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原帖由 monkeybad 於 2007-8-1 04:50 PM 發表 8 f* ^ p9 e' T3 b5 g
之前有討論過有關CMOS Pierce crystal osc
7 R7 k! j$ X3 L9 _5 j# Q" X2 G5 Z+ `現在我的模擬好像有點問題 想請教一下
. y$ j1 e1 Q, `; c2 O) B' r圖一為我簡化後的Model 基本上 就是一顆CMOS Inverter 然後並連上一個偏壓電阻
7 u- Z% F0 I' j; I然後a b兩點再分別接到Crystal的兩端
: u1 t" [0 X! j. S! `Cryst ... - a" J; r8 K4 ^& [( C
. R6 ~/ w+ k b, b
因為最近剛好也要做一個 1MHZ~10MHz 的 X'tal oscillator, 最近這兩篇討論對小弟: w1 O9 {( |' t' h" l9 ~
幫助很大..不過在模擬上有遇到問題, 怕是自己觀念有錯, 想請各位前輩指導...
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" T' e5 _+ `6 W. ?* f( Y關於負電組的部份, 老實說是第一次看到這個觀念, 研讀了這兩篇討論串所提供的一些5 Z! ?1 z$ {- o& O, @, J
文件, 總算有了一點點感覺...在推導的部份 monkeybad 大大提供的 Philips 那份文件' z6 @3 r! C: G) j
有詳細說明, 裡頭推論出滿足負電阻條件時 inverter 最小的 gm 值, 不過就是在這邊+ b1 L8 }/ _& a: F
遇到一點問題...
1 H) M( n4 S" G G" n; [
6 `( }$ c( Q* C; Z5 X9 w7 ^3 p我模擬的條件為:
, w7 o7 ^+ N* C# a10M X'tal model 為: RS=50, CS=0.004pF, L=60039.21315uH, CP=5pF (前人留下的..)
. C* A: t& {. a/ TInverter size 為: WN=3u, WP=10u, L=0.5u, 偏壓在約 1.65V (VDD/2)- _. M2 z+ V/ q
RP 為 2E6( t7 u, \. H9 `
CX1=CX2=10p (X'tal兩邊的負載電容)# T" H. w8 \* K r
6 h3 b# O( I6 j8 o6 N3 H' {' H
假設先不考慮 Cpar 的效應, 根據公式算出來的 gmmin 約為 115u 左右, 用本篇一開始
' y% S8 u& T+ Vmonkeybad 大大提出的方式去模擬, HSPICE 模擬出來 NMOS 的 gm 約為 521u, 是理論; @8 `8 x- n7 L2 h
最小值將近五倍, 然而 AC 分析看到的阻值卻是正的(請參考附圖), 我試著調整參數, 發現
( U' l' [5 w1 i0 J* E將 CX1, CX2 以及 RP 縮小才會得到類似 monkeybad 大提供的圖 (整個從1MEG到10MEG
/ D/ C- o6 l0 a$ w; d8 \的頻域都是負電阻..) 不過阻值也不大..
# }) V$ N# [, U# f( y% v/ Q2 \( ]( Q3 z( n( A
另外一個問題是, 根據公式, RP 如果愈大, gmmin 會愈小, 所以我自己的推論是如果 RP 愈大,
" E9 r! D5 Z7 p! E模擬結果應該會往"更負"的那邊移動, 不過我用 50E6 模擬結果卻與預期完全相反... 1 z* U: @: p, q3 r" Z, ^
. J2 c4 }7 l6 z研究了兩天實在不知道是哪邊弄錯了, 煩請前輩們指導一下..謝謝.. |
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