第一款符合Grade 1汽車標準的Ramtron FRAM記憶體

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嚴苛的資格要求證明了 FRAM 在汽車核心系統應用的可靠性

4 N# v  C' A7 V/ }6 `5 D8 O  ?世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (FRAM) 和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈推出首款 +125℃ FRAM記憶體 FM25C160。該款5V 16Kb 的串列SPI介面 FRAM可滿足Grade 1和AEC-Q100規範的要求，可在 -40℃到 +125℃ 的整個汽車溫度範圍內工作。這種寬廣的工作溫度範圍使得 FRAM 的應用可超越乘客舒適性應用，達到汽車核心系統應用級別。

5 X. F; N4 t4 G7 m2 M" wRamtron副總裁Mike Alwais表示：“FRAM器件達到 +125℃ 工作溫度的要求，意味著 FRAM 技術幾乎可適用於所有的汽車應用。此一里程碑為我們開拓出更寬廣的發展空間，包括要求最嚴苛的汽車應用環境，如轉向、煞車、輪胎壓力監控和某些傳動應用，以及其他許多駕駛室應用。這個標準資格證實了FRAM在汽車核心系統應用中的可靠性。”

FRAM 在智慧型電子中的應用

; W+ d6 V. q4 v: V6 LFRAM的快速寫入和高耐久性使其成為理想的資料收集和儲存用之記憶體器件。隨著汽車設計中採用的感測器數目越來越多，需要收集的資料也越來越多。FRAM的不需要等待的寫入方式，有利於以更高頻率收集更多的資料，使智慧型汽車應用能夠得到最及時的可用資訊。FRAM的技術已經成熟，並已廣泛地獲得全球許多精密複雜的汽車電子系統設計採用，例如智慧型安全氣囊、事件資料記錄器、自適應巡航控制、資訊娛樂系統、乘客感應器、診斷和防夾/陷車窗/天窗 (windows/sunroof) 等。目前獲得的Grade 1 汽車應用資格將讓設計人員可以從整個汽車系統中的FRAM應用中獲益。要瞭解更多有關 FRAM 汽車零件的資訊，請瀏覽網頁：www.ramtron.com/doc/Applications/Automotive.asp。
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關於 FM25C160

FM25C160是16kb非揮發性FRAM，具有工業標準的SPI介面，並充分發揮了FRAM的高速寫入能力。就硬體而言，FM25C160可以直接代替EEPROM，但功能更強，可以在高達20MHz的匯流線速度下進行讀寫操作，且具有幾乎無限的讀寫壽命（1兆次 (trillion) 的寫入)、45年的資料保存能力和低功耗的特點。該器件在整個汽車級溫度範圍內以5V電壓工作，並採用“綠色”環保的8 腳SOIC封裝。

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Ramtron 非揮發性狀態保存器通過Grade 1汽車標準認證
- ~) B- ?1 _5 S( r符合汽車等級要求、基於鐵電的器件在斷電時仍能保持邏輯狀態，並在上電時自動恢復輸出數值

* H9 F& s2 x9 H  P* G9 d4 @8 }世界頂尖的非揮發性鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation 宣佈，其兩款非揮發性狀態保存器 (nonvolatile state saver) FM1105-GA 和 FM1106-GA 已經通過 AEC-Q100 Grade 1 認證。這些狀態保存器可依照需求保存信號狀態，並在上電時自動恢復成正確的狀態。F-RAM技術具有獨特的快速寫入能力、幾乎沒有次數限制的寫入耐久性及低功耗特性，使它得以實現這種功能。
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通過 Grade 1 溫度認證的 FM1105-GA 和 FM1106-GA 器件，可在 -40 至 +125℃ 的整體汽車溫度範圍內運作，使得設計人員可從遍佈汽車各個系統的 F-RAM 器件中獲益。非揮發性狀態保存器的操作就如 D型正反器一樣簡單，其運作類似傳統的邏輯電路，但在斷電時可儲存和保持邏輯狀態，從而簡化了系統控制功能的設計。這兩款通過 Grade 1 汽車認證的非揮發性狀態保存器非常適合在各種不同應用中使用，其中包括汽車門鎖和兒童安全位置電子鎖、安全氣囊解除開關、車艙通風系統的送風機速度和抽風位置調整、室內燈照明模式開關，以及電加熱方向盤和座椅等。
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Ramtron市場推廣經理Mike Peters表示：“Ramtron狀態保存器具有獨一無二的特性，能在斷電情況下夠記憶所儲存的輸出數值，是簡化系統控制功能設計的一流解決方案。FM1105-GA和FM1106-GA通過AEC-Q100 Grade 1認證，有助於我們擴大符合Grade 1汽車品質標準的產品系列陣容，進一步讓智慧型汽車應用可以對最及時的資訊做出反應。”
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5 c: c4 {* w, _% \9 @產品特性
低功耗非揮發性狀態保存器不需要讀取記憶體或佔用專用的處理器I/O引腳，就可以對非揮發性系統設置進行連續性的存取。它可以儲存變動頻繁的信號，而不需要特別注意，還可以在無不增加系統開銷和串列記憶體引腳的情況下進行系統設置的非揮發性儲存。
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7 J( \# j' a4 }# }0 oFM1105-GA的工作電壓範圍為 4.5 至5.5V，待機電流為20µA；而FM1106-GA的工作電壓範圍為 2.7至 3.6 V，待機電流為8µA。兩款器件均可驅動10mA負載，以1微秒的高速度連續地改變狀態，提供1E12 (1兆(trillion)) 次狀態改變，可在AEC-Q100 Grade 1汽車溫度範圍 (-40至+125℃) 內工作。要瞭解有關產品的更多資訊，請訪問網頁www.ramtron.com/products/nonvolatile-state-saver。

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6 M) e# J7 N, I) i6 o% L: TRamtron現已經可以供應FM1105-GA和FM1106-GA的樣品，器件採用符合RoHS法規要求的8引腳SOIC封裝，訂購1萬件之單價為0.44美元。

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Ramtron 1Mbit串列F-RAM提升至滿足汽車標準要求
低功率、高性能F-RAM元件達到AEC-Q100 Grade 3標準要求

! u. b9 X  c: t世界頂尖的低功率鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發及供應商Ramtron International Cooperation，宣布其1Mbit、2.0V-3.6V 串列F-RAM記憶體 FM25V10-G，通過了AEC-Q100 Grade 3標準認證，這項嚴格的汽車等級認證是汽車電子設備委員會 (Automotive Electronic Council, AES) 針對積體電路而制定的應力測試認證。目前Ramtron公司符合AEC-Q100標準的記憶體產品已增加至十五種，這些產品都經過專門設計以滿足汽車市場的嚴苛要求。通過Grade-3認證，保證元件能夠在 -40℃ 到 +85℃ 的汽車使用溫度範圍內正常運作。
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FM25V10-G是Ramtron公司V系列非揮發性F-RAM記憶體的成員，具有2.0V至3.6V的大範圍工作電壓。它是1Mbit串列SPI元件，工作電流為3.0mA (40MHz下的Idd)，採用工業標準8接腳SOIC封裝。FM25V10-G在40MHz 全匯流排速度下運作，具有無延遲 (NoDelay™)  寫入功能、幾乎無限的耐用性和低功耗等特點。該元件是汽車、工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲以及運算等應用中，1Mbit串列快閃記憶體和串列EEPROM 記憶體的理想即插即用式 (drop-in) 替代產品。
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Ramtron市場拓展經理Mike Peters表示：「這項認證代表我們這個密度最高的產品符合汽車等級標準。在V系列產品線中增加達到Grade 3標準的產品，使我們能夠在4kb至1Mb的密度範圍內為汽車客戶提供高功效、高性能的非揮發性記憶體產品。」
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$ \/ A. c! A+ {' E關於F-RAM V系列
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Ramtron公司V系列F-RAM產品包括多種串列I2C、串列SPI和並行記憶體。V系列產品能夠實現更好的技術規格和更豐富的功能集。串列V系列產品備有可選用之獨特64位元序號，由一個16位元客戶ID、一個40位元製造序號，以及需要獨特電子編號的8位元迴圈冗餘碼系統校驗組成，提供了更高等級的安全性。
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Ramtron 已開始提供符合 RoHS 標準的8接腳SOIC封裝FM25V10-G元件，訂購一萬個FM25V10-G 或具有獨特序號元件 (FM25VN10-G)，售價分別為每個 5.05 美元和5.19美元起。

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Ramtron擴展F-RAM V產品陣容新增汽車等級串列128Kb元件
新的V系列產品具有高性能和低功耗特性，可充分滿足汽車應用的嚴苛要求

8 z0 h2 l/ g. ~  i  J世界領先的低功耗鐵電記憶體 (F-RAM) 和整合式半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈，其V系列產品線新增兩款通過嚴格AEC-Q100 Grade 3汽車等級認證的串列F-RAM元件。這兩款產品的型號分別為FM24V01-G和FM25V01-G，是128 千位元 (Kb)、高性能非揮發性F-RAM記憶體，在2.0至3.6V的寬工作電壓範圍內工作。這一嚴格的汽車等級認證，是汽車電子設備委員會 (Automotive Electronic Council) 針對積體電路而制訂的應力測試認證，用於滿足汽車市場的嚴苛要求。通過Grade-3認證可確保元件能夠在 -40℃ 到 +85℃ 的汽車使用溫度範圍內可靠地運作。
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FM24V01-G和FM25V01-G是Ramtron範圍廣泛的V系列非揮發性F-RAM記憶體產品之最新成員，具有 2.0V至3.6V的寬闊工作電壓範圍。FM24V01具有串列I2C介面，有效電流為90µA　(100KHz下的典型值)。FM25V01在40MHz的全匯流排速度下工作，標準串列週邊介面 (SPI) 的有效電流為2.5mA。F-RAM記憶體的特點是無延遲 (NoDelay™) 寫入，幾乎無限的讀/寫次數 (10E14) 及低功耗。這些元件是汽車、工業控制、計量、醫療、軍事、遊戲和電腦運算等應用中128Kb串列EEPROM記憶體的理想的普適型 (drop-in) 替代產品，FM24V01-G 和FM25V01-G 採用產業標準的8接腳SOIC封裝。
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) o0 {6 g( ], ?V系列產品線提供一個可以讀出製造商和部件識別編碼的元件ID，以及一個可選的獨特唯讀序號，以電路板或系統識別來達到防止偽造的目的。Ramtron市場經理Mike Peters表示：「128Kb F-RAM V系列元件符合嚴格的汽車等級要求，提供了獨特的整合式安全特性。」