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提供一個之前用的方法, + N4 L2 {# @6 ?+ c: v
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
* D( C: [% E- k) Y' W# f在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,3 V) G% `3 g/ I$ W8 \; p
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値, Q$ K& j- e: K/ U, c
1 t& Y& r* F$ I; K
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)2 R# ^/ R8 _( P
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
, c. \6 | R, B由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
$ J, R, z6 S) N故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1); G% @3 ]/ W) J8 R
1 S- T2 |; `0 @4 `
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
; p+ x! X6 ~) G; z9 q: L# ?+ |KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
, {' B- p2 e% C) z = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
0 r z" \4 R3 _+ r9 B
! @( D: d2 f8 p* L3 Z, r7 W之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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