EM仿真结果带入到ADS中发现有些问题啊

rfbeginner

现在设计RF CMOS 的power cell， 使用Sonnet仿真传输线后，将S参数结果存成touchstone （SNP）文件，然后利用ADS中的SNP将该文件导入，发现问题如下：改变Vgs偏置，laodline似乎不受调制（和理想情况下的laodline形状也不太一样），检查了一下DC，发现Id的DC电流改变了很多，理想情况下是40多mA，但是使用EM仿真结果连接后，发现DC变到了500多mA，谁知道为什么呢？谢谢