你最喜愛那家公司的RF器件?

tk02376

恩智浦半導體全球佈局   於上海及波士頓近郊打造高性能射頻產品技術中心
, Q& T7 Q/ T8 n" I# q上半年於中國與美國分別設立射頻產品新技術中心  強化對射頻(RF)客戶的支援能力

+ r  N5 q% V! V【台北訊，2010年7月6日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 近日宣佈增加其在射頻(RF)的研發投資，於今年上半年先後在中國上海及美國麻州(Massachusetts)Billerica市(近波士頓）成立兩所恩智浦高性能射頻產品技術中心。該中心主要從事射頻/ 微波積體電路(IC)設計，涵蓋包括國防航空、寬頻通訊，以及工業、商業、醫療業(ISM) 的衛星接收器等領域。其中，於今年第一季成立的上海恩智浦高性能射頻產品技術中心，特別致力於為大中華區的客戶提供更及時完整的服務，包括從射頻前端到末級放大器的射頻元件設計開發、技術支援、售後服務等一條龍全方位射頻解決方案。
- R. z9 U: ]4 T, Z( z( E5 ]1 G
& Z, ~& W& n' U: J" p9 ^; F具體說明：
$ c: a* j! h) d  g% j, G, W) l6 W
*技術中心以恩智浦獨有的IP、產品組合、製程及製造能力，將進一步提升恩智浦的市場地位，尤其是日益增長的射頻/微波市場。
, x: s3 e' H8 ?% g0 K*技術中心的策略佈局能加強恩智浦對該區域客戶的技術和應用的支援能力。

tk02376

*恩智浦多樣化的高性能製程技術在射頻/微波市場的獨特定位，使其能提供豐富的射頻產品，涵蓋範圍從用於功率放大器的高功率LDMOS，到用於RF/IF單片微波積體電路的最新SiGe:C BiCMOS。此外，先進的高速轉換器CMOS製程滿足客戶對射頻前端系統的市場需求。所有技術均由公司內部設計與生產，因此可根據具體應用進行客製化開發。  
2 }' Z/ x" K2 w" B9 ?  Y* V; ~% i*恩智浦從事射頻模型開發歷史相當悠久，是業界領先的精巧尺寸 (compact)模型開發商之一，其功能全面的射頻模型支援各類相關技術。而新成立的中心為恩智浦全球的設計團隊提供支援，致力於產品與解決方案的創新開發，以解決射頻前段系統中亟待解決的難題。

相關補充說明：
; L; m4 e0 |+ S# i2 t
*恩智浦半導體高性能混合訊號事業部暨標準產品事業部大中華區資深行銷協理梅潤平表示：「全力打造上海高性能射頻產品技術中心，再次突顯了恩智浦紮根大中華區、依靠本土人才來服務在地經濟發展的長期承諾。我們看到業界對於靈活創新和及時服務的需求，因此將延續恩智浦支援本土人才培養、推動本土創新的一貫理念，招募與培養最優秀的RF人才加入技術中心，以提供更好的服務給本地用戶。恩智浦高性能射頻產品技術中心在上海的團隊，將力求超越高性能射頻/微波產品的性能侷限，以更多創新產品來迎接大中華區的市場挑戰。」
0 l( K8 W" L- W! @( p) Z( G
4 D- a- z, Z7 m" ?, I8 v*恩智浦半導體資深副總裁暨高性能射頻和照明業務總經理John Croteau表示：「承襲恩智浦半個世紀以來在射頻的創新，新產品技術中心將持續提升並發揚這種創新精神，以滿足客戶需求與開發創新產品。製程、封裝和晶片設計的創新仍是我們策略發展的基礎，我們將透過推出SiGe:C、LDMOS和JESD204A等產品來延續恩智浦的技術領先地位。」

tk02376

Microchip進一步延伸RF功率放大器產品系列 新元件對小尺寸、高效率和低工作電壓的嵌入式WLAN的應用需求提供了理想選擇


全球領先的微控制器、類比元件暨快閃技術供應商Microchip Technology宣佈在其RF功率放大器產品線中，加入新款SST12LP17E和SST12LP18E元件。SST12LP17E是同類產品中體積最小、效能卻不受限的功率放大器，只需一個DC旁路電容(bypass capacitor)即可實現最優性能。

% u' q7 n9 {+ pSST12LP18E則具備較低成本和低工作電壓，可取代Microchip廣受歡迎的SST12LP14E功率放大器。SST12LP18E具備Microchip全系列 RF功率放大器中最低的工作電壓，並可在-20至+85 ℃的環境下工作；該元件的工作電壓低至2.7V，在IEEE 802.11g OFDM 54 Mbps 標準下、EVM值為2.5% 時線性功率輸出高達18.5 dBm，在IEEE 802.11b標準下則為23.5 dBm，而在IEEE 802.11b標準下高功率附加效率則高達38％。

tk02376

$ F4 n& v4 R7 q- k4 z" x2 o
該放大器採用8接腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝，為小尺寸、高效率和採用電池電源的嵌入式WLAN應用提供了理想的解決方案，例如消費性電子市場、手機、遊戲機、印表機和平板電腦。

工程人員面臨著為應用延長電池壽命的挑戰，Microchip推出的全新元件透過提供高功率附加效率(power-added efficiency)降低電池功耗，並透過低工作電壓進一步延長了電池壽命，從而滿足工程人員的需求。與SST12LP17E搭配的輸入和輸出埠容易使用，可以加快將產品推向市場的速度；此外，該元件無需搭配外部RF元件，只需要一個外部電容，節省更多的電路板空間。
0 W1 j2 @3 p1 o' R
Microchip射頻部門副總裁Daniel Chow表示：「Microchip透過發佈全新的功率放大器，未來將能協助客戶在同樣的溫度條件下，以更低的工作電壓達到同樣可靠運作的效能。這些能在低電壓條件下達成高效運作能力的元件協助延長消費性電子產品的電池壽命。」
0 f4 e  f% ?* O
新款RF功率放大器設有8接腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝。