Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
123
返回列表 發新帖
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154/ Z; N0 \+ u1 e9 i
A gain of 1000 is expected.
7 x* R0 F. l, |; r3 r=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: : P: V$ u- p6 c4 c3 P
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
4 X1 X" z, W6 i
7 ]' e8 c$ [0 c, D+ {6 w0 a補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
, B- D: I' o2 X5 S7 J6 n; pSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro10 D8 j$ f7 S; t0 }3 p! ?) B. O

) r1 V' M3 v, r' g( E2 e* p- u補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):/ @8 \; y8 N, Z; A, T/ n$ a/ q
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
+ h; R4 {$ `8 XInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
, E: }2 G5 c7 }/ `Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
( A" J6 W3 W# ?: F* r8 {Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
4 \( B" {+ X" m- p  n( u9 o  FOutput series: Current sampling輸出電阻變大0 @) z  t' Q; [9 k4 f  U
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07317 x- C) @/ _- [3 ^
需要4各bias 點~
% @& J& H$ {/ p: ^( N3 Q! G
1 U& M& k& Z  @+ uside 07326 k$ T  P1 v* j- T
只需要3各bias 點~
3 ]+ {9 [& d6 V; i# @; AM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097( I0 i6 a1 S) t- _$ {; E+ h: C
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
6 s2 \3 i6 J% V! vdepending on the phase margin required." a7 U! J% p# D6 g
=> 更正
) f' Z  W8 d' jIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
3 Q6 t4 O! ~! Gdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
5 `: k) O+ w/ y/ D; n回復 32# tuza2000

: `. |/ Y  W& O. N1 e; P4 g: e上面說明有誤~( Y  d+ u6 F9 T) D
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
0 t# Z% y5 e% l
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
. I! W# n) }& e& C& ~9 f% hCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
, A+ [* T0 y7 A: c9 p5 s所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)+ M; ^" ]& D( U
Ref: silde2219 3 s) l: d; `& }5 A; T' j7 |' d* Z
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
* N  E$ E' e. p" C; ~5 H3 NNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444( X1 i& E4 v" k/ ]$ k0 n1 j% `. {
Noise of a current mirror with series R:
  c1 _* Z8 q0 _! D- h$ c% S. t1 Z前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
6 n" O* M6 ]7 F( e1 M) m還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
8 s2 c; d* l) X  q8 N; c7 ~8 f謝謝~~幫忙回附一下
$ R# p2 J9 [; o, s' z. u- Z( @
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513; G2 |" }  H, h- ?( `4 M" g
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
+ b' [) ~& M5 B1 c+ E1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
' w, V. O/ E! @8 t& ~1 X( l/ i2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。1 O; w: b* y4 C/ L* O' o1 z
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05133 T  l/ a$ E# x' P
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
) z- |! o' C: }: y" Y6 a1 W1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 B# d3 s4 w3 U1 |2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
- c6 Z# F6 G0 [+ _3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
( ]4 ~# m# K0 x6 pVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
3 m7 r8 W; L/ m/ P5 f! S4 ~; \$ e2 K3 \8 X
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
( ?3 a2 Y7 O2 a, G5 x- C5 ]3 i; y用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻0 J6 E- F: w6 O7 Q4 ?9 i- P
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)! O3 k+ |8 I. X! L. g- H% ^
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222- V" F& k- z8 k6 l2 L- U! V3 O
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)2 c" f) R5 l) ?* x. j

+ W) Q) V* z* n8 z1 q=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2+ O( W2 r1 {. ?
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
! n- ]7 {4 `8 v) a! N9 K所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, S5 A+ m& ?  o  Y/ d/ W% C
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
6 a: L- r/ q0 N4 `6 IVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  q6 q# R; q, Y0 h: z& a, s  b9 v0 {
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2* U, R, f+ {8 h( o1 @& n) u
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) s! |+ J4 ?! U. l0 ^所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)+ g& ]: g, k$ m9 u, d
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
4 f( y! d6 u0 ]Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 t& q6 F  W. L1 q+ T% m# S) ?2 T  w( o, U$ u
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2& A, ^- h1 s- u" @" g
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
+ W, c  W5 B# f: A$ k4 s所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)2 `/ a3 K5 B9 B) W2 m& V( |  |
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
  Z" J9 Q( O8 @! Y+ w# g  g
  h; ^! O0 c/ ygmmax 應該是C1WC1/2C3+ V( u' J& U/ E+ r. S& R5 }
& ^% Q) q4 r/ I" B
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
4 J% [8 C9 G0 z+ w, f0 Tslide 2222
3 `6 {0 `1 t% Z. TVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

' D0 H0 m3 l( zgmA~ 4RsCL^2Ws^2' J6 O# S$ I" ^6 o: |5 a* Q, l
and 4WsCL^2/QCS: n0 v5 N; q+ @7 F; u

  Z; o  i' x9 W# i( A) `$ [1 L1 L5 b
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
- ]6 O, V' L5 ^. w2 J  \) A8 i
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)3 E- Q- Y8 G9 E* {# x4 l+ u  A
5 e4 M# F; B; d, L$ S
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-19 07:32 PM , Processed in 0.119516 second(s), 15 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表