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[問題求助] layout 的 metal 耐電流?

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1#
發表於 2007-8-1 09:40:48 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
) }/ W& m; B: b: c這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
% u' z) A3 e8 V0 t, d9 Q# r要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!$ K' x8 F, J! W3 {' @* E
不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!
# U3 U" V( d% `9 w* }, {7 q, b假如以下的狀況:' Z! ^# x6 T  G: C* _9 l
1. Peak current is 2A?
$ a. j  J: n( w  R9 B" [5 c3 G2. Constant current current is 500mA?
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2#
發表於 2007-8-1 21:06:22 | 只看該作者
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
3#
發表於 2007-8-3 16:21:04 | 只看該作者
如以 1um /1mA  來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧

評分

參與人數 1Chipcoin +1 收起 理由
sjhor + 1 Peak current 可達 5~10mA/um吧!!

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4#
發表於 2007-8-7 22:19:03 | 只看該作者
為了因應Power MOS的巿場( r- X6 K3 }. |8 g+ x
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule
; |& p9 u. U9 Y+ Cthick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
+ W( j; F* W/ n! z$ y4 gthick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
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