瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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(3)建構高彈性之製造系統「fab network」
( i. S3 O- b! R- x8 _在合併之前，上述兩家企業分別開發自有的三種製程技術，並運用於各自的MCU產品，瑞薩電子現在計畫將這六種製程整合為三種製程：40及90奈米(nm)製程用於開發及製造具有高效能、大容量快閃記憶體之高速MCU，而130nm製程則用於開發具有中低容量、內建快閃記憶體裝置--`之低功率MCU。
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整合製程技術之後，瑞薩電子將能夠建構「fab network」，在多個工廠中生產相同的產品。例如，以40及90奈米製程而言，可在那珂（茨城県）工廠及瑞薩山形半導體公司的鶴崗（山形県鶴岡市）工廠生產，而130奈米製程則可由西条工廠（愛媛県西条市）以及瑞薩半導體九州・山口株式會社熊本川尻工廠（熊本県熊本市）生產相同的產品（交叉生產）。上述交叉生產的能力將可強化瑞薩電子因應市場需求變動的能力，即使發生火災或天然災害等緊急事故，仍能穩定供應產品。

另外，瑞薩電子也計畫加快其40奈米MCU的開發時程，第一款40奈米MCU樣品可望於2010年出貨。

在上述重點之外，瑞薩也計畫提供中介軟體、即時作業系統（OS）及基板硬體之設計支援，藉此與全球700家合作伙伴企業進行合作。透過瑞薩電子及合作伙伴企業之網站與型錄資訊，系統設計師將能夠從多種開發工具中選擇軟體開發所需的工具，可快速而輕鬆的建構自己的應用系統。
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8 X) ?9 f( |6 z) V另外，為了使MCU事業的擴充速度超越市場成長速度，瑞薩電子將持續推動其「Global and Green」的事業願景，提供最適合各區域的解決方案以加速全球成長速度，並提供低功率MCU及其他解決方案，以解決市場對於節能持續升高的需求，建構重視環保的社會。

針對中國及其他開發中國家，瑞薩電子將強化瑞薩電子(中國)銷售部門之MCU產品行銷功能，以創造適合各地區之產品成長體制。藉由將當地代表提升為最高層級主管強化組織架構，瑞薩電子中國分公司將能夠進行即時的決策。為了因應這些改變，瑞薩電子計畫在2012年之前將MCU產品線擴充至1,000種產品，並擴大MCU產品在中國市場之銷售規模。針對已開發國家，瑞薩電子也計畫運用該公司在行動電話之SIM卡及ID卡研發過程中所累積的先進安全解決方案，推動電動汽車電池系統之安全管理與其他相關技術。

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瑞薩電子針對網路設備推出低延遲、高速傳輸、低耗電量的新一代1.1 Gb記憶體裝置
; Y% ^/ ?+ j2 L3 c; O完美的新一代100 Gb Ethernet以上交換器及路由器

6 X$ j/ q4 `. X6 ?2010年10月14日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)宣佈，將專為網路設備，包括新一代Ethernet標準(100GbE)以上之交換器及路由器，推出1.1 Gb記憶體裝置。新款的網路記憶體裝置，在單一晶片中結合了低耗電量、超大容量及高速傳輸等特色，相較於瑞薩電子現有的288 Mbit低延遲DRAM裝置，新版裝置的記憶體容量高出四倍，高速資料讀寫的隨機循環效能提高了30%，而運作頻率更提升兩倍。儘管新的記憶體裝置經過了以上重大效能提升，卻仍維持與現有產品同等級的低耗電量。
$ W1 h8 E" c; E由於網路通信量仍在持續地迅速成長當中，尤其是多媒體智慧型手機、數位媒體播放器，以及網路數位相機等產品的使用均日漸普及，為了能流暢地處理龐大的通信量，網路上的資訊設備如交換器及路由器，便必須具備能在每單位時間內處理大量資料的能力。
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正因如此，大容量及高速傳輸的需求不斷成長，除了可暫時將資料保存在網路設備的緩衝記憶體外，甚至連用於將資料指派至傳輸目的地的表格記憶體也一樣。此外，減少網路設備的耗電量，以便為全球環保盡一份心力的要求，在今日市場中亦顯得格外重要，因此節約網路設備記憶體耗電量的需求也隨之大增。
6 ^, j. u, C8 @: b. D; h' X0 D  u為能滿足以上需求，瑞薩電子已經開發出能夠達到更高容量及速度，同時能利用獨特處理及電路技術節省耗電量的新記憶體裝置。

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該記憶體裝置的主要功能如下：

(1)透過瑞薩電子40奈米(nm)內嵌式DRAM (eDRAM)技術，達到更高的容量、更高速的傳輸及更低的耗電量。
新的網路記憶體裝置是採用瑞薩電子的40-nm eDRAM技術製造，並加上了為開發高速記憶體裝置而設計出的電路技術。相較於瑞薩電子現有的低延遲DRAM產品，新網路記憶體裝置的記憶體容量提升了四倍(1.1Gb)，隨機循環效能亦提升了30%，高速資料讀寫可達13.3毫微秒(ns)，且最大運作頻率亦提高一倍至800MHz。儘管產品已經過上述改良，卻仍能維持在2瓦(W)的低耗電量。
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/ Q; S5 R  _2 b  I' j/ ?+ B6 o(2)以高度可靠性進行高速介面傳輸
( r' P% v4 u! E  y相較於現有裝置，瑞薩電子新網路記憶體裝置的運作頻率已從400 MHz提高至800 MHz。為了能在穩定的情況下，操作36位元資料輸入／輸出(I/O)的800-MHz DDR(雙倍資料速率)介面，瑞薩電子也降低了供應1.0V電源的I/O電路電壓，並採用高壓側終端(在顯示卡記憶體裝置的效能方面頗受肯定)，以便能穩定地運作。新網路記憶體裝置提供的多樣化功能，可自整合輸入訊號針腳之晶片終端裝置的可程設訊號終端電阻(on-die termination)開始，確保運作的可靠度。其他功能尚包括可減少資料輸出雜訊的資料轉換功能、終端產品製造商可用於調整個別訊號針腳訊號輸入／輸出時間偏差的「per-bit deskew」(每位元校準)功能，以及可在印刷電路板上使用摺疊式安裝時，輕易控制布線長度的鏡像功能。

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(1)採用與現有產品相同結構及相似尺寸的封裝
( Z% d+ R" J' i由於運作頻率提高，因此瑞薩電子將同一結構組件電源供應器的pin腳數量，增加至38pin腳，與現有產品使用的11x18.5 mm規格封裝相同結構，但組件尺寸仍維持在14x18.5mm。以組件供應之新產品的可靠度，已經獲得業界的廣泛證實，所以系統設計人員可採用新產品布建可靠的系統，無需擔心印刷電路板設計階段的電子特性問題。
% \% b# L! p7 }) E3 [, T瑞薩電子係於2010年4月 日，由NEC電子與瑞薩科技合併而成。瑞薩電子在兩家公司合併後，成為可獨立供應網路設備專用TCAM(三位元內容定址記憶體)、低延遲DRAM，以及一般QDR SRAM記憶體裝置的半導體記憶體製造商。未來，瑞薩電子將憑藉頂尖的技術，繼續開發網路設備所需的記憶體裝置，以滿足市場需求。

! ^% Q( H4 H& S, c; @( Z# K; V' z4 l此外，瑞薩電子的新產品係屬節能高效的網路設備裝置，例如提供效能需求與日遽增的交換器及路由器等，新裝置將透過各種銷售方式行銷全球。
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$ \6 E: Z* p, O5 O0 A價格與供貨
瑞薩電子的新網路記憶體裝置樣本（零件編號：µPD48011318、µPD48011336、µPD48011418 及 µPD48011436）目前已開始供貨，每顆定價為150美元。預計於2011年4月開始量產，並預計於2012年3月之前達到每月100萬顆的出貨量。

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瑞薩電子強化其功率半導體事業 以擴充產品內容及強化中國銷售結構，成為領導世界之功率半導體供應商
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2010年10月22日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子公司（TSE：6723）發表其強化功率半導體事業之新策略。
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瑞薩電子功率半導體事業規模約佔該公司三大核心事業群中類比及功率半導體（A&P）事業部門的四分之一。瑞薩電子計畫採取以下策略：(1) 擴大從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容，並在2013年3月前開發約1,000項新產品。(2) 藉由強化瑞薩電子在中國的銷售結構，將銷售額自2010至2012會計年度增加為1.5倍。(3) 將8吋晶圓生產線產能自2010至2012會計年度增加一倍。

透過上述策略，瑞薩電子預期2012會計年度A&P事業的年銷售額將達到2010會計年度的1.2倍（2009會計年度的1.6倍），並持續達成兩位數的平均年成長率，目標是成為全球功率半導體之領導供應商。

(1)強化從低電壓至高電壓功率半導體之產品內容
, T  R6 k0 P' i2 J: w1 V5 K0 r) C+ f瑞薩電子可進一步強化2010年4月NEC電子與瑞薩科技合併所實現的廣大產品內容，擴大從低電壓至高電壓的產品。瑞薩電子將在2013年3月以前開發約1,000項新產品，其中，在低電壓半導體方面包括了低電壓功率MOSFET及基本智慧功率半導體（IPD）；在高電壓半導體方面則包括了高電壓功率MOSFET、絕緣閘雙極性電晶體（IGBT），及雙向矽控整流器（TRIAC）。

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除了繼續維持並進一步擴大低電壓功率MOSFET的全球第一市佔率之外，瑞薩電子亦將運用其先進的製程及封裝技術推出新產品以增加高電壓半導體的銷售額。
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, s& u, u' S& O2 L( m3 j  s2 p(2)強化中國的銷售結構
瑞薩電子為強化其銷售結構，將於中國推出全新的部門行銷結構。包括設立四個銷售團隊，分別是家用設備、汽車、工業、及電池管理，A&P事業部門將與瑞薩電子中國分公司當地的企劃、開發部門共同合作，開發中國專屬的產品。瑞薩電子的中國行銷人員人數亦將比2010會計年度開始時增加一倍，並計畫即時供應最符合中國市場需求的產品。
藉由上述策略，瑞薩電子預期2012會計年度的中國銷售額將可增加為2010會計年度的1.5倍。

(3)擴大產能
瑞薩電子將同時強化其前段及後段製程生產線結構，包括將8吋晶圓廠生產線產能自2010至2012會計年度增加一倍，並提升馬來西亞兩座工廠的產能，同時透過中國的轉包商擴大日本以外的生產。
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4 `* K9 Z5 Y, l2 M9 C8 @7 T瑞薩電子的目標是使銷售成長超越功率半導體市場的成長率，並透過該公司可為裝置及系統提供低耗電的功率半導體，為實現環保社會做出貢獻。

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瑞薩電子強化其化合物半導體業務
目標：透過強化產品系列，成為業界頂尖化合物半導體供應商

2010年11月3日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)，宣布強化該公司化合物半導體業務，其中包含以化合物半導體組成的光電元件(opto devices)及統籌微波元件的化合物事業部。瑞薩電子計畫：(1)以光耦合器、RF(無線射頻) SW(switch) IC及其他重點產品，取得並維持全球第一的市佔率(註1)。(2) 於2011年3月前，推出新的氮化鎵(GaN)半導體產品。
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0 t6 U# C! {6 q: [2 p瑞薩電子預期，自2010會計年度至2012會計年度止，化合物半導體市場每年平均有8%的成長，隨著市場運作，同時該公司將全力拓展化合物半導體事業，希望能超過市場成長率，達到11%的成長。該公司亦計畫於2012會計年度，將化合物半導體的銷售量提高1.2倍，目標在於成為業界頂尖的化合物半導體供應商。

(1)        以光耦合器、RF(無線射頻) SW IC及其他重點產品，達到並維持全球第一市佔率
7 e& t" }! h& ~' d5 i瑞薩電子預期將取得光耦合器及光學儲存元件(註2)的最大市佔率，並將進一步拓展 RF  SW IC及GaAs低噪場效電晶體(FETs，註3)的全球頂尖市佔率。
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7 N4 H* T/ v4 A; M" m[光耦合器]
瑞薩電子計畫加速高溫操作、低功率及小尺寸封裝規格的開發，以因應「綠能」市場(如油電混合車、LED照明系統及電錶)方興未艾之需求。
! q; E6 H$ I7 g, a5 @' f該公司欲透過結合適用於高壓及高電流輸出的IGBT(絕緣閘雙極性電晶體)以及微控制器(MCUs)業務，以單一套件解決方案進一步拓展光耦合器的銷售，此外，該公司將增加技術人員，以強化對海外市場的銷售。
        同時，為因應急速增加的市場需求，瑞薩電子自2009會計年度第4季起擴增產能，預定在2012年前將其產能提高一倍。
        透過以上措施，瑞薩期望在2011會計年度取得光耦合器市場全球第一的市佔率。

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[RF SW IC]
" ~- W9 k3 c2 P8 o$ ~        RF SW IC主要為訊號傳送接收的用途，如行動電話及筆記型電腦等電子裝置，皆須有RF功能才能進行收發交換。而3G-GSM模式交換與內外天線交換等，也需要此RF SW IC方可完成。對此，瑞薩電子將開發出新的電晶體，以領先界的低交換損失規格，提供小尺寸封裝產品。
/ s6 m1 e% N. E4 n; B! Z2 H        為彈性因應顧客需求，瑞薩電子將提供超小型封裝的RF SW IC產品，或提供裸片形式。該公司亦欲與歐美及台灣的晶片組供應商合作，為系統製造商提供參照設計，藉此拓展其RF SW IC業務。
        瑞薩電子希望藉由以上目標之達成，維持目前在RF SW IC市場的全球領先地位。
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(2)        於2011年3月前，推出新的氮化鎵(GaN)半導體產品
        相較於矽(Si)以及GaAs等現有的半導體材料，氮化鎵更適合在高頻應用，其輸出功率及溫度條件相較於SiC (碳化矽)，在此高頻產品應用中，不僅高耐壓並可高速運作。
        瑞薩電子有別於其他公司，不以多層板製作法製造直徑3–4英吋的SiC基板，而是在矽基板上堆疊GaN層板製造電路，此方式能創造更大片的晶圓(6英吋)，並降低半導體的製造成本。
        瑞薩電子預計先針對CATV(有線電視)放大器市場推出具備高度功能性的高可靠度 GaN產品，預計將於2011年3月進行瑞薩電子首批GaN產品、CATV整合多重GaN FETs的模組裝置、冷凝器及其他裝置的樣品出貨。
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瑞薩電子的目標在於進一步提高如光耦合器及RF SW IC等重點產品的市場佔有率，並藉由新開發的GaN產品整合，打入如CATV放大器、微波及毫米波裝置等要求高功率及高頻率功能性的市場，拓展其化合物半導體業務。
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(註1)        資料來源：瑞薩電子
1 ?5 e8 V1 `: K9 m2 g/ p(註2)        可見光檢測器IC(PDIC)
(註3)        FET(場效電晶體)：能進行高速交換的電晶體結構。

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無需外接圖框暫存器記憶體(Frame Buffer Memory)即可使用WVGA TFT液晶螢幕，適用於數位汽車音響及車用、消費性電子與工業用裝置

; g9 @) E& A. }7 J! o  x/ E2010年11月10日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子公司（TSE：6723）宣佈推出兩款32位元微控制器(MCU)SH7268及SH7269，提供更強大的功能及更小尺寸的用途，如需要驅動彩色TFT液晶螢幕的汽車數位音響、消費性電子及工業上的應用等。上述兩款新微控制器均具備以下特色：(1) 晶片內建大容量2.5MB SRAM，幾乎為前款產品 SH7266 MCU的兩倍，無需外接RAM，即可顯示WVGA解析度（800 x 480）影像。(2) 最大CPU運作時脈提升1.8倍（目前為266 MHz），可提高效能以處理更多系統工作及數位聲音訊號。(3) 功能更強大，例如2D繪圖加速器為OpenVG™ 1.1規格，符合嵌入式設備之業界標準繪圖處理程式設計介面（API）。

1 O& K: O: ?4 {5 l1 o& E瑞薩電子SuperH™系列中的新款SH7268與SH7269 MCU以SH2A-FPU（浮點單元）超純量（superscalar）CPU核心為基礎，可提供最佳即時效能及雙精度浮點運算單元，並整合多種適用於聲音與圖形應用的周邊功能。

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由於彩色TFT液晶螢幕價格持續下降，許多採用嵌入式處理器的產品開始以彩色2D圖形顯示器做為使用者介面，以提高終端產品的整體認知價格，並使產品對使用者來說更加自然直覺。目前的趨勢是在螢幕上使用更高的解析度（最高達WVGA解析度），需要在MCU之外提供較大的RAM圖框暫存器記憶體。由於瑞薩電子獨特的SH7268及SH7269MCU內建大容量SRAM，因此無需上述的外接記憶體，不僅可節省電力與空間，更可提高效能並減少發出電磁干擾。許多應用皆可從上述產品優勢中獲益，包括汽車資訊娛樂與汽車狀態顯示器、辦公室自動化設備、家庭設備、遊戲、病患醫療監視設備、住宅與大樓自動化設備、及防火/安全控制面板…等。

以下是SH7268及SH7269 MCU新功能的主要特色：

1 x: U  V4 q6 m( c(1)晶片內建2.5 MB大容量SRAM並支援單晶片解決方案
由於晶片內建2.5 MB SRAM，SRAM用於圖框暫存器(Frame Buffer)時，新款MCU可儲存兩個WVGA解析度畫面所需要的影像資訊。對於前一代提供VGA解析度（640 x 480）的SH7266 MCU的使用者而言，這是一個無需任何外接圖框暫存器記憶體即可升級至WVGA的理想途徑。
4 y4 T1 H6 m" T' @8 p' T- v  B內建的2.5MB SRAM亦可用於程式儲存空間或做為工作記憶體使用。由於記憶體空間可劃分為六個分頁，不同的匯流排主控端可同時存取多個分頁，因此這些MCU非常適合即時處理。
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3 M& u& ]) e% O# I; Y! [& A(2)達到 266 MHz 高速運作
為了充分運用高速SRAM以及更快處理數位音訊，CPU最高作業時脈已提升為現有SH7266 MCU的1.8倍，達到266 MHz。在程式儲存空間中使用單週期存取SRAM時，可達到最高的CPU效能。更快的速度將可提升系統的作業能力，例如可在播放音樂時回應使用者的語音指令，或者在使用者進行免持通話時降低雜訊。

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(3)強化顯示功能，包括符合 OpenVG 1.1規格的2D繪圖加速器
新款MCU包含支援OpenVG 1.1業界標準的2D圖形加速器，可提供高精度的2D圖形顯示功能，降低CPU核心本身的負荷，減少記憶體使用量，提供具成本效益的強化HMI（人機介面）。
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1 h' J& |0 ~. c/ z$ d( q另外，這些MCU包括硬體JPEG編解碼，因此可高速執行影像資料壓縮及JPEG資料解碼。此外，配備有數位RGB輸出接腳，支援全彩顯示，以WVGA解析度提供近1700萬色。
. ^2 F& j# G  c9 U. Y$ w; c# ?- Q, QSH7268與SH7269共計12款產品中，瑞薩電子提供CAN BUS介面的選擇，以及兩種溫度範圍（-40 至 +85° C及 20 至+85° C）。SH7268 MCU提供208-pin QFP封裝，SH7269則提供無鉛256-pin QFP及272-pin BGA封裝。所有封裝皆完全無鉛。
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5 \/ g- o2 S: s: E瑞薩將持續因應市場需求，提供SH7260系列新產品，藉由增進CPU效能、提升晶片內建記憶體容量及充實周邊功能，為高階應用提供速度更快、性能更優異的產品。同時，瑞薩也將為低階應用開發低成本產品。

. B. v0 L8 A7 e( `+ {; |- m價格和供貨
瑞薩電子新款SH7268及SH7269 MCU目前已開始供應樣品，建議零售單價分別為27及29美元。預定自2011年10月起量產，每月合計產能50萬顆。
(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)

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瑞薩電子推出新款RL78微控制器系列產品 為次世代8/16位元內嵌應用提供解決方案
RL78 MCU系列以32MHz達到70uA/MHz並提供41DMIPS
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2010年11月17日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子公司(TSE：6723)今日宣佈推出新款RL78系列超低功耗微控制器(MCU)。RL78整合來自R8C及78K(78K0、78K0R)系列之先進功能，帶來低功耗、強大效能及更高的整合性，以提供健全的整合路徑。上述新產品採用新款RL78 CPU核心，此核心以低功耗、高效能的78K0R CPU核心為基礎，整合來自R8C及78K系列的多種強大周邊功能，使其適用於多種應用領域，包括以電池供電的裝置及家用電器等。
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新款RL78 MCU在啟用即時時鐘(RTC)及低電壓偵測(LVD)的狀態下，以僅僅70微安培(μA)/百萬赫茲(MHz)的作業電流量，及0.7 µA的待機電流量，達到領先業界的超低電耗。新系列產品的節能設計以130奈米(nm)製程節點為基礎，以32 MHz運作時，可提供41 Dhrystone(註1)每秒百萬指令(DMIPS)。新款RL78 MCU的先進製程技術可提供更高的晶片內建元件整合，例如32MHz +/-1%晶片內建振盪器(註2)、最高支援百萬重寫週期背景作業之資料快閃記憶體(註2)，及1.6至5.5伏特(V)作業。上述特色不但提供更高效能，同時也降低了整體系統成本，這對於次世代8位元設計而言是非常重要的特色之一。

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瑞薩電子公司資深副總裁水垣 重生(Shigeo Mizugaki)表示：「新款RL78 MCU系列的設計，提供最新的低功耗技術，為8位元應用提供了豐富的功能整合，以滿足市場需求。過去幾年來，R8C及78K系列在多種應用領域市場中廣獲好評，就是瑞薩電子對於嵌入式產品市場承諾的最佳證明。RL78系列不僅結合上述兩個系列產品的主要特性，為現有的瑞薩電子使用者提供最佳整合路徑，同時也推出最優異的功能，可供設計更創新的產品。新系列本身所具備的低功耗技術、高度元件整合及多種內建安全保護機制，使其非常適用於多種應用的開發，包括以電池供電的裝置及家用電器等。」
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) m2 @! x; ~) w6 i) l: J7 t& vRL78系列將包含一般用途與特殊應用標準MCU。一般用途的「G」系列將包括總計302款產品，分別隸屬於RL78/G12及RL78/G13群組。首批產品將提供良好的擴充性，包括2KB至512KB的程式空間以及從20-pin至128–pin的封裝選項。
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瑞薩電子成立於4月1日，由NEC電子公司及瑞薩科技公司合併而成。該公司於成立之後即採用(整合)平台做為其主要MCU事業部門的設計工作基礎，大幅提升產品開發效率。由於瑞薩電子建立了fab network，因此採用的製程數已由6種減為3種，有助於降低生產成本並強化其因應市場持續變化的需求與趨勢之能力。

0 R$ D2 n! y; r) jRL78 MCU是在合併之後，第一個採用整合平台的MCU系列，並使用新的130 nm製程。RL78系列結合並延伸來自兩家合併企業先前的R8C與78K 8位元及16位元MCU技術，有助於降低整體系統耗電量，提供更多種類的產品，並協助開發人員降低整體系統成本。RL78系列的開發是為了滿足8位元與16位元MCU市場所預期的未來需求。

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新款RL78系列的其他主要特色包括：

(1)有助於降低整體系統耗電量的功能

    除了在運作模式下70uA/MHz的耗電量及啟用RTC + LVD時的0.7uA耗電量之外，RL78 MCU還支援名為「Snooze Mode」的新低功率模式。此模式在CPU為待機模式時支援A/D轉換及序列通訊，因此可大幅延長以電池供電之裝置的使用時間。

(2)內建安全保護機制

    RL78 MCU 結合多種內建機制，可符合電子裝置所需的標準安全規範(例如IEC60730)。這些功能包括快閃記憶體循環冗餘檢查(CRC)功能、RAM同位錯誤檢查、時鐘故障及頻率偵測迴路、A/D測試功能及非法記憶體存取偵測…等。

(3)業界標準開發工具

$ |5 S; K' @1 F, d1 D" e! Z0 Z* l可用的硬體開發工具包括瑞薩電子的低成本E1晶片內建除錯模擬器，及IECUBE全功能模擬器，讓客戶能夠選擇最符合其除錯需求的MCU產品。目前計劃推出支援RL78系列及其他所有瑞薩電子MCU 的E1模擬器版本，以低成本為瑞薩電子產品提供更全面性的支援。

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0 B4 x! T! f, L: P瑞薩電子的CubeSuite整合開發環境(IDE)及PG-FP5快閃記憶體程式設計工具，可為應用軟體開發人員提供強大的支援。另外，瑞薩電子的合作夥伴公司亦將推出適用於RL78系列的各種硬體及軟體開發工具。

(註1) Dhrystone是一套用於評估電腦操作效能的程式。RL78系列的41 DMIPS效能值是使用Dhrystone 2.1標準測量之結果。

(註2) 目標值。

價格與供貨

瑞薩電子新款MCU RL78的樣品預定於2011年Q1開始供應，並預定於同年7月開始量產。到2012年的每月產能則預計達到1千萬顆。其價格將依產品的記憶體容量、封裝及pin腳等規格不同而有所差異。例如，內含2 KB快閃記憶體及256位元組(B) RAM、採用20-pinSSOP小型封裝的RL78/G12群組MCU，訂購一萬顆的單價為0.45美元；內含64 KB快閃記憶體及4 KB RAM、採用64-pin LQFP薄型封裝的RL78/G13群組MCU，訂購一萬顆的單價則為1.00美元。

(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)

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瑞薩電子推出功率因數校正控制 IC 提高 PC 及數位家庭設備的電源供應電路效率
符合嚴格的節能標準 如 80 PLUS® Gold 及International ENERGY STAR®

$ v! x! I& G2 u先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)於今日宣布，將推出新 R2A20131連續導電模式（CCM）的功率因數校正（PFC，見附註1）控制 IC。這款新的控制 IC 係針對小型電源供應裝置所設計，約可提供 300 瓦 (W) 的電容量，於低負載期間，達到高電源轉換效率並減少待機電源，以減少整體耗電量。電源供應裝置欲從交流電（AC）轉換成直流電（DC）時，PFC 控制 IC 能減少因輸入電壓與輸入電流間波形資料的差異所造成的功率消耗損失，進而提高電源供應的轉換效率。這是透過控制輸入電流的波形資料，使其符合輸入電壓的波形資料所達成。
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: j1 w0 w3 P, C0 V電源供應裝置在輸出約為電源供應輸出功率最大 20% 的低負載期間，將 AC 轉換成 DC 時，新的 PFC 控制 IC 能達到 87% 以上的電源轉換效率。此一表現已符合要求節能電源供應器提高效能規格要求的 80 PLUS®（見附註2）計畫之 80 PLUS® Gold 金牌認證資格。此外，新的 PFC 控制 IC 也可降低檢測電阻損失 – 即電源供應器在檢測輸入或輸出電壓時，會產生功率損失。待機模式下的檢測電阻損失已減少約 26.5 毫瓦（mW），低於現行同級產品的五分之一。如此一來，系統製造商便可製造節能電源供應裝置，滿足國際能源之星（ENERGY STAR）計畫對辦公設備的要求以及歐盟 EuP 指令（能源使用產品之環保設計指令）的規定。

最近各廠商為提升電子產品的能源效率，因應不斷高漲的節能需求，無不投入實際行動，而此亦創造了更高效電源供應裝置的市場需求。為因應此一需求，PC 及電腦伺服器的電源供應器皆須取得 80 PLUS 認證，並符合如Climate Savers Computing Initiative®（電腦產業拯救氣候行動）計畫的能源效率標準，且電腦產品的使用也需達到卓越的電源效率，並符合國際能源之星、EuP 指令及其他能源效率標準的要求。
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  符合以上規定的必要性連帶刺激 PFC 控制 IC 的需求 – 即在任一負載（包括輕負載）的等級中，皆需達到卓越的電源轉換效率，且未來預計將會制訂符合更高效率且更嚴格規範的要求。

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瑞薩電子擁有廣泛的 PFC 控制 IC 產品，能在任何負載等級中，提供超高電源轉換效率。針對高輸出電源供應（1 kW至數 kW）設計的 R2A20104FP IC（連續導電模式，返馳式轉換），以及中等輸出電源供應（200W 至 2 kW）所設計的 R2A20132SP IC（臨界導電模式，返馳式轉換），現皆已應用至無數 PC 及伺服器中。新推出的 R2A20131（連續導電模式，單向）則提供更高的電源轉換效率，並可減少低輸出電源供應器的待機電源消耗，適合 PC 的量販市場。

4 h7 C" C; v' c' l新 R2A20131 IC 的主要特色如下：
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* |( n, N+ L  v(1) 「負載追蹤提升」（LTB）功能，提高電源供應裝置的電源轉換效率
PFC 控制 IC 能將內部的電源供應電路提高至 DC 390V 左右，藉以控制輸入電流，使其與輸入電壓相符。新推出的 R2A20131 IC 所具備的 LBT 功能則可將低負載等級控制於 DC 320V。LBT 功能可檢測負載電流，並隨著負載減少而逐漸降低輸出電壓，相較於瑞薩電子現有產品，在 20% 的負載情況下，約可將電源轉換效率提高 1%，並在 50% 的負載情況下提高 0.5% 的電源轉換效率。如此一來便可符合 80 PLUS Gold 金牌及 CSCI 的要求。

(2) 藉由減少電壓檢測電阻損失，達到低於五分之一的待機電源消耗
! s0 F( b7 }9 b# ]1 R( d& c# y國際能源之星及 EuP 指令皆要求待機輸入電源不得超過 500mW（輸出功率為 250mW 時），或者必須為電流量之一半。如此一來，PFC 控制 IC 的檢測電阻損失便必須降至 約30mW。R2A20131 IC 能支援 6 百萬歐姆（MΩ）以上電阻的電壓檢測，約為瑞薩電子現有產品的兩倍。因此R2A20131 IC 能將檢測電阻損失從 150mW 降至 26.5mW，並達到符合新一代國際能源之星及 EuP 指令要求的低待機電源消耗。

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(3) 內建保護功能，提供更可靠的電源供應系統
新的 R2A20131 IC 整合多重保護電路，包括掉電檢測電路功能，輸入 AC 電壓下降時，電路便會停止運作，此外還有獨立電壓檢測的內建電壓已達標準（power-good）功能，以及超壓保護電路。這些保護電路能使電源供應系統更加可靠，同時也簡化電源供應裝置的設計。
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瑞薩電子相信新的 R2A20131 IC 將可協助系統製造商開發用於 PC、伺服器的節能電源供應裝置，並創造出能滿足更高電源效率要求的數位消費者電子產品。該公司欲將 PFC 控制 IC 系列產品線擴展至更廣泛的功率頻寬及應用，例如進一步減少待機電源耗電量的產品。
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$ @9 z7 G' h9 Z（附註1）功率因數校正（PFC）
9 ]7 O4 G/ @6 T3 T這是一種電容器輸入類型交換的電源供應，輸入電壓波為正弦波，而輸入電流波則為脈衝形式。電流波形資料的差異會導致不必要的功率產生，PFC 則可控制輸入電流波形，使其符合輸入電壓波形，提高功率因數（有效功率比例）。此外，低功率因數也可能不利於商業電源，例如諧波電流的增加（頻率為50 Hz 或 60 Hz 倍數的正弦波，即商業電源供應所使用的頻率）。因此，如 IEC 及 JIS 標準皆對諧波電流有所規定。滿足此類規定的其中一種方式，便是改善功率因數。
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  [  J1 v6 ~* W- x（附註2）關於 80 PLUS® 及 80 PLUS Gold 金牌的詳細資訊，請上網站：http://www.80plus.org/。

定價與上市日期
瑞薩電子新的 R2A20131 PFC 控制 IC 樣本係安裝於 SOP-16 封裝，目前已上市，每顆售價 US$0.8。預定於 2010 年 10 月起量產，並預計於 2010 年 10 月之前，達到每月約 100 萬顆的出貨量。
- N) V( |2 ~: }9 w! G& z$ i（定價與上市時間如有變更，恕不另行通知。）
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$ i( I: o6 `8 c' j+ t" U& K1 v0 ^（備註）
- a& G) Q% K: O* S80 PLUS® Eco-Consulting 之註冊商標。Climate Savers® 為國際環境組織 WWF 之商標或註冊商標，CSCI 係經 WWF 授權使用。所有其他註冊商標或商標，皆為其各自所有人之財產。

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瑞薩電子針對北美液晶數位電視市場推出業界最小、支援Full HD的SoC
' G+ H* i8 ^7 C& f& h  E0 c封裝尺寸較該公司現有產品精簡45%

2010年11月30日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)，宣佈推出兩款新的輕薄省電型系統單晶片(SoC)產品－R8A66983BG及R8A66980BG。兩款新產品皆在單一封裝內整合主要的訊號處理功能，如視頻及音頻處理，以及北美液晶數位電視市場所要求的高畫質。R8A66983BG SoC支援Full HD(註1)，而R8A66980BG SoC則支援WXGA(註2)。
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8 s" q6 P, T0 o0 K4 P7 i1 v# B. G3 ]新產品：(1)安裝範圍為17 x 17公釐(mm)，較瑞薩電子現有的SoC產品足足少了45%的安裝面積，使得R8A66983BG成為北美液晶數位電視市場中最小的Full HD SoC(註3)；(2)結合強化後的pin配置，以雙層系統電路板取代原有的四層電路板，使系統更為輕薄，同時壓低成本，並且(3)符合能源之星(註4)4.0國際能源效率標準，更加省電。
, E6 M: F0 j# l液晶數位電視的市場需求預計將繼續走強，此外，一般更預期液晶電視價格將會下滑，但畫質卻將持續提升；另一個呼聲逐漸提高的需求，則是更具環保效益的高能源效率。
瑞薩電子目前針對北美液晶電視市場所量產的SoC產品為R8J66977BG(支援Full HD)與R8J66975BG(支援WXGA)，這些SoC在單一晶片上整合了主要的訊號處理功能及高畫質，從數位轉播訊號的解調到液晶面板的訊號輸出，不僅產品設計更輕薄，也因為強大的處理能力，使原本所需的外部記憶體(DRAM)晶片由兩顆減少為一顆；因而這些SoC產品也有效地降低了整體的系統成本。現在瑞薩電子新推出的R8A66983BG及R8A66980BG SoC，規格更精簡，進一步再降低了成本及耗電量。

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R8A66983BG及R8A66980BG主要特色：

(1) 針對北美市場推出業界最小的Full HD液晶數位電視SoC
採用45奈米(nm)製程所製造的SoC，能將封裝尺寸從23 mm × 23 mm縮小至17 mm × 17 mm，同時保留了之前產品的功能。R8A66983BG為針對北美市場所推出的最小Full HD液晶數位電視SoC，除了簡化電視機所使用的系統電路板，並節省設計安裝空間。
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(2) 支援雙層印刷電路板，降低系統成本
8 _! T; V0 _( i強化封裝的pin配置，以雙層電視印刷電路板取代原有的四層電路板，進而降低系統成本。
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(3) 進一步降低耗電量
+ G, T1 h7 u) G; z2 d6 X- ?4 F類比電路的增強功能，加上最佳化電源供應控制，無論運作或待機都能進一步節省用電量。R8A66983BG及R8A66980BG SoC使得省電產品的設計更加簡便容易，並符合美國環保署的能源之星4.0標準。

(4) Pin腳相容的Full HD及WXGA版本，提高系統開發效率
. b0 ]2 s8 [+ j: [' v# `) p3 l$ Z* t支援Full HD的R8A66983BG SoC及支援WXGA的R8A66980BG SoC皆有pin腳相容封裝，能使用兩種SoC共用的電視開發平台，如此將可提高系統開發效率，同時減少開發成本。

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瑞薩電子也將繼續開發並供應新產品，以因應不斷演進的市場需求。附件列有R8A66983BG及R8A66980BG SoC的主要規格。
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- h% u5 N; s6 Y, I6 l9 S1 Q7 t（註1）Full HD：水平解析度1920畫素，1080條掃描線。
（註2）WXGA：水平解析度 1366，768條掃描線。
（註3）根據瑞薩電子內部研究，新產品截至2010年11月10日止為業界最小規格。
（註4）能源之星：由美國環保署針對改善電子產品的能源效率所提倡的計畫，規格為電視（顯示器）根據尺寸及解析度，分別於開機、休眠及關機（閒置）狀態下的最大耗電量。

價格與供貨
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瑞薩電子新R8A66983BG及R8A66980BG SoC預計於2010年12月上市，每顆建議售價分別為US$23及US$19。預定於2011年2月起量產，且預計將於2011年8月之前達到每月約60萬單位的合併出貨量。