|
回復 1# 的帖子
蒙地卡羅分析 即為 Worst Case Analysis% y) g9 Y& v9 @( X
在我們公司裡面的作法 就是去設不同的Corner* f& a3 x' l1 ]2 h
: y5 _) W$ ^: kDevice Model裡面會有 PMOS/ NMOS 的速度會有 Fast/Typical/Slow 三種情況
6 p+ v" l4 ~; H% c( a$ O* Y電壓部份 外部電壓與內部電壓 有可能會受到 Bounce與IR Drop的影響 使得電壓提高或降低
" p% z& s) J3 @. I6 b3 }# B8 c2 Y2 @
這些電壓與MOS的效能加上溫度的高低溫與室溫就可以組成 十幾個Corner Case, G8 t8 {& V) t7 R+ I) e7 @- N9 \9 q
如果你能夠讓全部的 Corner Case都通過你 Data Sheet 的 SPEC.
& F' Z' B4 Q- F! p, S+ K' }7 I( E& k- |
IC製造出來的良率 自然就會提高很多.
5 P! u$ @, R- k* F" o2 A U) U7 v. Z% B- u5 `4 f4 n
至於 Corner 的 Variation選定的 幅度 要取決於 FAB的量測資料' U9 K$ ~ g9 f5 v' f
大致上把 Corner的範圍 設定為 比 FAB的量測資料的Window 略大一些 應該是較為合理的作法
" f( E" \$ d) s0 L: w, g在 RD與 Device Team 的好惡 取出一個平衡值
+ F2 M. R7 W- x# m(RD喜歡Range小 因為好設計, Device喜歡Range大 到時做出來的良率會比較好 也可以避免7 I. T, d8 I/ G! j
下線回來之後要很痛苦的解 Low-Yield Issue)$ V* z! E' e6 O
, \7 [9 r4 f0 b範圍太大 設計者做進SPEC的難度大大提升% \' J$ W# H4 |) i) l9 B+ R v
範圍太小 製作出來的WAFER的良率就會不好) x$ Z6 W/ d! \0 j
' `4 R, c5 z; G5 v6 [! q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-29 02:14 AM 編輯 ] |
|