想請問那裡查詢的到簡單的反相器設計電路實例

yhchang

一般的人 講的基本閘
7 Q. |& ^8 S3 j$ W: b8 X並不是 AND 跟 OR

而是NAND Gate 與 NOR  Gate
這兩種電路都是兩個PMOS與 兩個NMOS組成

只是差別在
. \1 g0 [' `1 G+ V4 \, G# e; D
NAND gate:  下面兩個NMOS   串聯,  上面兩個PMOS並聯
NOR   gate:    下面兩個NMOS  並聯,  上面兩個PMOS串聯

yhchang

我認為所謂基礎扎實的觀念是
, B" X2 a: t  tLAYOUT除了要會畫不同類型電路的佈局圖之外
也要懂一些基礎觀念
一個是  一個Silicon是怎麼做出 IC的
3 }7 f4 s! I/ @. G) S" Y這就牽扯到  積體電路製程概論
0 d2 Z8 s' Y) J/ Q( ]0 M7 f& `. G另外一個是  一些 Latch-up  ESD 還有基本的MOS 操作區域的觀念
以上這些東西  都可以在任何一本VLSI的課本中 學到

所以把VLSI 積體電路設計概論的課本 讀熟讀通 應該是LAYOUT工程師
的理論基礎吧

yhchang

即使沒有畫出  反相器的 LAYOUT
* m. F$ Z& ?  Z- O# I+ R3 l
也會知道  好的反相器就是  rising/falling 時間 必須要盡量接近
0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay  的skew也要盡量接近
如果反相器用的SIZE大  要怎麼畫 FINGER
finger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation

7 w, w6 p: Q. ]5 U其中  如6樓所說     PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
4 E. F) V8 m) [( d' VPMOS width必定是  NMOS width的兩到三倍
+ C; W9 E4 b; v) b
其原因是因為  不管是哪一家的製程
遷移率 (mobility)  NMOS都是PMOS的兩到三倍
所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L
才能得到  跟NMOS一樣的Idsat
9 H9 Q1 a8 Q* G  O
( E- n- @% a) b. U這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念
" @" D+ L! i+ u7 w這對找工作絕對是加分.