的spice檔
vvdd vdd 0 dc 3.0V
vvss vss 0 dc 0.0v
vvin vin 0 dc 0.0v

m1 vin vdd vout  vss  nxx  w=wsize l=lsize
m2 vout  vss vin vdd  pxx  w=wsize l=lsize

*r1 vout  0    1k
.dc vvin 0v 3.0v 0.05v
.probe  rn=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1n))') rp=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1p))')  rpn=par('(rn*rp)/(rn+rp)')
.print  rn=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1n))') rp=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1p))')  rpn=par('(rn*rp)/(rn+rp)')

.end

希望大大幫我檢查一下  看看是否有錯
還有一個問題  就是為何不能用 v(vout)-v(vin) 而一定要用 v(vin)-v(vout) 呢

可否幫忙解答
Thanks

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13^#

發表於 2008-7-11 00:20:41 | 只看該作者

第一個方法為何要(相乘)/(相加)???
你要計算transmission gate的電阻,而transmission gate就是PMOS和NMOS兩者並聯,要求並聯電阻的阻值,當然是(相乘)/(相加),這是很基本的電阻公式計算
所以,我先計算出各別PMOS和NMOS的阻值再作計算

至於兩種方法為何會不同
照理說應該要相同才對,不過,我倒是很好奇為何你的電阻計算出來是負的
這點很不合理
難道是你的VOUT沒有設對嗎??

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12^#

發表於 2008-7-10 21:40:18 | 只看該作者

大大  我用了你的方法  可是結果怎麼跟書上畫的不一樣呢
以下是我的SPICE檔

vvdd vdd 0 dc 3.0V
vvss vss 0 dc 0.0v
vvin vin 0 dc 0.0v
m1 vin vdd vout  vss  nxxx  w=3.5u l=0.35u
m2 vout  vss vin vdd  pxxx  w=3.5u l=0.35u  m=4

以下是用 .print i_pn=par('abs(i(m1))+abs(i(m2))')  r_p=par('(v(vin)-v(vout))/i_pn')

.print rn=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))') rp=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m2))') rpn=par('(rn*rp)/(rn+rp)')

為何兩個結果會不一樣呢
而且很納悶的是第二個方法為何要(相乘)/(相加)

可否請大大幫忙解答
Thanks

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11^#

發表於 2008-7-8 09:33:51 | 只看該作者

可以是各別算出Ron,再運算
.print r_n=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')
.print r_p=par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m2))')
.print r_pn=par('(r_n*r_p)/(r_n+r_p)')

另外一種方式則是將電流相加再作運算
.print i_pn=par('abs(i(m1))+abs(i(m2))')
.print r_p=par('(v(vin)-v(vout))/i_pn')

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10^#

發表於 2008-7-7 20:41:52 | 只看該作者

原帖由 finster 於 2008-7-7 05:25 PM 發表
& W& E* @$ S* B# B- ]不好意思,一時之間沒留意到2 p: O1 ]4 S2 H% _% }8 K2 x
應該是
0 ?* i3 j$ n! x& d. a2 p: q.print PAR('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')
+ n1 Q" K! G7 r; C0 A+ z/ n' r' w/ X要加abs則是因為電流有流進流出的問題,進而會產生正負符號的緣故,故而加了abs可以變成是正的' ~* N* R! o2 K3 ]6 G% d$ ?/ f, N
另外,vout的部份,因為你是作.DC的swe ...

嗯嗯  原來如此
意思也就是說要寫成下面這樣子  對吧！
nmos : m1 vin vdd vout vss ........  .print par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')
pmos : m1 vout vss vin vdd ........  .print par('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')

那如果是transmission gate的話
vvdd vdd 0 dc 3.0V
vvss vss 0 dc 0.0v
vvin vin 0 dc 0.0v
m1 vin vdd vout  vss  nch3  w=3.5u l=0.35u
m2 vout  vss vin vdd  pch3  w=3.5u l=0.35u
那麼在.print部份的話  要怎麼寫
因為他不像nmos或者pmos一樣  只有m1的電流可以除
這樣怎麼求Ron
可否請大大解釋疑惑
謝謝

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hiyato

9^#

發表於 2008-7-7 18:04:27 | 只看該作者

順便來請教各位大大
有在其他書上看到
.print dc RON=par('1/LX8(mn1)')
這個指令似乎也能看RON的電阻值
不過不太了解這個指令的意思？

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8^#

發表於 2008-7-7 17:25:19 | 只看該作者

不好意思,一時之間沒留意到
應該是
.print PAR('(v(vin)-v(vout))/abs(i(m1))')
要加abs則是因為電流有流進流出的問題,進而會產生正負符號的緣故,故而加了abs可以變成是正的
另外,vout的部份,因為你是作.DC的sweep,而且是對NMOS,所以,source端一定要加最低電位(也就是0V)然後對drain作dc sweep
反之若是PMOS,則是要加最高電位(亦即VDD)
這是因為PMOS和NMOS兩者對VSS和VDD有不一樣的變化

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7^#

發表於 2008-7-7 15:37:14 | 只看該作者

嗯嗯  有沒有加電阻  真的有差  謝謝
可是又有一個問題(不好意思問題真多多多包含)
vvdd vdd 0  3.0v
vvss vss 0  0v
vvin vin 0  0v
vvout  vout  0  0v
m1 vin vdd vout  vss  nch3  w=3.5u l=0.35u
.print a=par('(v(vin)-v(vout))/i(m1)') b=par('v(vin)/i(m1)')
就是在vout的部份有沒有設成0好像結果差很多耶  為何會這樣呢
還有在量Ron部份時  到底是要par('(v(vin)-v(vout))/i(m1)')還是要par('v(vin)/i(m1)')
因為版主在回覆時  兩者都有提到  可是還是不清楚
可否幫忙解答?
Thanks

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