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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表
; y+ B4 ]! t, g, a5 B3 Y* Q7 w代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
8 p! r" u. {) v& i2 s1 [“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ... 0 o! p4 m( E2 S: \, c3 B
如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.
5 `( Z/ \3 [9 z$ n( X( L5 K; F
, g f! S4 I/ t6 L. g, j0 Z: n15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求
0 m7 q% k* T& m( a7 [Air discharge 一般要+-15kV6 H& D; V: K4 {1 h+ i) _+ x, Y. h
Contact discharge 一般要+-8kV
" Q3 B. }5 h N4 C這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
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, S+ J7 r+ q/ F. H3 k[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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