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PS:补充以下内容,以便防止有混淆的概念 J' d3 R+ z, _ S7 d9 r, z
8 s7 v; I+ F# ~1,决定POWER MOS性能的因素很多而不仅仅是RDS/ |0 R; b. U( P F# L- j
2,TOP Metal 的 power line plan基本不会影响到RDS(不考虑METAL RES情况),而是指较合理的power line plan会省出额外的空间来增加W/L,从而降低整体MOS RDS4 I+ Z$ k+ u1 \0 l9 u9 u2 n
3,S/D合并不能降低RDS,相反就合并的管子本身来说,反而会增大RDS(S/D 与金属接触面积减小),这一点在差分管匹配的时候影响尤其巨大。这样的优势是,降低S/D面积,也就降低了D端电容,同时也省出额外空间,可用于增大W/L,从而降低Ron。6 J0 h6 b/ Y- x& g, k3 C
4,另外,出于ESD的考虑,有时候我们需要增大D端电阻,因为反偏结受冲击损坏几率较高,大的RD用于缓冲能量.所以这样的POWER MOS D 端更类似于ESD管,接触孔较 POLY远,RD增大,但是通常这种影响相对与沟道电阻而言,是为不足道的。- X! {" Z5 Y. s9 k* e
5,Hastings的那本版图艺术非常不错,但是他的策略更适合于老工艺,可以参考他的思路,结合我们的设计,自己创新出合理,可靠,紧凑布局,也可以参考下其他大厂的做法,一定会有收获。 o, y% @1 P6 B' z! c- l0 S, H: ^
. m; q$ _4 W3 n3 y祝好运,如有误请提醒更正。:); D2 `5 v8 Z9 H0 W7 q, s
# m5 K- i( [* G$ X[ 本帖最後由 CHIP321 於 2009-11-2 10:49 PM 編輯 ] |
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