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提供一個之前用的方法, 6 [" @" h5 c2 b* o$ o' {
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS); l5 b4 A8 P' ?2 G9 v# k6 T
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,5 L( a e8 C& d3 k. p D" f
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
! X7 D& Y. p k% k* e' A! X7 m' Y) h3 T2 A; h* K l
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
4 L2 f0 f5 p! w, U在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]- d, X% S: w( v, P
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
! k6 j! @+ x, i$ h0 U3 A" i( A! a故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
9 t/ g7 Z& b; L1 q1 t
J5 O8 m- V6 g3 }將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值$ {9 ?6 a7 ?+ Y* Z' S6 ~0 j
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]; S. Z5 j" W: G3 {) w0 H
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
1 i3 _8 q* D! T( h m& P
5 L; S4 L, c2 G. V1 D之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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