遇到一個疑問,請各位先進協助解答

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現在TSMC 0.35um 2P4M CMOS 的新製程是使用P型基板(P-Substrate)而且P型基板會加到電源處，又本製程只提供挖N型井(N-well)製程，所以根本沒辦法做成好的NPN型的電晶體，上述前輩說寄生電晶體的設計其實並不可靠通常我們不會將寄生電晶體當成我們真正的電晶體來使用，而且距離是關鍵的大問題除非非常近否則其未必就真會形成電晶體的效果，通常在考慮缺點才會考慮寄生電晶體出現所以必須要分析考慮！但是可以做成PNP型的電晶體，因我們都知道雙極性電晶體的射極必須要高濃度(重摻雜)才能形成射極，在P-Substrate上挖N-well再到N-well上長P+不是就可以形成很好的PNP型的電晶體嗎？
好的研究生要懂得變通，只要是NPN型的電晶體的電路可以完成電路效果，同樣的可以將其改為PNP型的電晶體電路，只需將配置及加壓方式倒過來即可完成你所需的設計。