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再來領個RDB...- `. m, }* D+ ` h2 q! M
, S& k! U! R9 e# E* H* F4 z% RQ: 動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
# {8 o, l {( d1 ZA: 是的...一般來講沒錯' p9 p, \0 y$ v" k& j
0 b9 y2 Z+ Z' K% i% }" p
Q: 兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新!!
" l% ]2 c; N$ s9 \! Q4 uA: 不管是動態電路，靜態電路內部都有電源到地的電流通路, 一般稱為漏電流, 只是因為動態電路使用電容儲存狀態, 一旦電荷不足以表示邏輯時會造成輸出錯誤, 所有才需要refresh, 在輸入變化的頻率週期大於漏電的時間時, 就不需要refresh. 而靜態電路是靠迴授來記錄狀態, 故不存在這個問題
- J7 j* D, K' Q3 k) |7 S. X6 E: t9 ?
Q: 不過敢問兩者的速度比較如何？？
5 P) X5 Y i/ B2 rA: 在0.18um COMS process, dynamic circuit約可以操作在10G~15GHz以上, static circuit只能操作在1.5GHz左右, 前者使用fully design flow跟設計及工作電壓有關, 後者使用standard cell libraries.
, w& C* ?8 [. Y/ ^) C Z" D( ?: \0 H1 A2 E: U# z$ P: T4 V
[ 本帖最後由 tommywgt 於 2007-2-25 10:46 AM 編輯 ] |
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發表於 2006-11-25 20:55:53
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