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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
6 d: D1 B x B [. ]至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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再回答一下問題5 T- D9 [+ @! {9 Z
在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了
5 W8 ?) Y: E8 Y, `, e6 Z再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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7 U/ t! K( @" m* _8 x最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的- f! r8 b. R1 c; u. O
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$ [( s3 X( b- T# S關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過6 [" J/ j4 ^+ s0 ~6 u i$ ]
比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重1 y# l( }& o" f& G* z: _
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100
. N6 V" O. p$ A& J3 ^* m1 Q" Y在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:642 n4 X. s) g7 c8 D- m* x1 T h% ]
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關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size8 Q# c8 V* T- \# T1 x. X
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何
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至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應( T1 C* e. V, h* v, `' g) H u8 [4 k
因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
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5 M" f" Q8 t/ m8 Z4 b0 {至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設
% L* d" T+ w( k0 p* Q! b' Z3 E. Z- F只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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