Sansen讀書會...

賴永諭

剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...
/ b4 L, J# f& j5 H8 `  CSlide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
6 G' F9 z6 N$ @4 ySlide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
1 S- L4 }9 V; L 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀

賴永諭

RIP

, x3 N& }' B2 gIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
% F- x* A  X* ]% B( l( m$ B
! `# |: P2 h! I& y3 C, Nhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
( q- |: l, w: F) p* n/ X& {slide 2222
4 R5 J, g- a' w& E$ SVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
- O5 O4 D" |$ ^+ Dand 4WsCL^2/QCS
( n9 m0 r- Q/ A6 c" W
  W8 _! D' j8 x( e" m6 ]
% u6 O7 n3 H# K1 n& W- X1 k2 Y

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
1 [  r+ P( x3 ^( l6 s
# i( k/ X" c  p3 qgmmax 應該是C1WC1/2C3
' S0 M4 g' M# `" e+ Y
/ z7 s, g, ?, g4 {=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 W/ t" {% w7 }" }
8 M- A% y* C- J" U=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
& S2 S% {+ e( g用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
& j  n1 q$ Z! M! |1 c. i3 m所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
2 C5 B- ]9 z# U$ B& \( O" d所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 ?# r2 D3 B* z) m1 g1 |. o& @

賴永諭

slide 2222
& i; c! b% k$ CVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
* M4 h2 S: b4 B" `0 M) j
4 _! L9 K" G- _1 P=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
8 E: ~  e$ {2 A所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
. e. ~; {) T  W) T: r/ M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 0513
; D7 f' c6 K; ^# }+ x4 [分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
  u  \' [) d" ^' M0 r7 N- f3 e7 b1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
+ m4 K' J  K; D( w+ V2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
; d% f, D! {4 {' a0 ~  F& Y, ?3 ?, `分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1 y& ]  U/ I* U& q6 \& Q6 h1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0444
7 s$ {5 a/ M' S9 M$ iNoise of a current mirror with series R:
! H4 C/ W8 F* B# k: ]前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
2 ]' E8 P5 N# a; T/ z" v1 [; u謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

Slide 025
Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
3 C2 d4 o! o0 F2 D9 HStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
7 m, \% u$ g' @: P2 NCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
$ q& E! i' {* h( ?所以Rm增加beta

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
0 N/ B. E1 T+ f6 r( h回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
$ a! ]7 [% S$ q( l  @  ]實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

slide 097
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
8 b0 O9 ?3 x; |$ m0 ydepending on the phase margin required.
=> 更正
" z( c2 n0 T; c* N- p1 R% LIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 F: b7 l1 h* q7 c; o3 f0 a( m. idepending on the phase margin required.

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~

9 ~1 o' }# B, @& D! \9 jside 0732
只需要3各bias 點~
6 E# O: V$ p4 z$ D0 T4 X! LM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
* Z" L' h" O' d! E" l4 @Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
7 z/ u2 t1 u# k1 F1 i( ]9 uOutput series: Current sampling輸出電阻變大
, p& @2 x5 M# a  R

賴永諭

Slide1524:
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
9 U3 m' z* B7 |) L
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
/ v! t6 X- j( K# T% l  I
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.