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提供一個之前用的方法, ; U+ K- [1 l6 U* {2 }
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)5 y' | B# ~; A3 i" }$ n4 s
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
9 C7 K7 L r, p9 x$ OVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値- V7 M, Y& h9 c* J# a/ Q3 g
8 r/ [4 f: f/ a& g+ l由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)9 K5 |/ ]6 b. W C1 i
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]' C. q0 C0 L, j7 Y, x1 ^& E
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2): B- q: q2 P) w2 P" G
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
8 B% S4 u5 l7 ]6 p9 ?
# U( O6 E5 a, M! F8 J, a將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
' }3 A7 V$ V; _8 ]. ` D O1 A* eKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
/ [9 J( ]; U( f! l7 Q* z6 Q3 S = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]! {; B2 k9 g h; D# @9 i
. @$ ?% ~ C. c+ n# N之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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