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提供一個之前用的方法,
% J% k8 e* j; _2 o4 c由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)- y( y. f- X# V4 i5 ?& u
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,6 F ?7 c7 [7 S! w) N5 J+ \6 F
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値2 w# j3 f6 [8 e, q' n
% m# n: P. [ s: [9 Z1 u! G2 R
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
& T7 v* k6 m8 V6 P9 X在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]: f0 @6 Y+ a( d" q: g7 V
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)! r; x9 f& P$ o9 A* I
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
5 ~( I5 G3 F7 S9 Q
$ r4 o2 j; T/ C3 G, {將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
9 e& s: g8 A- U! C2 MKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]5 C! W: _. G3 r/ @1 Q0 z% Y
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
9 f; {1 y) j1 n. \. J$ [8 M1 `+ \
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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