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提供一個之前用的方法,
, e& y% c8 m# E由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)2 M) ?+ W* I( T4 E) F' D; [2 d
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
6 _) m4 w. E' o( ^4 I YVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
/ {9 q# h$ d( O+ r$ f! [( Q' D& p. b& t/ O; g; t( V7 b5 o
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
5 S5 @* h5 i; I7 t! _5 [* g J在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]4 Y& F! ^5 U/ J" {; V- ^3 l
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)$ L5 }$ n9 T8 B
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)' H8 f8 C: j- [8 T& a+ @4 L Y" h# b" C$ y
* I. o2 a* D- @; [4 D5 Y# `將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值* |0 w3 [- V0 p
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
" v3 o* ^3 C) I+ ?( f. _3 \7 h = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]5 l2 M2 P5 |. @/ @/ U
+ [1 I! F( \% r7 T- [1 h* a* P之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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