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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
# R6 _1 M  F7 x/ s. ~A gain of 1000 is expected.
. _, T4 ]9 w' `=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
8 ]& M$ H6 k9 x: l6 y! S7 FSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
  v% o9 u9 A6 \- V. n+ C8 @: p. Z: I" h8 }4 v6 C2 ^$ k+ n) `, h
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
3 W0 U0 \3 v5 F9 [8 o+ t' ?Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
4 q6 U" L$ f( E% @) _( s1 [
9 ], r8 o2 e, u# D& h補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):0 x1 f( N4 ^% ^5 b4 b# _
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
, A5 K2 Z5 U+ z. B, QInput shunt: Current mixing輸入電阻變小( k% W5 H2 Q3 _( P: f( @4 [
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
& V, _5 S* V& gOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
7 j1 |/ q6 g; W3 W; A& |0 q4 l* aOutput series: Current sampling輸出電阻變大
$ ?8 E% p) e3 a
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731- ]& o' G! V! W, L! {
需要4各bias 點~
- ^3 s' G1 c) f" x( |' {( d8 n% A1 _. V7 Z: c, x+ \
side 0732" [7 v5 k# {/ ]% O' L1 @
只需要3各bias 點~
' s8 E0 k) l4 \' ]! `. B6 wM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
% ~) i: K# N" Z9 P& ^It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
9 S0 t% g, j8 B* P  E$ Fdepending on the phase margin required.4 W$ t; _( Z- g
=> 更正) e7 E6 @5 a1 x7 Y
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
7 ~( f9 _# B+ b5 i0 G$ r$ mdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM8 H2 \& l- U! Y' v
回復 32# tuza2000
  P( w; x# O3 K# L# K# \
上面說明有誤~2 ]1 [" T5 a& V  S; Y
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
# `. V0 A0 e( h' X( u- z
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
( B' d8 x3 @' f0 I0 \/ rCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻8 b+ `; v; v1 I. x) f* |6 o
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
' E/ D5 ]; z( w$ Y4 ~) oRef: silde2219
  r/ F) e- `6 G9 s( m( ^! z# |Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
5 R+ f: u8 s& D7 oNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
, ]; ~" g0 D) ~( O% kNoise of a current mirror with series R:% H5 \0 d. {3 n# D8 M6 n; j6 L( X9 H
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
5 H2 B: _) r3 q. n$ R還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~' O) A. x% V$ J* U
謝謝~~幫忙回附一下) B* M5 F1 w5 B% S
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
  Y2 B  Z: C5 W7 X' J( Z分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下7 X- I4 F( L( s2 j7 a/ E
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
1 |, v1 E0 |0 P7 L2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。& |! k: w2 N, P& K5 e6 \5 r
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 05139 E1 A, e+ {6 @' H6 e) X% K; d/ w
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
2 n9 u/ v3 U8 w) Q+ J- C$ |1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。! ]# E! a" C  @* q( [. ]
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。+ ^4 i% @2 G5 ?2 b
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
& l. t* z; O: ?6 IVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
1 D% w" V6 Y9 q. i0 P" y' [- }4 i/ W# t$ p
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
2 S* M0 a1 V1 H4 W& A" x用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* U4 Y1 U' b' h( M( |: H5 W3 n" J5 K所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& I6 L: G/ Y$ C) T$ p
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
# n5 x8 w9 ^' o' |7 ~- o. dVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
9 L9 m0 n7 b# G4 F
, q/ ^6 b8 E1 F  ^=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 i4 q) \% b1 ~0 c# Q3 D$ e
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻, A( @( \3 E( f
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)# |$ _- b0 X* K( f4 j! q
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222& l9 q" W3 i6 _7 _+ D
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! H2 E4 b, G: V) e, ?# q  x
: O  R. d3 _7 {9 [8 ]) w=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  H4 |1 P; d7 }7 u0 M用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
' ]5 C& g, S- k. t* E所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
! k) A) V" D& R8 t! s4 s
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222, \2 a+ e5 f6 X: l! H0 `1 W) S  ~
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 O0 t$ o- }' K# \1 C/ T+ X/ T: [& b% W. ^& C9 \6 t1 S; J3 p
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 B( W- M& n0 ?# I( P
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻" R1 v/ [/ r! ?6 p  Z
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ e1 w# A9 z! D6 O' u0 c7 U
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA0 v1 s, Z, V5 K8 M
# u  }8 R! V& S5 o' F9 F
gmmax 應該是C1WC1/2C3
' U- a# n4 |/ k2 I. s" c, f8 F' _+ T& l: W3 r$ t
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
1 {" y% ^" N' K; kslide 2222
# s' D) [/ E* r, T: ZVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

% i- H, V, s+ ~; D3 ?: egmA~ 4RsCL^2Ws^2
* ?4 d7 k" F. Q: e  G( |0 }! v# B1 wand 4WsCL^2/QCS6 L1 z/ p/ L' ^4 T  }
5 ?1 i, Z6 H! u3 n$ N$ B  w

7 Z0 I! x$ k. p* q. @, {  Y6 O
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
, ]9 D7 u9 L" ]: V6 Q; G- L
* o3 @& b) G" b) |4 zIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
9 E5 Q: D6 A7 W. s+ k3 }3 L3 \7 G0 T1 @6 K8 \
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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