e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster
+ O" T, Q2 F+ H( I3 d7 k/ l$ l/ ]

    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV

# P! Z8 {+ B8 n得如此

0 t+ h0 k3 M! J# m3 y1 b一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
1 }; y) X6 m, `6 cMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
: N7 g# |( \( E% ]
: A5 h0 N8 q$ Z一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
; }# w# ^! G' ~還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
! S/ P0 [$ h: Z/ ^9 P- [
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝

7 a4 q* I2 N* b9 MLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas


    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
! E% g. T9 N4 Xbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

4 t' b: V3 v/ q2 s$ L7 N
剛好看到這個討論
5 J) L0 `  t" xe-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
* Z+ J( j  p* v5 j/ M4 D大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
3 N7 ?, I- W# o. p可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
8 e  m2 T* R& D3 t9 X! y至於原理可以去查查 failure analysis 的書
( K% X5 q  q1 j+ m& p3 p$ s
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
1 I' e5 F# B% g5 |他也confirm了這點~
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
# u7 _  s2 q* d. [所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
/ n4 `! g# k& W小弟做test key失敗好幾次
" r# t- ~3 q% n/ H: ~& f果然沒有ＦＡＢ幫忙
/ a# L6 p% z, i) Q要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~