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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表 % z1 W5 i# T% `+ R
至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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. R) M4 n/ ^/ s# u9 W9 I* {/ Q再回答一下問題
2 {% J% @# @" m- ^7 q y在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了, `5 ~ S l, s; S" ?7 y7 B6 R
再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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3 ~) r3 x* k8 S, [ v* m. U最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的
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$ S: R: z2 \* I7 w# T關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過, b( g; [' H+ E) q9 E- R' a+ M
比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重- ^* r: n5 H! t4 `3 f7 t
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100
% O/ [* f3 m, V5 X6 T* ?# P在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64
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2 N- U4 U; R9 b+ }, } X+ r, x關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size7 I4 X+ A& M! o% {
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何, m- H" M& ^$ [: v( m+ s/ t9 s
* q8 N, ]' B" c4 `9 P/ L Y至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應
/ Y1 ?- P; s% y+ R* a因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的8 i8 W8 ~" T! s* n- F' s( H0 u. x
+ X, _+ X. t- ]$ a+ b至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設
. s, F# j5 L2 [只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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