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[問題求助] 請問在Layout如何數位與類比

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1#
發表於 2008-8-21 17:09:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下各位大大...
: O) }4 w9 p: ?) }4 U" Q+ C3 Q" J2 C$ |小弟想要學Layout! W9 f/ W/ o0 W
現在先從數位的畫法先學起,慢慢在學類比的畫法...7 D- ~, P) W( w+ C0 j

% \3 a0 ^: O) S0 @% W& I; o問題:3 y$ l; S7 h% A+ ?$ S  r
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
7 D9 U4 M" U3 T/ R! Z) w; J2.數位與類比畫法的差異?
7 z7 U' V9 M1 d# Q, h9 O3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
0 z' C% D# I. |! \: @4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??# ^/ e9 J& F3 `; s1 b
拜託各位大大嚕...謝謝你們
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16#
發表於 2009-6-11 00:51:57 | 只看該作者
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)+ k) t4 `0 }9 l! n
$ r: Z6 ]. X. w8 M
RD設計出來的電路是Digital,就是Dgital Layout4 {  d) Q7 k4 M" J+ G/ y
RD設計出來的電路是Analog,就是Analog Layout' l0 h* j) p. Q/ R
在Layout上沒有很明確的去區分6 X; b# I% A# y/ k! r
在製程上倒是會有所區別; q9 o# t; U( C- _4 J1 z
一般常用的製程有" b5 |' |8 {- g! T: T5 u5 t) N6 h
CMOS製程(有純Digital,有Mix Mode)4 O3 g7 X: _1 D1 j
Biolar製程,Bicmos製程,BCD製程....
: @, C; z$ Q9 R- i6 [1 U, f- b; r就看RD設計時所需要的元件,工作電壓...去選擇囉!!
' u  e. g- O; ~7 p6 w7 H& E
9 Y0 m+ G2 d+ U! [1 E2.數位與類比畫法的差異?* T. ^7 O9 a- ?3 s; p; o* x+ b

$ G- w7 B0 q! h" z. _4 O( _! i9 }8 @  dDesing Rule是固定的,很少會因Digital或Analog而變
# B* N& p* o: @/ {. @$ s; m0 E+ q$ [0 q要說Digital與Analog的畫法差異
& x0 q' ]& E5 _% s應該說是在Lay Analog要注意的地方會比在Lay Digital時要多7 M4 V8 o- S! V
通常Lay Digital只要符合Design Rule就可以8 L5 P8 [! K5 _& O" M
但Lay Analog時有些原件的擺放方式就要注意囉!!. i- @8 I' i4 a0 j

% A) ~, e; q0 P+ I5 C7 U3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?8 t, z2 m2 l7 x( q$ Z
8 l! X% ?( ^9 Z* c* O# L5 L
電容,電阻的產生,取決於你使用那種製程
! |, i, }4 _9 j8 E% |7 A/ z電容一般常用的有Mos Cap,Poly1-Poly2 Cap
( F8 T4 p4 A6 u5 L, l3 }電容值算法,一般FAB廠會告訴你每um平方有多少pF8 v' @/ d+ F+ n& }. {0 ]; P
每家FAB的Oxide厚度不同,所以電容值也不同1 |+ S6 r& N  |- t" T. n1 @% c& U
電阻一般常用的Well,P+,N+,Poly,Poly2都有
9 z7 E7 C3 _: v, E, D5 p阻值每家FAB也都不一樣
. @* e* L' l  V* U; v( ]- R. k- y8 x# C+ @
4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
# y$ T* ?% y4 Y0 f# p, z
( i, e+ @" w# a' w4 D) l- J! c% U+ N6 W多拆幾顆IC,看看別人怎麼Lay,以及為什麼要這樣Lay!
4 K, L: {; x4 R5 t' y& U4 {. i3 H應該能多少有些收獲吧!!
15#
發表於 2009-6-3 10:36:46 | 只看該作者
类比的尺寸比较大: Z9 C* S/ Z! V1 E
而数位一般是最小尺寸! {& `1 U8 e0 j/ d- D( {
这个方法比较简单可以分辨出2中的不同
+ p$ f9 U1 u1 k5 d( c, |$ Z% S8 U很多的东西都很难一言蔽之,要在联系中体会
14#
發表於 2009-5-4 21:08:05 | 只看該作者
在晶片佈局(Layout)考量方面,類比(analog)部分與數位(digital)部分所考慮的方向不同,所以對於在佈局時,方法也有所不同;數位電路最主要考慮的是面積的考量,故通常都先製作單位元件,將VDD與GND的高度固定,每個單位元件都以此高度來佈局,不用考慮noise及match之問題,其最大原因為數位電路的noise margin約為 ,所以雜訊免疫能力很高,而元件之間的對稱問題,也不用考慮,$ l7 T9 e& [5 o1 t# m1 g  B, q( Q: A3 @
5 k4 m# I' G3 b! v5 t+ B" b
但在類比電路佈局中,對於對稱MOS必須盡可能的match,使MOS可以同時受到雜訊的影響,讓雜訊變為共模訊號,則在OPA不會被放大,進而不影響訊號的正確性,如Amplifier中的input端。一般的方法是使用common centroid來達到目的,在MOS兩旁加dummy可以防止周邊元件對其他MOS的誤差所產生的影響。而在MOS的周圍加上一圈guard ring,可以盡量減少雜訊對於MOS的影響,以達到保護電路的效果。
" E) W4 ]9 \; c3 w; ~. l; s$ X5 R% i% D& y: D
在Layout電路的元件擺放位置,需要讓MOS與MOS之間的間距為minimize,且MOS之間的連線路徑盡可能成為最短路徑,使得線路上的寄生電容與寄生電阻盡量減小,則產生的效應對電路的影響可降至最低。' `5 K. j7 R" N# S7 j
Power lines的考量可以從多方面切入。例如在VDD與GND的連線路徑上,因為連線路徑必須承受電路整體的電流,使得我們必須加粗連線路徑,以提升路徑上可承受電流的程度,避免連線路徑因電流過大,導致大電流而燒斷連線,形成斷路。從另一方面考量,因為我們加粗Power lines,使得路徑上的寄生電容變大,當power line有雜訊時,可以透過此寄生電容達到減少雜訊對於電路的影響。
3 L, B% z* I6 ^& t
; M4 q7 e# d7 v; J5 R其實講了那麼多,還是要多多練習如何編排MOS元件的擺放方式。還有就是設計電路方面自己也要懂一些,才知道為什麼電路要這樣子設計,這麼一來對於電路的了解也會更為精確、也可以考慮到更多的效應。
13#
發表於 2009-5-1 14:38:09 | 只看該作者
類比layout考量較多元, 需累積很多經驗
+ m/ C5 y* _' W( M必須要更了解電路特性, 一般需要求designer提供layout gideline
8 r% Z/ c( v2 }1 U; {% r& [否則容易有問題
12#
發表於 2009-4-23 22:13:40 | 只看該作者
問題:  H; j  R' k( l) ?
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)  m+ r8 k1 B, ?/ i
應該是以電路圖為依據......我猜的(類比會有清楚的被動元件)
! q' ~; ^, u& E# c( }7 E7 X% U1 s2.數位與類比畫法的差異?# f- J' P$ C3 _( t: s
如上面有大大提過   加NRG或是PRG 這些都是類比 必要的3 Z7 T6 d! O: V% m' L5 m
數位求面積最小化! y/ M2 }; e+ V; F
類比講究對稱 匹配  電氣特性 為考量8 l0 i0 A3 ^- l" W' e: j
如有不對請指正
11#
發表於 2009-4-23 14:19:43 | 只看該作者
數位應該就是是傳送簡單的0 1 訊號6 }' \# |" v. G
在layout大概只要線跑的過就ok- D( k% O4 i' v1 ?) e
除非一些叫髒的clock訊號要特別注意0 T0 N# p5 f8 m8 W! G1 n

) o* ^3 W( f3 O% a類比訊號就會比較雜亂 (高頻 電流量 等等)+ V$ U! I$ m3 j. Y' M% @
所以在layout上要特別注意到跑線問題 couple 干擾 是否要加shielding等等問題 比較需要經驗累積
10#
發表於 2009-3-5 03:54:18 | 只看該作者
通常類比電路會加上guarding,數位電路就不會考慮了^^
9#
發表於 2008-10-1 11:04:43 | 只看該作者
abba排列不加dummy會比加還好
  z4 e2 s5 T/ c2 @
9 u0 z0 S8 }+ ^; H* R* E這句話應該有待商榷吧5 g8 t9 Z) @# C- w/ W5 y) P  `
如果挑剔一點, ab device尚未maching
1 Y4 W8 y2 Y; Y: B; X若dabbad, 會比較好點吧, ' {  y# \7 e! |) o' W8 ~5 R/ H

% s$ h( o* ?8 l0 x每家公司都不同, 討論討論囉
8#
發表於 2008-10-1 00:11:09 | 只看該作者
一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好
, x' J8 l5 F. B/ G3 E9 L6 P* x9 T7 v% y* B2 S
第一個問題
1 X7 j( v  n% z8 y( X想請問一下上述的原因
  z$ d! k$ J! J; Z第二問題1 ?2 L0 t# N0 c  ~- o& g! y# |: @1 M
因為剛學LAYOUT  幾乎都會加上dummy  是所有情況都加上dummy比較好,還是以abba排列不加dummy會比加還好% |0 ?0 l, g6 h! n' a+ D
$ V! X2 K7 Y! u$ q9 T7 {; O
請指教  謝謝
7#
發表於 2008-9-1 11:21:06 | 只看該作者
上面的大大說的很好: H# d/ a3 ]+ s# [
我覺得多做自然會有經驗累積
1 ^6 \$ a& R; x5 X會越來越有sense
6#
發表於 2008-8-31 01:36:53 | 只看該作者
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)   2.數位與類比畫法的差異?
9 x- r+ h- Q8 d( v數位和類比只是概念上的叫法.所謂數字就是只運算出結果0,1的電路再加上時序,構成控制和運算電路.而類比的輸出結果是和time,input-swing,phase,有直接的關係,輸出是綫性變化的.類比中也有數位的divider,pll中的pfd等都是數位的.只是在layout時我們對數位的比較不關心,可以放在一堆就好了,而類比的我們要把foudry生産的誤差考慮進去,比如說橫向縱向的梯度要考慮,要將誤差减小到最小就要匹配好divice,比如difference input的對管一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好$ O  `7 ^- \) M2 s  R  f

1 ^! u1 W: P. o# y* P3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?! C% M0 B7 W; r/ [
一般layout時,virtuoso可以直接用xl把device從pdk中調進來,如果你用laker的也是可以根據你電路的標值從pdk中掉進來.至于計算方式foundry針對每個工藝都有它的計算方式,電阻一般是r=rs*l/w (rs是方塊電阻),有時把端頭電阻也計算進去(如rhpoly沒有rpo的部分(tsmc叫rpo,smic叫sab),lvs文件也有寫怎麽計算.有時也把工藝的偏差都計算了,不過這個不用你關心,foundry已經幫妳考慮了.
" a4 f  u) N* _# p  U+ T6 o4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??5 }" i" s: Q- S6 m1 Y
多動手layout,多看design rule,多layout大模塊ll,ad/da,以及拼接總圖,esd環路layout,tapeout后查看問題等  e# o% F' I; G$ }
; o, S+ z  M4 K- I
希望對你有點幫助
5#
發表於 2008-8-29 16:23:04 | 只看該作者
1 比較模糊的說法,類比的mos尺寸比數位大,比較準確的說法
( i/ Z7 Z+ Q- R- F1 Y   要問rd.1 O+ u1 E3 s8 j2 i) L
2 數位比較自由,mos要折就折要跨就跨,除非rd特別交待,不然
/ X; w# u% S! f9 I' a* R3 C8 i' n4 U   就是越小越密越好,類比的話,比較龜毛,接線一定要metal,跨線
/ X0 n' R! g6 ?" C   也要講究,其實就是designer依據電路去主導layout; ?( c# \+ H1 R) \0 L6 T- f- L# S3 C
3 每種製程都會給你一些參數,去計算,通常是多少面積有多少值
' X% k, C* i9 @( V& Y! x   我知道電阻有一個公式是這樣,R=(參數)*L/W(是從R=q*L/A延
$ Z6 P3 S" C6 O( u# ~; { 伸q是介質係數).( b0 X! T7 F3 |$ _. W
4多看多問多畫,其實也沒啥難.
4#
發表於 2008-8-25 14:56:53 | 只看該作者
別那麼客氣啦!* @$ C, E& f# P% I

% t' z% m. e; a- s0 t+ y我現在也是學生) {4 r* v/ a) I! u3 e/ j
7 X8 P5 z3 D( B& A" Y
或許只是比你早一些時間學到而已
3 t# s5 u, m6 D+ @
2 `( f$ ]( ?. g& [  j" y+ [* g有問題都可以在一起討論
3#
 樓主| 發表於 2008-8-24 16:57:44 | 只看該作者

認同...

嗯嗯~我認同這位大大ㄉ說法
4 |& Z5 }2 h5 |製成觀念也是很重要滴...
, y, p: e3 n) H9 V7 n課本上的截面圖...
" m9 o9 d) Y2 m. [經過學校上課...小弟有點概念了~
" t$ M7 \. W/ T; h( o謝謝你~
2#
發表於 2008-8-22 17:15:52 | 只看該作者
電阻電容的layout方法
3 T6 s- t* e& l4 z3 n3 n9 F. m3 T+ v% @, k# J8 D) ], Z$ C
在論壇應該可以找的到3 r+ P/ Z5 q  i( ?9 O) y
http://www.chip123.com/phpBB/vie ... ighlight=%B9q%AA%FD
8 h2 b( n  W8 L# W5 ~) n+ X, \+ @- g, ]( D5 L6 R
我覺得要學好layout 對於製程要也一些觀念
6 I- w! A  i" \; ~) o& V8 K+ x  e* d1 R% ^/ I# a, J
這樣子才知道自己在lay什麼
7 [5 I- H3 j) m5 }6 j0 \1 p
6 [% `% t# H  a1 C/ ]! o  e在製程上會有什麼影響,可以嘗試把一些簡單的layout$ o0 {+ a  D" q' @! l0 s# r5 B

! e0 [+ {5 r8 j1 b4 W* b: D隨便劃一段,將他的橫截面畫出來
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