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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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21#
 樓主| 發表於 2012-9-11 11:46:52 | 顯示全部樓層
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to
, L/ V. H4 `2 X: b0 h1 _gmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
22#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 顯示全部樓層
slide 154
4 ~) m6 p) `( {4 X# H9 MA gain of 1000 is expected.
; i2 T$ a" s: r=>應該是 A gain of 100 is expected.
23#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 顯示全部樓層
Slide1524:
: ~' S  }- G( L, H/ lSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
2 j. g8 g3 M  H  n+ ~5 Q# W- T1 `3 c+ t3 z- n; a( N
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
' K& K) r/ x; X* C3 J6 W$ {Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro13 E, t1 R' T1 Y6 e! B
2 L9 P8 U% u8 j; S2 V" C
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
2 e1 s2 {0 A/ r2 p6 @2 qSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
24#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 顯示全部樓層
Slide 1312:% g: w8 @  u- E! V
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
& V% G: v- e# h+ _Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
& Q, |) c3 q5 e, |" }, p3 m% r5 rOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小" n9 ?* \  G' Z1 O5 Y; I: N
Output series: Current sampling輸出電阻變大
( \0 J' A5 k- v1 o5 s1 y
25#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 顯示全部樓層
slide 0731/ i! Y: F3 V. R7 x- N* N, Y
需要4各bias 點~) j7 T; d* J5 Q  E8 k8 U9 P- v
% S5 J; C2 @. L0 ~% g
side 0732& C$ L5 i2 [* T) l9 z' |. \
只需要3各bias 點~1 M: D1 |7 |# {# H" @$ p+ l
M2 D 端的極點比slide更遠
26#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 顯示全部樓層
slide 097
  p7 m+ v- J9 f5 a3 E" d+ tIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
! W' d% H; u  W4 _depending on the phase margin required.
# r! p" b8 {1 c) t7 `5 q=> 更正
) c1 U7 T& P  Y% LIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
. U9 \4 q' T% }% Rdepending on the phase margin required.
27#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
* s8 G1 r7 ~9 J( R2 V5 ~回復 32# tuza2000

7 ^6 d! d% p) m0 L# ~. L上面說明有誤~
4 _' M: m# |$ W8 @實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接! F% \% j( C  X0 P
28#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 顯示全部樓層
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
  G6 h" A& f; C2 D2 |% [Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
+ q( f1 f- ]% m) E. h; ?, J* {6 {所以Rm增加beta
29#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 顯示全部樓層
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)! Y8 t; r) A, W6 F( o- G5 c
Ref: silde2219
5 d4 R. h* n( k" B3 f9 g6 ^5 \Start-up of oscillation 可知
30#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 顯示全部樓層
Slide 025
# A. Q" W% ~! ]0 gNoise will be explain in detail in Chapter 4.
31#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 顯示全部樓層
slide 0444( J5 K# I' r# S$ R
Noise of a current mirror with series R:' x1 E; J$ V; R2 s
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!# G  z9 S6 S/ N7 W* N
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~. `6 ?7 [% _' T" G- y
謝謝~~幫忙回附一下4 j7 H: T, h& Z+ K) ]
32#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 顯示全部樓層
slide 0513
6 I5 N) r; Z% g: z/ ]+ u' d/ @1 D分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下% c9 n( a9 O# \
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
" m2 p2 ?: P/ h' B+ V4 [5 `3 k$ a2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。8 j8 O  I0 |& K" e* y7 g2 i+ v
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
33#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 顯示全部樓層
slide 0513
- U6 k+ K% R: a7 _7 X分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下. y, i9 F+ Z& ^9 `7 H- e/ K# [7 h
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
& Q3 q5 Z0 q" A7 V+ ~& x* J- i, ]2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。4 y' q, F7 }! x/ i4 S* D$ @; i/ d
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
34#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 顯示全部樓層
slide 2222
" ]; B5 w& Y, G" u6 jVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ t, |( r4 V3 }# ^& F6 y
$ A- r! L# M+ c6 o7 {=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2' G& a0 j- R6 g
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
& F! m2 z' u2 z+ w$ C0 a所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
5 o- C+ n6 y" a0 U; F0 h
35#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 顯示全部樓層
slide 22224 u+ v4 B* c' |. p/ j! q/ o- C6 t. R
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: A% b9 |! e# H* h, g, z# m3 Q$ j. `
8 H/ f3 j; m7 W7 a3 v* r) ^6 a=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2& T( P; Q7 i8 t7 A+ n
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
7 n+ G8 m8 ?1 x' q  Q; V$ [所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)8 K! Q; P5 h& K, C- ]
36#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 顯示全部樓層
slide 2222" X. K2 L3 h2 R
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)( a% Z$ A# e1 S* Y5 Z  s( O5 N

" H5 M1 @+ d# o$ K# I) J! U=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C25 ]0 i7 @2 Z  e) @
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻: P# c- q  r8 v( _7 Q
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2), ?, c& {% [: P9 s1 q% ~6 L' s3 i0 S
37#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 顯示全部樓層
slide 22221 R+ }% A' l3 c* p
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): Z! s4 ^4 c8 G
( `6 w1 R1 |& K* [7 r# W: S8 h
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 n9 f/ i  ^9 ]; x6 |
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
! u; h2 [1 H8 ]- R- C  g/ G所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
6 i0 Q  v3 s6 ~- K7 H- [" H
38#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 顯示全部樓層
slide 2264 Calculation of gmA
/ t, V: l2 s+ u+ U3 V
* K: Y4 g  o7 S, ~: w5 s3 sgmmax 應該是C1WC1/2C3
0 d5 {  E4 g) G$ U2 R8 ?* x9 G1 v
" Q1 z2 X1 u2 m/ a) i  ~=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
39#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM) d! V' I5 K4 Y6 ~! e" h
slide 2222; B+ [* }6 `! T( }
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

) n. D  p# }0 q- w! igmA~ 4RsCL^2Ws^2
4 f: U. K3 e% d, ]5 xand 4WsCL^2/QCS) G8 K2 ]0 {) t# b

% j9 A( {  U4 h+ z2 T5 ]
6 x/ m& t2 X5 r5 r* g+ j
40#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 顯示全部樓層
RIP ( e( r  o/ G2 E  D! V1 q$ V4 H; T
' h$ a, O* w. K0 ~
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)4 ?3 W2 {3 g2 J
+ `0 j+ L# Z% A$ f# y) C
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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