Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
0 Y, P8 G0 U1 T* XA gain of 1000 is expected.
2 Q+ b% U6 X( _# _9 ^0 V=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
2 C5 j2 z' _' [  g1 qSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
2 z8 p+ h7 F8 q9 a
1 ?3 `3 b# V* T- y7 @補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
* a4 P  ?0 d3 O0 m  ~5 Q1 XSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
8 D0 d' I! P4 b  }3 t, U( P
+ q% [& `* r  x3 K- V. }$ R7 p補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
4 z3 o7 L- R: ?8 U7 YInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
7 x: T- ?6 H- s8 y( N0 G

賴永諭

slide 0731
! F& L" F- E( v. k8 ]; ]6 D需要4各bias 點~
; q6 s/ S' P8 o8 r, P; m9 T/ v
side 0732
4 ^( A( y* @; `只需要3各bias 點~
/ ]1 }! r" }; U) }' \6 R2 OM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 x% C6 l( I1 ]# |9 s) t0 adepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

/ R0 t+ W0 V' \$ a9 Z上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
( c, t: \/ b! s& @4 g' y

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
  T  h) n9 M# Y$ T1 y8 K所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
, J3 g- C* N2 a5 t2 `Noise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
8 k( N, b; ^$ E* ^: |0 o, aNoise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
/ f! u; ]- r$ d8 Q7 \2 a7 G還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
* w& g* E$ K0 }. B, D" F4 }謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
' x. M, b: ^' k! F1 Y4 r3 h分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
0 d8 j4 l3 ^. Y& o  Y/ [. O1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
$ X) z" L5 {  Z  Y2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
* L0 m2 H0 v- ^1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
% \; m$ Q- Z+ s, I1 @* Z8 r6 j( N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
* R( ~! p8 S; q2 g- i1 r

賴永諭

slide 2222
4 s" ?4 c  G; O2 y) XVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ D- d7 X* t6 ~
  N6 h5 z- s4 ]=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
: ]/ C9 q0 {4 x- R. ]' L, e& `用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) j' F4 ?$ J7 l; t" n6 f& Y9 V所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
/ s: T# i  e; E$ G: x! g  K

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

# _# K- u/ t. D* c' J7 {=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* O$ D9 g- y% @" [5 y/ e" U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
1 v* |2 s) U. W0 b" S( kVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
( o( G& X, ?& A5 b用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
5 G" i5 b8 y2 [所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

4 t5 h; t3 g! Z; j" `# mgmmax 應該是C1WC1/2C3

# Q* F* `4 J* g3 {=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
- E: s) s5 [7 q6 h( Lslide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

. I7 }6 {4 V  ugmA~ 4RsCL^2Ws^2
: ?- E' g- I5 J& sand 4WsCL^2/QCS

賴永諭

RIP

+ U7 v! U6 K+ Q8 CIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
+ Y" r0 u. r8 A) [
: @, C0 d, ?- u* v+ jhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html