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[問題求助] Sansen讀書會...

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1#
發表於 2008-11-10 15:11:55 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...2 ~( Z5 x! \& c
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S) 1 j, l$ R( n+ ~$ p; y$ B1 c
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
- Y  T: e+ `# P6 {' C8 Y 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
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59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
4 B8 u6 \0 ?; D3 m7 \( c8 b6 i0 `) r! H. I* c  b: k" M0 `4 b
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
4 Z/ g- A& U& Q+ h1 v+ D7 m% M$ j- ~* [$ {4 }$ J" X0 w3 Z4 U  W; D
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM3 {% J) x6 Z! g( X1 _
slide 2222
  u" Y0 _, r1 h, U7 sVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# I9 Y5 b' x+ d$ B' u5 M" o
gmA~ 4RsCL^2Ws^2$ e- w, N( d( I! S% ]
and 4WsCL^2/QCS& f2 V' i, x9 t% f7 G
4 c5 G3 e4 J" |4 G0 ~; d' N( r, I

/ m3 U4 l* X+ P( ?: M4 T: P
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
, s! a+ s4 z, e& _% Q1 v2 y
: r" h. a% U+ J9 F1 A1 w+ S3 G  l1 Z* rgmmax 應該是C1WC1/2C3/ F- F8 n* e; h8 d

* K* l" }+ `% e( K/ t=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
+ K  ~' x. o+ t- ^8 OVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# c! \7 S: `' u$ V" u7 d1 z6 [# U' k* e, {6 K
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; W% Q6 I6 `' p9 c" m/ w用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻4 t- J: ?- ]0 V
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
  }+ c& T2 d- {/ B9 S# K
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22229 b, f  ^2 ~( C9 X- E  Y
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ D0 y( V! _# t! u/ D" G
  y6 c9 Y+ |2 n6 n" z=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
7 Y" l) x5 V; `用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
: P, N: l- F% L9 T( o5 G  f+ m& L所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 i7 ?* x' M6 u8 U# T. B. ]
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
/ R0 l3 i" r3 |) p: x* O& zVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)8 i& u3 Z1 l* k& n0 X% u0 e7 d
  h$ U6 o+ Y" `1 V4 h/ a
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
5 z6 O3 D' B, I+ w; i用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
2 }( z9 @' f& y& |+ i5 b. U所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)7 H# u% d1 c6 G3 R
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222
' r4 o! M; b7 u1 ?Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)/ Z& D" E8 `$ z8 n) V7 M
, u$ b3 i6 H" ^3 C( {" ^# k
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 w" x) G: D7 A6 [& L  i$ t用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) U0 S1 o( s1 M+ p+ w" Y$ o所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)' c/ W7 \2 w5 @/ s
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
7 y  ?" D5 n3 a) y2 Y分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
8 c0 V) s3 v7 ]1 t1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。; }% O: G5 \7 s: x
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
% K8 @1 f7 K  E  f3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513
* g- H# @6 M* ]9 q1 q9 Z分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! M8 N0 v% {/ h7 |1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
- D  N' P  _+ t4 u2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。0 @! }! @9 l5 a  ^* a) U' r/ `, V
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
7 ~, J5 P8 I$ j  m+ UNoise of a current mirror with series R:
4 k% l; k6 K0 o* Q! n前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
0 h9 s* J0 N/ ~* [* H還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
# p# O4 d  F6 D$ M% B! g謝謝~~幫忙回附一下; Q: G2 L& |" {; _' s, a, c
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 0254 h. n0 K+ |! Z9 H% ?* q, h
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)3 z' Q2 c! \% ]$ r' k( h. k9 h9 o
Ref: silde2219 . t1 d) H* x/ ]- C" ~; y# `
Start-up of oscillation 可知
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
- C- y, i# j) t3 I, GCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
/ w. w5 l4 X0 P8 J: t- Y所以Rm增加beta
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
$ B2 A) ^6 m% I3 Z- |& V回復 32# tuza2000
' ?$ t# \4 B' H4 R/ I' Y
上面說明有誤~
' E# o0 l: |9 b5 f7 p( j實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接% N) ?1 [* _7 _' K$ C  b
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097' T- x' n5 B: L4 o% O: {
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW+ ?; n% K! e" l" r5 K! i: ]1 U
depending on the phase margin required.
( e5 v" t( I/ \$ |, G=> 更正
7 T* b# ]3 `* f% D; E% o( C) D, TIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW; O# G  L/ ?7 W2 D) R7 o
depending on the phase margin required.
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07310 W# `4 D& l9 p2 q! V
需要4各bias 點~
' N/ `' n9 O' R/ m+ j( h7 |: h& a0 h5 H, _0 F
side 0732/ p  J. p! o& g2 e7 A
只需要3各bias 點~, v6 T% p( j, J: G- B
M2 D 端的極點比slide更遠
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:+ K/ E: k& O0 O
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小7 `! e2 T- R8 a; k8 n
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大# b) O: i. J3 n) y# o7 R, y. |
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
% S5 z+ G; A3 F* A; e( m( K6 q6 ROutput series: Current sampling輸出電阻變大
1 d4 O$ G3 @/ W3 t6 h2 X
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
9 C; _- Z. T5 @# dSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- F" \# }* H1 l% s4 m# {3 L) P/ M' V! k1 v9 S- `4 U  V
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):. x; M3 W5 _1 E) z- o/ H
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1+ ~( j$ N3 A# b& [& |+ W
$ \  S! r6 D  }0 f) g; X! K( U9 e, N
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
, S- u6 z& q; E' m) d& dSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
4 r( K& l1 j( P) _9 n& M% M1 z- pA gain of 1000 is expected.
: t0 r2 g% X6 ~9 i* k- o=>應該是 A gain of 100 is expected.
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