電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
$ V" s% [9 E3 s: a! y是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
0 U, Q) ?  g& W  f: N! s老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
8 G# o5 z+ }( B7 ]- H但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子

, A/ N3 y0 @9 {$ t( `此外再問個專業用詞的問題，請問：
9 f+ n; w7 Y8 l  DSilicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
# p! a) C' U+ F& b( V5 R我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
如果有layout上的達人請幫我一下
% `0 m) ^0 U+ z- V1 t+ I' A* i* z, o謝謝

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
他們應該就會描述!!
( B4 _( @3 q( J  V5 p& X你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!

/ S# H  ^# i1 l9 V每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
+ ^7 X$ v* x, ?1 _* b. o1 _正系數或者是負係數  也有所差異!!
( e0 M9 E, T; I7 E6 h( y/ z; p' c看製程廠給的資料比較準!!

[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

to m851055:
9 A0 _. S7 {, J  ^' u% c6 @4 l4 G   我指的翻是把英文翻成中文的意思
   因為老師給的都是英文paper

5 ^$ y! M1 `8 Lto sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
! g& D' s/ o. Z% F     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
; E) p+ \$ j" D7 U, i* ]
6 k7 o6 V1 r& M+ M+ Q  d% [7 R製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
' N, @0 g  h8 k4 D& e. ^. g這些值都已經算出!!
從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。
' t3 y3 L# l, w, f
, U3 a! a: M0 q另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。
9 t- q; {; ~  U- c9 \
還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q
9 D: f' X/ E; L3 b- ^" [/ D
請大家幫我看看以下的圖:


! S4 c8 y: `9 y0 x7 W這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
" V2 Y- L* w- Z就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
9 ?4 _. G# H8 V& J* I; {, B. G/ }像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電 ...

0 y6 ]7 x" a0 u& C- P2 I+ \+ K

: }2 `/ S4 A: l  c, K% FN+ resistor to 12V，so voltage is understand.

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
3 i' I- h- [) t( `  U像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
: w& V  {7 W: E+ yunsilicided poly...unsilicon targe Poly

tc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
4 c" d: j/ {6 Z" @6 ltc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
/ o# ^; w7 x3 ^' Nvc1 voltage across the first capacitor
# H6 I: C* \. T% E( a1 Cvc2 voltage across the second capacitor

1 B0 ?2 S$ u3 h- a0 N2 _; z- D0 aA two-terminal resistor.
$ ]( H* q8 W7 P* nThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
R = N (1 + AT + BT2)
T = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)


This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
8 _; ]3 k1 F  o; i+ ois different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.

2 W0 C5 X+ v5 \0 b: s6 U[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]