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[問題求助] e-fuse?

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1#
發表於 2007-8-22 16:35:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近常聽到 efuse! 所以想問一下有試用過的人!!" E; c$ \8 z: b$ P9 K2 z( G3 W
其原理和優缺點是什麼唷?/ `  i# S9 }3 N, G  X7 w
一個好奇的人想要知道唷!!, |  V# S6 J7 C/ I4 X8 u
9 J, n; l6 |6 f; t
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
0 u4 v8 a4 j- I2 h* Rpoly fuse 的問題
3 }) ]0 d/ a8 [; Upoly fuse 大約多少能量便可以燒斷?
! y( i# `3 Z  ^9 P如何判断poly fuse 已经blown  & P7 _0 |. a& Z& i+ |" ]+ L" W
有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  % J8 S! O. H* O
Laser Trim 0 A2 D* f* R* e, ~
做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  2 N/ Z) o8 P; v8 M0 i
Trimming method?   
" N' {3 E7 V" g, c% OCurrent Sensing Resistor Trimming!!   ; |" ]) R* H: n" z
请教做laser trim的注意事项  & \' E9 P' x$ J: Q; v
Current trimming 要如何做呢?  
1 k; T& |. l3 Y  L, E
' A  p; E6 E' k* W4 c6 N; g6 ?8 t# N. o- f
: h$ U8 B# X9 K0 h- S( d
! i2 {* h. l- B% ?
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:40 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 有什麼問題大家一起討論啦

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2#
發表於 2007-8-24 00:12:49 | 只看該作者
這是在網路上找到有關e-fuse的解釋:  |  t/ }4 v* e3 b  m0 r" _
A method of using an e-fuse device is provided. The e-fuse device includes a poly-fuse having one end connected to a source/drain region of a MOS transistor and the other end biased to a voltage (VFS). In operation, a gate of the MOS transistor receives a step waveform pulse signal. The step waveform pulse signal encompasses a pre-heat voltage (Vp) at a first level during time period (T1-Tp) and a maximum input voltage (VIH) at a second level during time period (Tp-T2). The pre-heat voltage (Vp) is smaller than the maximum input voltage (VIH). The step waveform pulse signal is confined to a minimum input voltage (VIL) before T1 and after T2. Preferably, the time period (T1-Tp) is longer than 5 μs.! x5 r# Z( Y, O( G' M4 o' J
, o4 f1 w+ F: M2 S$ P
個人經驗:
7 f' C4 t: P5 K! k% w- V' k* r/ T原理就如上面所提,它算是一種類似保險絲的被動元件,可以由外部來設定為"1"或者為"0",而設定的動作在我們拿到wafer且經過初步量測後即可作設定的動作,再者,它只能用一次,設定後便不能再更動
5 K, d' \9 \/ n! ?7 j+ a: Q不過,要用e-fuse要看製程廠本身有沒有提供這種元件,如果製程廠沒有這種元件的話,那就無法使用,只能使用變通的方式,如metal option
4 H9 p" L' r, z9 N( m( d. m0 e3 c% {* T. S" |
e-fuse的應用還蠻廣的,舉個例來說,我曾作過一個2.8V ~ 12V的LDO,它的輸出電壓可以由外部電阻串接變化型的,如輸出電壓由1.8V ~ 11V由客戶自行搭配組合使用,也可以是直接由內部控制固定電壓輸出型,如固輸出1.8V,2.5V,3.3V等電壓,以應用來說,它是四種不同應用的電路,但以公司成本考量而言,它希望電路只有一套就要能夠符合上述的所有組合
5 F# a' j. }4 E所以,我就必需設計出可以符合上述所有變化的電路,而不同的組合變化就由e-fuse來設定,如果今天要出可以由客戶自行搭配的LDO,那就燒掉其中一個e-fuse,如果今天要出固定1.8V輸出電壓的LDO,那就燒掉另外一條e-fuse,依據不同組合燒掉不同的e-fuse$ ~/ {: _3 U( l- Z
如此一來,GDS只有一種,光罩也只有一種,電路組合與應用卻是好幾種,而這就是e-fuse的優點所在,以最少的成本卻能夠得到很多種的組合變化

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monkeybad + 3 Good answer!
sjhor + 3 不錯!回答的相當好!!讓我長知識!!

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3#
 樓主| 發表於 2007-8-24 09:32:49 | 只看該作者
這邊有一篇IBM介紹 efuse 的文章 相當不錯
: K0 K% k, ?/ o4 u, s: H
& }# \. n0 @+ X# k/ s; B4 S介紹給大家唷!!" L# v8 z* L, b0 {2 b

' i* o: j% L& W# \, P) a8 y[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:37 AM 編輯 ]

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x
4#
發表於 2007-8-30 04:35:09 | 只看該作者
大大的解釋說明,好詳盡。) f+ S2 Q% m6 W$ k, p- [- h
但e-fuse主要還是用在客製化的產品和需要驗證的產品。7 l/ \8 U2 v& W: Z/ a, l# S
若將e-fuse常用於產品中,會增加die size的成本。
5#
 樓主| 發表於 2007-8-30 09:21:07 | 只看該作者

回復 #4 JohnsonLLL 的帖子

我想 e fuse 的好壞需要與傳統的 fuse 來比較!!
  ~' Z7 H5 v4 e傳統的 laser fuse & current trim fuse 在網上已經有相當多篇的討論了!!
4 P* l" B% l: T. W6 y/ ]laser fuse 其 chip size 增加較小  但是要用 laser trimming 的機台  這也需要費用 還有 laser repair rate 的問題。
7 X5 a: n/ s. U2 tCurrent Trimming 也會增加相當多的 chip szie 也是會增加相當多的成本!!2 B0 z5 L7 x1 [9 ~2 E3 q

9 Y; p4 M; v# ]3 z目前比較不了解的是 e-fuse 是不是有比較佳的成果!!
6#
發表於 2007-11-17 17:21:50 | 只看該作者
請問我已經付完了~~為什麼也不能Download呀 ? 7 C) X+ M" f0 a& m
請您寄至小弟的mail可以嗎 ?
/ K- J( M& J& f1 k9 Mantigm@pchome.com.tw* E' L, V; t$ C& _
謝謝~~0 S) a3 Q- j4 U( S- K7 q

, I6 r" z7 \# C原來權限=20,現在成10了。
9 j! {+ F4 D8 z# Q. D! c. e* p) h* r* u( o# ^5 x6 w
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-11-19 09:40 AM 編輯 ]

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sjhor + 1 全線已經改為10!應該可以下載了!!

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7#
發表於 2007-11-19 16:09:51 | 只看該作者
goods, thanks a lot, I like it so much...
8#
發表於 2007-11-20 01:11:03 | 只看該作者
推  
  i* C* k# ]# k3 ^$ \+ Z. p好文章  就是要拿出來大家分享2 r; S! t/ @. ~
這樣台灣的rd才會變強
9#
發表於 2007-11-20 14:02:51 | 只看該作者
不错的技术讨论,也想增长一下fuse方面的经验,谢谢各位不吝赐教.
10#
發表於 2008-1-12 01:41:29 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

一般的fuse 是由一條條的 Metal 電阻或是其他種類的電阻所構成的邏輯電路0 n; [# {! h! {1 F  {
當CHIP Power up之後, fuse ckt的output會被keep在 high
( ^2 @( M* c6 z' x: B直到你需要去 trim timing或者是 voltage的時候 把相應的fuse用 Laser打掉
# q; {, n) X# ~讓 原本輸出為 High 改變為 Low準位  從而改變 timing或是 voltage
! a7 S5 T& h0 p/ ?" O
$ a* N# W+ T( o但一般來說這種作法 需要測試工程師在機台上去打, 如果 貨交到客戶上才發現
* u5 L7 q+ B8 Ktiming或內部電壓需要調  甚至是有 ARRAY CKT Cell fail時  (這是惡夢!!)7 `$ N3 C' Q( D+ f/ I. ]6 r1 u
這時候你如果有 e-fuse 電路   就可以用  高電壓來取代 Laser
- w& }' r+ C7 n' B把 fuse 燒斷, 達到你想修補 fail Cell, 或者是 trim timing 及電壓的目的
$ v3 _+ H8 o5 ]6 Z1 L: g' b& u' O9 b4 U$ Q/ ], [* w
但是一個e-fuse電路 相對於一個一般的fuse電路來說 面積會大很多
0 y( k4 K& A5 f  h4 f$ t基於殺雞不可以用牛刀的前提下,  e-fuse電路必須要用在刀口上才行

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sjhor + 3 Good answer!

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11#
發表於 2008-1-16 09:40:27 | 只看該作者
就我的認知,e-fuse只是一個有別於傳統laser trim之方法的簡稱
1 B4 f* W) I9 x7 d6 r實現的方法有許多種) l* U; o$ [1 P
1. 採用trim pad : 利用大電流燒斷metal / poly 作為 0/1 的信號" B& G4 s% n" x" W/ m3 I
2. 採用EPROM/OTP(含1P OTP)/FLASH/EEPROM 等元件當作是 0/1 的信號
/ r$ f1 S4 K0 _8 y7 L  T$ O    在power on時讀取data,力旺的IP即是以1P OTP當e-fuse

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12#
發表於 2008-1-23 10:42:18 | 只看該作者
It's wondful,I'm intersting it
13#
發表於 2008-1-24 13:06:22 | 只看該作者
感谢感谢,找很久了...................................
14#
發表於 2008-1-30 11:08:29 | 只看該作者
e-Fuse在實際的產品應用上,其實是利用高壓在測試階段將所需的狀態改變,利用高壓將資料寫入。
, f* j- O6 N  [- f* |5 @, XPros:
1 ]" k7 K! Z  D! F1. 不需在FAB改變Metal層, 方便使用
+ Z; I4 T! c4 b5 Q2. 可提供一些model差異化,不需用bonding package去做
5 g8 G8 L: Q4 Y2 r" h+ D, T3. IP容易取得3 Q* |- j. H' w- x. O9 p' c" ]# f0 v
. H9 C) s3 i- S
Cons:/ Q  r8 T$ u% k" B. x9 Q4 j3 h1 N
1. 只能寫一次,不能再改變
. _/ Q: t, Q; S3 Q( l% }. J0 V/ G2. 牽涉到高壓方面,有可能影響良率
+ b$ p8 I* [% f! ^% C
( I3 b8 i6 J& R其他技術方面,爬爬上文解釋得非常清楚。
15#
發表於 2008-7-28 08:44:36 | 只看該作者
最近才開始工作,
6 y1 ]1 B3 i) f  i. L一堆新東西都是當初在學校裡完全沒有看過的
8 h& u8 _  `9 k+ m現在手上又開始要做新產品的design review
9 D4 W3 A& V" t! H偏生這些東西是什麼鳥都還不知道
# c: q* S: `7 B% n剛好看到這東西
3 z( Z& G2 [2 C  ?一整個大感謝
16#
發表於 2008-7-30 21:35:13 | 只看該作者
非常感謝大大提供這麼好的資料感恩啊 ~~ / v0 l$ K0 T4 R* Y8 h3 Q/ t
謝謝啦
17#
發表於 2009-6-22 15:30:22 | 只看該作者
正在做这方面的,看到的都是传统的fuse,看看这个e-fuse∼
18#
發表於 2009-7-9 11:44:07 | 只看該作者
最近也在做相關的工作,看到了很 metal fuse 燒不斷不現象,正好來這邊學習前人的經驗!
19#
發表於 2009-10-1 09:45:17 | 只看該作者
各位大大....謝謝啦....我最近一直在找相關資料
20#
發表於 2009-10-27 00:15:51 | 只看該作者
感謝分享阿 原來fuse還有這麼多種 真是非常感謝各位大大的無私奉獻
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