Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 9663|回復: 11

[問題求助] Latch-up for Bipolar CMOS DMOS 5V/40V

[複製鏈接]
發表於 2008-5-12 20:31:02 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
各位大大:
( [- R) ^; v( I: t! V* a/ C3 p
: K8 a' X" k, F% a2 i小妹我現在遇到Latch-up問題,fail情況都是直接燒毀,製程是BCD 5V/40V) q( e' w) W6 V1 {" f' a) g* K
請問我該如何作FA分析去解決這個問題?: Q7 R3 b9 z+ \( d  R5 C
) Y: y; @" E- B
現在正在焦頭爛耳中,不知道方向在哪?
- O0 U; H4 r: R3 q' [4 f) _希望各位大大能給點方向或意見可以提供小妹,謝謝!
發表於 2008-5-13 10:04:36 | 顯示全部樓層
請問有長epi嗎?lacth-up有許多原因....
發表於 2008-5-13 11:27:20 | 顯示全部樓層
請問是哪家foundry的BCD製程?是哪個generation node process? 0.5um? 0.6um?...
發表於 2008-5-13 11:51:59 | 顯示全部樓層
1. 先 review layout' N) h$ |0 X' y& T( Y: Q
2. 如果無法從 layout 看出,做亮點分析,妳的例子是直接燒毀,所以已經知道大電流路徑! s- _+ W6 s+ c' |8 e/ t1 S
3. 就燒毀位置附近 layout 畫出可能之 latch-up 等效電路,看是哪邊寄生電阻過大,過大部分就接多一點 contact,或者寄生的 n,p type BJT 拉遠一點即可
4 p. |" \1 O! h' R: R以上是個人的小小經驗....
 樓主| 發表於 2008-5-13 12:00:45 | 顯示全部樓層
To Kokokiki:' B, [5 }; e% |# x9 }! o( u
non-epi wafer
, k1 Y9 }9 Y7 N) ~: d( \! t3 {* K) C( j/ u
To Tcsungeric:
3 q7 g- U) l( L& R! J0.6um process8 ^& [9 u! X$ C3 _  c5 R. o
1 [6 `5 v* _! ^
To 阿光:  Z- b) m8 N  L
目前都已確認過Layout,尚無找到問題
! x. n; s3 H; y2 x2 Y; V; `0 h: F. _) R6 }# P: C
! o% ~  `2 f& }0 N, K7 \' J
我們的設計是有內含LDO circuit,針對Latch-up是不是有哪些應該要注意的點呢?
發表於 2008-5-14 11:59:04 | 顯示全部樓層
做完Hot spot找到位置, 看位置附近 Layout,Device cross section及circuit操作方式加上偏壓,
' o! R$ ?) u, x4 e5 j看有為寄生bipolar 被 turn on . 注意 P/N介面 0.7V 就turn on.7 G( P; e7 N9 y+ m5 g$ s2 s
另外是高壓製程一般都有EPI.
 樓主| 發表於 2008-5-14 22:14:08 | 顯示全部樓層
抱歉,今天與晶圓廠確認,我們的製程是有 EPI 的4 A. ]" |( s4 c1 V$ W  J
) S/ [. v. j, t  \
請問,高壓產品的 Latch-up 打法是否完全遵照 JEDEC-78A 的規範?. {( A% o( p2 h# K5 j( w
Input pin 接 high 打一次,接 low 也打一次?2 L: r' `* C5 l6 [9 w/ _
或是只要參考應用電路的接法去打?
發表於 2008-5-15 12:16:06 | 顯示全部樓層
如果是有epi,那P-sub(or n-SUB),阻值是相對低,比較有可能的是HV-device的well之間隔離不良造成.$ n# f- {  K6 z/ c, w
可以在run-timing的狀況之下,用紅外線攝影(晶圓廠通常有)做高點分析,找到較hot的junction,做layout上的改善.
發表於 2009-5-19 17:15:18 | 顯示全部樓層
是漢磊的嗎?!. l" a3 E$ y7 W- E/ G& F  M! ^
加大Drain端到Gate的距離!!然後加大Contact Size!!
" F# i( M0 o: {( g# B9 h再不行就加Zener Protection!
發表於 2009-5-20 13:21:34 | 顯示全部樓層
在POWERMOS的GUARD RING 家厚,檢查LATCHUP 可能的路徑
; }+ P/ ?/ w+ I/ z1 C0 `有燒毀現象  就要針對該地方分析latchup發生原因.
發表於 2021-8-26 13:36:17 | 顯示全部樓層
受益'良多
, e6 z- a  I) ^+ k8 N" F8 Q3 e6 v. y* B5 s/ L
謝謝大大的分享!!!!
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-3-28 10:12 PM , Processed in 0.113006 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表