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[問題求助] 带隙基准PNP面积大小如何选取?

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1#
發表於 2008-10-20 09:14:00 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在CMOS制程中,縱向PNP管的面积有10*10,5*5,2*2的,我们在做设计时该如何选取呢?
6 v- p% c3 W5 J& R4 L+ L% V& [  t' j% X3 w2 a$ h+ L% u( r3 [) o
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:, |; p: B9 m% x. F- I
bandgap無法將壓差降低  
) r1 u, d" P" L* i5 l0 Y; G! f% wBand-gap BJT 如果 layout 不 match
+ _) b2 }8 Z+ j! i# p1 U' k/ _bandgap電路的loop gain模擬 , _# |& x5 @7 U
bandgap设计 仿真中的温度曲线问题!!
7 n1 @& e& [- ^# {8 O9 r* v. `+ mbandgap如何提高精度
8 f$ o( q6 E3 t  G4 jbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
( ]6 m7 Y2 s7 Y# q# W9 uBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
9 w# C- i4 A; Q6 I% e5 U& K& i0 R; x$ ^) Q

7 b) n: h( V. d* {1 D* b7 B! I) `, ?8 F. A* c$ z9 `# Q/ W
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]
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2#
發表於 2008-10-21 11:13:37 | 只看該作者
在CMOS製程中的Bipolar Transistor中1 ?1 X, W( x3 p& D
10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!
  U9 m8 e, O5 t8 D7 m2 m' |' h( i面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~: f) Q+ g, W8 m4 e' l( L6 p. |
Vbe=nVt*ln(Ic/Is)
( k) x/ `. _, Z  D% W- ]Emitter面積越大~~Is就越大~~
# t2 X9 K% t2 K7 L8 ]8 B相對的~~VBE就會下降~~
- e' j. d8 o, [+ t1 w! p+ b但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,
/ s( C# l- e) y- J% o9 |' G+ R1 }都在0.63V~0.72V間~~
3 [2 `. `2 U9 _8 c因此就看你自己的需求了~~
. r' l( i; [6 F; A* k" F0 }+ C4 O+ w4 d" E2 n
如果有錯..還請其他大大賜教^^"
3#
發表於 2008-10-21 13:12:43 | 只看該作者
建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小
4#
 樓主| 發表於 2008-10-22 10:32:13 | 只看該作者
Oo海闊天空oO,monkeybad,謝謝二位的作答。' j3 ]7 p% K; l3 w2 y, g# h
/ X8 l, @; q0 `# p8 p  U9 q6 p
還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好,是什么原因?三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2,但beta又是2*2>5*5>10*10,這種選取是基于這樣的折中考慮嗎?
- {) ]& ]% X' G/ {% j* d4 J  t7 P7 Z" C
如monkeybad所說,我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。
5#
發表於 2008-10-22 16:02:48 | 只看該作者
no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it  just be used as a diode.
8 b! w* z' c! ?# D$ Q2 i4 A/ t& Sbut analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.
6#
發表於 2022-10-8 16:06:03 | 只看該作者
比較新的製程有提供mismatching model後
% l0 ~/ A1 p& [! CBJT mismatching沒有想像中的大
7 h; W6 Z  l" H8 V: I也許2x2已足夠
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