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樓主: 賴永諭

[問題求助] Sansen讀書會...

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 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 顯示全部樓層
slide 154
$ ]# ?: J7 F0 }; j3 q  q; x3 FA gain of 1000 is expected.2 v, G$ J0 e* t" e+ ^: ]0 c* ]
=>應該是 A gain of 100 is expected.
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 顯示全部樓層
Slide1524:
  x$ V$ C2 Y: HSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
' x( r5 j; ^* q0 @- s5 t4 p, G$ y2 m1 H; `1 D. s8 V
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):; N5 \/ _/ }* ^# ?
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
7 g* Q  P' a: w) q  T/ p! P% u. x2 Z1 P* f5 l" `) s5 g5 Q
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
+ A5 R; _7 P  W5 ?8 nSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 顯示全部樓層
Slide 1312:
- X/ f+ r1 t3 Z/ l: QInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
( D$ m. @- q, P& _Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
) i) d3 Z4 `  o" e1 y- }: ^& f# VOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小, }8 q) S" P  s+ B1 {7 o
Output series: Current sampling輸出電阻變大, Q* M% r- K4 W
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 顯示全部樓層
slide 0731
  r" Q0 |0 e/ L; S需要4各bias 點~, F* ?5 Q# M' j5 {4 v- w( p% f
) N' M8 }7 L: a- f/ v
side 07327 C9 o* D# f& q$ g5 V+ ~
只需要3各bias 點~8 a% S8 }8 ^3 o; G1 ?! E# U
M2 D 端的極點比slide更遠
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 顯示全部樓層
slide 097# @+ {( F" G8 y' D+ k
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 M: y" m  E; q) [" Zdepending on the phase margin required.8 D4 B( b/ ]1 ~# o# O
=> 更正4 n8 }* N. T4 T: J" z
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
% m  L  e; b! r! J' H9 X* c% _# idepending on the phase margin required.
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM) o! {. u! \. D) E% m
回復 32# tuza2000
1 i+ f! w% T1 F4 a& G' g" p
上面說明有誤~
2 a, ?9 q9 Q8 [7 _# [  [4 B2 j實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接3 F7 b5 x! V+ a
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 顯示全部樓層
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
. \& p4 _0 n' [' p5 l' kCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻5 H5 c0 C3 N8 Z. }1 _) u8 G
所以Rm增加beta
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 顯示全部樓層
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
& T' p& o) j9 @' I' tRef: silde2219
2 Q, d- m0 y8 yStart-up of oscillation 可知
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 顯示全部樓層
Slide 025# u8 j: v+ x8 V& O
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 顯示全部樓層
slide 0444! Y( H$ u: m0 j. }# C9 I, d
Noise of a current mirror with series R:( p4 C* Z, e3 C6 Z3 s4 e
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!6 _( e& w: R/ w4 k! @  E9 m
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
" _1 Z7 z8 Q2 N; h5 ?6 v謝謝~~幫忙回附一下
/ U0 C" \# r% u, g
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 顯示全部樓層
slide 0513
( w8 ^1 \$ c7 u, p分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
6 \" S: H$ J) T# @1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。# D. _2 U8 Z" C! O  Z) v
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。3 `# C& k  |2 H; ~+ O6 ^
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 顯示全部樓層
slide 0513
" V) _0 E/ I+ r: r$ q4 k分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下; ^& }0 e6 k4 _  [' W9 n# u
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
) r- U% y$ w4 g" o2 j5 `2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
8 {+ r1 w( X- c& M# w: f3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 顯示全部樓層
slide 2222$ r* p4 i3 _& S2 S# i6 _
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
7 T  r. \. ^  E; I' x# B
, o, j3 c( {% }8 m. p. [=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2: U* ^7 x$ T! P
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻' N7 s! C$ k9 w) |
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)7 d# J, M% T; [$ D$ X* [4 d
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 顯示全部樓層
slide 2222
% I. S7 ~5 n. yVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)5 F& h1 f: e& [% I7 {) |
$ q( U) v9 P" f& \7 Q
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
1 u% W( _3 T! h) Q) Z: Z用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻8 }+ A; a8 F. w" {& K4 A
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)1 _1 K* O6 K  B( n& W$ @
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 顯示全部樓層
slide 2222! p# t( ?- i; g0 s* A
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2). s  D/ b& u$ R; V; H7 i

% L( u6 \+ K5 S) O$ s=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
! |; a5 j5 U' L/ l$ H! d用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻& |6 d" I3 Y1 w- k2 [
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)3 K  ~5 }# l! ?) Z  N
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 顯示全部樓層
slide 2222
2 I: N6 r( j+ o; X: D$ p" ?5 AVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
8 Q5 g3 f) x1 j1 L8 P- ~6 V* V9 e3 j; M
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
: v" b5 ?" l5 a1 _, q6 A用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% ^, M, i2 S* d
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)& S9 Z7 v! {) F& k1 T( R
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 顯示全部樓層
slide 2264 Calculation of gmA7 i) t% n4 s5 M3 H" w, e

* E7 h2 c; i/ X7 z7 ogmmax 應該是C1WC1/2C3
5 F3 ?) J* ~" \% ^; V; X7 G4 Q& n  C# {, z! D* ?
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
& w2 r; z. z9 a. ~# W; `slide 2222* V' _! `! D0 o; w! k; h8 i  S  P
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

& {0 a. H% i) o: N5 U, TgmA~ 4RsCL^2Ws^2' S. K) E5 J* l, d4 h
and 4WsCL^2/QCS9 N" P5 _! b& L" ]* y* y; a+ Q
6 c* J+ I9 b! R4 }; U

* e' a* q; M1 J; T* \) K
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