新型功率器件IGBT研制

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Avago Technologies推出全新系列的強穩IGBT閘極驅動，進一步擴充其領先業界的光耦合器產品組合       
體積小巧的元件採用新製程技術，提供高峰值輸出電流、軌對軌輸出電壓以及快速切換速度

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, G+ E$ {/ J+ m. E6 P【2011年05月18日- 台北訊】Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)為通訊、工業和消費性應用的類比介面元件主要供應商，今天推出新一代閘極驅動光耦合器，以小體積封裝提供領先業界的效能。全新ACPL-P34x和ACPL-W34x光耦合器系列產品採用的製程技術有助於提高軌對軌輸出電流驅動，為工業驅動、變頻器和電源應用提供高電壓隔離和強穩的防護。本款光耦合器採用延展型SO6封裝，相較於業界標準的雙列式(DIP)封裝，可將體積降低40至50%。輸出電流高達4A–為市場上此種封裝尺寸產品中最高–本系列產品提供可靠、快速和有效率的系統效能。
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2 h) Q9 x: @; g, ^' p傳統上，Avago閘極驅動光耦合器針對輸出級採用雙極電晶體，以提供高輸出電流。隨著製程技術的進步，現在以雙極CMOS/DMOS技術取代輸出級，其中結合CMOS的高元件密度與低耗電量以及雙極處理的高電流驅動和速度。其開關速度是上一代的兩倍快，將高端和低端電晶體同時關閉時的停滯時間，從700 ns縮短為200 ns，進而提高系統效率。

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「Avago持續提升光耦合器效能標準，為客戶提供價值，我們全新的閘極驅動系列產品就是一個例子，」Avago光耦合器產品部門行銷主管Kheng-Jam Lee表示。「我們的光耦合器產品組合是目前業界中種類最廣泛的，而本創新系列產品更進一步擴充其應用領域。這對於馬達驅動和新興再生能源變頻器應用而言格外重要，其中IGBT的採用已經有顯著的成長。」

0 D( S* R; }$ z# N) ]1 o: q: B4 fACPL-P343/W343、ACPL-P341/W341和ACPL-P340/W340光耦合器的最高峰值輸出電流分別為4A、3A和1A。輸出電流範圍廣讓本系列產品可滿足不同額定功率系統的需求，包括絕緣柵雙極電晶體(IGBT)和MOSFET閘極驅動、工業變頻器、再生能源變頻器、AC和DC無刷馬達驅動器、交換電源、電磁爐和家電變頻器。光耦合器的35 kV/µs高共模拒斥(CMR)可防止錯誤驅動IGBT並確保在雜訊環境中可靠運作。本系列的延展型SO6封裝符合許多工業安全標準，包括IEC/EN/DIN EN 60747-5-2、UL 1577和CSA。
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其他ACPL-P34x和ACPL-W34x產品特點
•        工業溫度範圍：-40°C 到 105°C
. l  J& k6 A3 I! d( t) B8 M7 M•        低Icc供應電流適用於靴帶式運作與低耗電量
•        具遲滯功能的欠壓鎖定(UVLO)，以提供IGBT保護
•        符合UL 1577 5000 VRMS/1分鐘額定
& B! o2 j( p3 F( B* L( d•        8 mm爬電距離與電氣間隙

3 H' M" f% B7 {; B供貨情況
$ t3 X$ E/ m3 yAvago的ACPL-P34x和ACPL-W34x光耦合器系列產品目前已經可以正式供貨。

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英飛凌新型 4.5kV IGBT 模組提升能源效率，減少切換損耗  
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9 x' A+ e/ J1 f  x& ^8 |5 ^【2011 年 5 月 18 日台北訊】英飛凌將於PCIM Europe 2011 展覽 ( 5 月 17 - 19 日於德國紐倫堡舉辦)中推出 4500V電壓範圍的模組產品。4.5kV IHV 模組整合了 IGBT3/EC3 晶片，適用於牽引驅動裝置及高電壓直流傳輸 (HVDC)。HVDC 技術可實現效率極為優異的長距離電力傳輸。由於模組整合 IGBT3/EC3 晶片而提升了電流密度，因此不需要更改現有設計或更強大的冷卻功能，即可傳輸更多電力，並提高輸出。                                                     
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2 h5 x8 g4 d; F8 y1 S7 @英飛凌工業電源部門副總裁兼總經理 Martin Hierholzer 表示：「英飛凌的新型 4.5kV IHV 模組可大幅提升能源效率，並有效減少切換損耗，對公司客戶而言是一項重大的技術進展：我們的 IGBT 解決方案更為堅固耐用，特別適合要求極高的應用，例如牽引機或 HVDC 系統。」

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新型 4.5kV IHV 模組結合業經驗證的 TrenchSTOPTM 和 FieldSTOPTM 技術，讓英飛凌在現有 3300 及 6500 電壓供應模組之外，提供了更多的選擇。功率半導體內部的 FieldSTOPTM 結構可確保有效降低切換損耗，而 TrenchSTOPTM 電池由於具備極低的飽和電壓，因此能將導通電力損耗降到最低。如此不但可以減少損耗及冷卻需求，最終還能降低系統成本。此外，TrenchSTOPTM 技術系列還具備多項優點，包括堅固耐用、短路特性、加強穩定性及低電磁干擾 (EMI) 等等。

" x  ]# F- g0 E. l- L' ]英飛凌IGBT3/EC3 推出兩種不同外殼的 4.5kV IHV 模組：首先推出的是採用 IHM-B 外殼的模組，延續深獲肯定的 IHM-A 模組，儲存溫度最低可至零下 55°C，操作溫度最高可至 150°C；第二種則是高度絕緣的 6.5kV 模組外殼，其絕緣電壓可達 10.2kV，能提供牽引機應用特別需要的空間距離及沿面距離。
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上市時間
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" C* h! _0 d8 ?採用 IHV-B 外殼的 4500V IGBT3/EC3 樣品將於 2011 年底開始供應，6.5kV 外殼模組則將於 2012 年中開始供應。

英飛凌科技將在 2011 年 5 月 17 至 19 日，於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2011 展覽中展示新型的 4500V IGBT 模組（12 廳，404 號攤位）。