加上就整體產業鏈亦存在從材料、設計,乃至生產程序都尚未訂出共通標準,而晶圓代工業者與封裝測試業者亦無法於製程上成功銜接與匯整,都將是造成延誤TSV 3D IC技術發展與市場快速起飛重要原因。 % S' N# Y' F' m' F: q" S" T' i: y: o, K. ?4 [
綜合各主要晶片製造商技術藍圖規畫,2011年TSV 3D IC是以同質整合的高容量DRAM產品為主,至2014年,除將以多顆DRAM堆疊外,尚會整合一顆中央處理器或應用處理器的異質整合產品。柴煥欣也預估,要至2016年,才有機會達到將DRAM、RF、NAND Flash、CPU等各種不同的半導體元件以TSV 3D IC技術整合於同1顆IC之中異質整合水準。: S' p- k% x. w; e. a4 i) w. d7 E/ o