mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~
# E: J% e  l6 c5 G9 k, O
我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?

我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
( Q8 [) q% ]7 K8 C9 b4 w
. `2 t6 ?8 v. g! ~; _因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?

7 D; c: f7 |# ?% j6 }8 w# t0 _, d+ y7 u& pprint指令是要如何下呢?

麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
( k( |; o( ~: }在Hspice中也可以利用 Expresion来做
, o% K2 G1 a6 d- c/ {) V: c我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
! p& {  [5 j0 d  u3 D如果這顆PMOS取作MP1
5 B" i7 d0 O/ o6 l則,要計算它的Ron電阻
.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
1 U- e) T: Q. p$ Q0 h5 z7 }這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
0 O& Y2 H; g8 L, a請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

1 c! f# ?6 b! Q/ z$ c7 d( _0 |$ H3 L

  a/ n0 o* J9 K' Q4 e使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
5 R5 |, p$ M! K/ |如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈