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發表於 2010-5-10 17:18:10 | 顯示全部樓層

安森美半導體榮獲龍旗控股頒發“優秀供應商”獎

2010年5月10日  - 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)宣佈榮獲全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商龍旗控股(簡稱“龍旗”)頒發的“2009年度優秀供應商”獎。這是龍旗控股連續第四年授予安森美半導體領先供應商獎項。                                      }0 N+ ?6 N8 g) ]" `& D

+ ]4 T: H" ]( p- k( w0 l1 z  |( W龍旗控股從200家供應商中甄選出安森美半導體等少數合作夥伴。這獎項的評選標準包括供應商滿足技術、品質、回應速度、交貨和成本目標的能力。
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此獎項表彰安森美半導體的優秀表現,為龍旗提供了他們視為成功關鍵的產品及服務,包括寬廣範圍的手機設計用高能效產品及方案,如發光二極體(LED)驅動器、噪聲消除數位訊號處理器(DSP)系統、電磁干擾(EMI)濾波器、過壓保護(OVP)元件和低電容瞬態電壓抑制器(TVS)。6 L: K& z* C4 F- }, y2 t" o$ D! a" M

: m& t2 k9 |# Y9 W- Q龍旗控股首席運營官 (COO)湯肖迅說:「安森美半導體是我們合作有素的一家戰略供應商。他們一流的技術和高能效的方案發揮至關重要的作用,幫助龍旗為客戶提供更具競爭力及增值型終端產品。」5 Z1 [; {7 P# r: z. v+ F) `* c
& U) Q! ]- V- c: g
安森美半導體大中華區銷售副總裁謝鴻裕說:「連續第四年獲獎,進一步彰顯了我們的長期承諾及夥伴關係。我們重視與龍旗之間的合作關係,將持續提供創新的技術、產品和支援,配合龍旗爭取更高成長、更多客戶和更高市場佔有率。」
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# h% g: J* v  T5 [4 q: U# m3 }關於龍旗
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8 Z! c5 e% `; `$ Y龍旗控股在新加坡證券交易所主板上市,是全球領先的無線通訊技術產品和服務提供商。專業從事手機設計、手機整機業務、無線通信、數據通信產品、無線寬頻技術和無線互聯網應用等產品研發和服務,總部位於上海,在北京、深圳、西安、香港、新加坡、日本、印度、越南等地設有分支機搆。龍旗曾連續躋身“中國高科技、高成長50強”和“亞太區高科技、高成長500強”評選中增長速度最快的技術公司排行榜。
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2#
發表於 2010-7-5 12:18:03 | 顯示全部樓層

物理學家利用 ADI 器件構建揭開宇宙秘密的南極冰層望遠鏡

IceCube”中微子觀測站使用 ADI 轉換器和放大器來幫助科學家們研究暗能量和暗物質的物理性質
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( b- ^2 y) v4 s: l( g, T北京2010年7月5日電 /美通社亞洲/ -- Analog Devices Inc. (NYSE: ADI)全球領先的高性能信號處理解決方案供應商,其數據轉換器 和放大器被深埋于地球上最冷大陸之一 -- 南極洲冰層之下2千米,幫助科學家們構建世界上最大的望遠鏡,以搜索人類已知的最小亞原子粒子。
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這一被稱為 IceCube (http://icecube.wisc.edu/ )的創新型地下望遠鏡項目利用南極一立方千米的純淨、超級半透明冰作為望遠鏡“視窗”或粒子探測器,搜索來自宇宙深空的目前已知最小粒子 -- 中微子(觀看關于IceCube的電影和動畫以了解其工作原理: http://gallery.icecube.wisc.edu/external/main.php?g2_view=core.DownloadItem&g2_itemId=1107 )。中微子是一種不帶電荷的亞原子粒子,于放射性元素和基本粒子衰變時產生。中微子以接近光速的速度運動,非常微小,穿過固體物質時通常不會與原子發生碰撞。但是,一旦中微子與原子發生碰撞,就會放射出微弱的能量,這種能量可以幫助我們檢測這些亞原子粒子的存在和方向。
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+ _0 O! M3 A+ }) D) O. fIceCube 將搜索最劇烈天體物理事件所產生的中微子,例如恆星爆炸、伽瑪射線暴以及有關黑洞和中子星的劇變現象等。IceCube 望遠鏡是搜索暗物質的強大工具,可能會揭示一些與自然界最高能量粒子的神秘起源有關的新物理過程。 . k/ ~8 K+ ]; ~7 S# A" B2 S" Z
" b  Z6 }$ F. M$ d; F
通過在南極冰層中裝配儀器,IceCube 構成世界上最大的冰水探測體。穿過冰層的中微子與原子碰撞時會產生藍光,IceCube 的數字光學模塊(DOM)能夠檢測到這種藍光。
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3#
發表於 2010-7-5 12:18:30 | 顯示全部樓層
ADI 公司的數據轉換器和放大器被安裝在5,000多個 DOM 中。這些 DOM 是直徑為13英寸的玻璃制球形壓力容器,連有電纜,分布于深1.5千米至2.5千米的冰層之下。在未來25年里,這些埋入冰層中的 DOM 將檢測并傳輸有關粒子碰撞的實驗數據。“我們需要能夠滿足項目工作年限要求的低功耗可靠產品,特別是對于 DOM 的主板。勞倫斯-柏克萊國家實驗室(LBNL)和威斯康辛大學麥迪遜分校的設計團隊選用的 ADI 公司數據轉換器和放大器符合我們的需要和要求。”LBNL 設計工程師 Jerry Przyblski 說:“我們在 DOM 和通信系統中使用了 ADI 公司的產品,如 ADC(模數轉換器)、DAC(數模轉換器)和放大器等。到目前為止,IceCube 的科學家們已經收集到相當于DOM工作數千年的數據。”
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IceCube 地下望遠鏡的建造工作將于2011年完成。美國國家科學基金會委托威斯康辛大學牽頭負責 IceCube 的建造。該項目是一個國際合作項目,參加方還包括比利時、德國、荷蘭、瑞士、日本、英國、新西蘭和瑞典。
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在冰層中安裝 DOM! K9 E1 Q6 ]$ x

4 Y/ S2 N0 a3 R# E, x為了安裝 DOM,首先用每分鐘射出200加侖、1,000psi、190華氏度熱水的水鑽在南極冰層中融化1千米至2千米深的冰孔。鑿開冰孔后,將串有60個中微子探測 DOM 的電纜放入200,000加侖的融冰中。這些冰會在約24小時內重新凝固,將DOM及ADI公司的轉換器和放大器包裹起來,其溫度在-20攝氏度至-30攝氏度之間。最后7個冰孔將于明年完成,總共有86個冰孔,每個冰孔中安裝60個 DOM。下面的動畫演示了如何將 DOM 埋入 IceCube 的深核中:http://gallery.icecube.wisc.edu/ ... on_reduced.mov.html .
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4#
發表於 2011-5-6 14:41:55 | 顯示全部樓層
ANADIGICS 推出 SMPS 裝置適用的全新 CDMA/WCDMA/LTE 功率放大器系列
7 ^; Y# @# y' N. q, wANADIGICS 全新 HELP3DC™功率放大器將 HELP™ 技術的效能導入運用 SMPS、DC/DC 轉換器及訊號封值追蹤的行動電話裝置 6 h0 [0 k6 Z& v7 J8 x& k- g2 B

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  h  ^/ f8 I) C- k【台北訊,2011 年 5 月 6日】無線射頻 (RF) 及混合訊號半導體解決方案全球領導供應商 ANADIGICS, Inc. 今日宣佈推出採用該公司第三代低功耗高效率 (HELP™) 技術的全新系列功率放大器 (PA)。全新 HELP3DC™  AWT663x 系列 PA 適用於 CDMA、WCDMA/HSPA 及 LTE 裝置中,其裝置內含交換式電源供應器 (SMPS)、DC/DC 轉換器或訊號封值追蹤IC,具有可控制 PA 供應電壓設計。在這類設計中,HELP3DC™ PA 提供業界領先的平均電流耗用,有助於手機、智慧型手機、平板電腦、上網小筆電及筆記型電腦的電池更加長效。
% {% U' R9 z: o! s: B( o7 }7 O9 p2 y% y
ANADIGICS 無線射頻產品行銷總監 Bruce Webber 表示,「ANADIGICS 推出全新 HELP3DC™ 系列,持續推進無線功率放大器效能的極限,這個系列相當適合採用 DC/DC 轉換器進行 RF 電源管理的裝置。這個領先業界且廣獲好評的 HELP™ 產品系列能夠讓 RF 設計人員有更多的選擇能夠使電池更長效,使得行動裝置使用者充分運用行動寬頻 3G 及 4G 服務。」

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5#
發表於 2011-5-6 14:46:26 | 顯示全部樓層
ANADIGICS HELP3DC™ 要點一覽:
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Ÿ   世界級效能1 C; V1 E' Y2 y' @; }9 T1 u" o
Ÿ   透過單一模式控制輸入達到輸出功率全部範圍高效率的兩種模式狀態
2 R5 k$ M$ Q' C9 u- G) K, AŸ   適用於需要調整 PA 供應電壓以降低電流耗用的 RF 設計
; H/ Z1 N1 X, G9 u) `Ÿ   低靜態電流,低於 8 mA (3.4 V)8 h3 x% K8 Y$ k; J
Ÿ   同等級產品中 3.4 V 之下最佳的線性度 (ACLR1)) [- F* m1 Q: e- V" q
Ÿ   LTE 相容
' M7 B" Y9 n1 O1 y2 aŸ   WCDMA、HSPA 及 HSPA+ 相容4 q4 a. e5 g4 u0 }6 g
Ÿ   CDMA/EVDO 相容& D  D; U& s: \2 ^
Ÿ   1.8 V 控制邏輯0 L; \! Y! w3 @- E; h1 V, f
Ÿ   領先業界的整合度
7 K+ r4 S) k  }3 B6 j  s1 hŸ   整合式 RF 耦合器
% b* n( {7 p# AŸ   內部電壓整合* P! r7 _2 c' ?; i: i6 z  n0 G; k
Ÿ   RF 連接埠上的整合式 DC 阻隔1 l3 }& r; Z1 i: B+ `
Ÿ   3 x 3 x 1 毫米封裝
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